Результат пошуку "f7811" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 32
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 30
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| F7811 | IOR | 01+ SOP |
на замовлення 1188 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811AVPBF | International Rectifier/Infineon |
  P-канальний ПТ; Udss, В = 28; Id = 11 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 1801 @ 10; Qg, нКл = 17; Rds = 11 мОм; Ugs(th) = 2 В; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
на замовлення 60 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||
| IRF7811AVTR-VB | VBsemi |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12A; 3,6Ohm; 10V; 4W; -55°C~150°C; IRF7811AVTR TIRF7811AVTR VBS кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| IRF7811AVTR-VB | VBsemi |
N-MOSFET HEXFET 10.8A 30V 2.5W 0.014Ω IRF7811AV TIRF7811av кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| CF78112PB | TI | QFP |
на замовлення 480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811 | IOR |
SOP-8 |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811 | IR |
05+ SOP-8; |
на замовлення 850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811 | IOR |
01+ SOP |
на замовлення 1288 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811A | IOR |
09+ |
на замовлення 2318 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811A | IR |
SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811A | IOR |
99+ |
на замовлення 245 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811A | IR |
04+ |
на замовлення 2402 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811A | IOR |
|
на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811A | IR |
09+ |
на замовлення 5830 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811APBF | IR |
09+ QFP |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811APBF |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| IRF7811ATR | IOR |
|
на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811ATR | IR |
0404+ |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811ATR | IR |
09+ |
на замовлення 5087 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811ATR | IR |
SOP8 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811ATR SOP8 | IR |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
| IRF7811ATRPBF | IR |
SOP8 03+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811ATRPBF | IOR |
DIP |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811ATRPBF | IR |
SOP8 07+08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811ATRPBF | IR |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811ATRPBF | IR |
SOP8 0747+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811ATRPBF | IR |
06+/07 |
на замовлення 3901 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811AV/A | IOR |
на замовлення 22987 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
| IRF7811AV/A | IOR | 09+ SO-8 |
на замовлення 23987 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811AVTR SOP8 | IR |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
| IRF7811TR | IOR |
00+ |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811TRPBF |
на замовлення 98000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| IRF7811W | IR |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
| IRF7811W | IR | 09+ |
на замовлення 34514 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811W | IOR | 09+ |
на замовлення 5918 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811W | IR | SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811W | IOR | 2003 |
на замовлення 3320 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811WTR | IR |
07+ |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811WTRPBF | IR |
SOP8 |
на замовлення 822 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811WTRPBF | IOR |
|
на замовлення 64000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811WTRPBF | IR |
SOP8 0736+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811WTRPBF | IR |
|
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811WTRPBF | IR |
09+ |
на замовлення 12018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IRF7811WTRPBF7811AVTRPBF |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| RF7811APBF | IR |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
20VP6 | TE Connectivity / Corcom |
Power Line Filters 20A WIRE-WIRE LEAD FLANGE MOUNT |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
A9F78116 АВТ. Вимикач iC60N 1P 16A B Код товару: 173782 |
Інструмент та обладнання > Прилади вимірювальні (Мультиметри, Тестери) |
товар відсутній
|
|||||||||||
|
|
IRF7811AVPBF Код товару: 71910 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 30 V Idd,A: 14 A Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
|||||||||
|
|
IRF7811AVTR Код товару: 25341 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 28 V Idd,A: 11,4 A Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1800/23 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
|||||||||
| 20VP6 F7811 S0 | TE Connectivity | TE Connectivity |
товар відсутній |
||||||||||
|
|
IRF7811 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 28V 14A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 16 V |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRF7811A | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRF7811APBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRF7811ATR | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 28V 11A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRF7811ATR | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRF7811ATRHR | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH 28V 11A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRF7811ATRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRF7811ATRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 28V 11A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRF7811ATRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRF7811AVPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1801 pF @ 10 V |
товар відсутній |
| IRF7811AVPBF | |
|
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 28; Id = 11 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 1801 @ 10; Qg, нКл = 17; Rds = 11 мОм; Ugs(th) = 2 В; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
P-канальний ПТ; Udss, В = 28; Id = 11 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 1801 @ 10; Qg, нКл = 17; Rds = 11 мОм; Ugs(th) = 2 В; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 60 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 32+ | 19.91 грн |
| 34+ | 18.58 грн |
| 100+ | 17.25 грн |
| IRF7811AVTR-VB |
Виробник: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12A; 3,6Ohm; 10V; 4W; -55°C~150°C; IRF7811AVTR TIRF7811AVTR VBS
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12A; 3,6Ohm; 10V; 4W; -55°C~150°C; IRF7811AVTR TIRF7811AVTR VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 20.3 грн |
| IRF7811AVTR-VB |
Виробник: VBsemi
N-MOSFET HEXFET 10.8A 30V 2.5W 0.014Ω IRF7811AV TIRF7811av
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 10.8A 30V 2.5W 0.014Ω IRF7811AV TIRF7811av
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 23.54 грн |
| 20VP6 |
|
Виробник: TE Connectivity / Corcom
Power Line Filters 20A WIRE-WIRE LEAD FLANGE MOUNT
Power Line Filters 20A WIRE-WIRE LEAD FLANGE MOUNT
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4381.82 грн |
| 24+ | 4174.87 грн |
| 56+ | 3481.14 грн |
| 104+ | 3222.87 грн |
| A9F78116 АВТ. Вимикач iC60N 1P 16A B Код товару: 173782 |
товар відсутній
| IRF7811AVPBF Код товару: 71910 |
|
|
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Монтаж: SMD
товар відсутній
| IRF7811AVTR Код товару: 25341 |
|
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 28 V
Idd,A: 11,4 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/23
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 28 V
Idd,A: 11,4 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/23
Монтаж: SMD
товар відсутній
| IRF7811 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 28V 14A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 16 V
Description: MOSFET N-CH 28V 14A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 16 V
товар відсутній
| IRF7811A |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
товар відсутній
| IRF7811APBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
товар відсутній
| IRF7811ATR |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 28V 11A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 28V 11A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
| IRF7811ATR |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
товар відсутній
| IRF7811ATRHR |
|
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 28V 11A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 28V 11A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
| IRF7811ATRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
товар відсутній
| IRF7811ATRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 28V 11A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 28V 11A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
| IRF7811ATRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
товар відсутній
| IRF7811AVPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1801 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1801 pF @ 10 V
товар відсутній
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]