Результат пошуку "fbe30" : 38

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRFBE30 Vishay 91118.pdf description Транзистор пол. N-MOSFET TO-220-3 800 V 4.1A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+260.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBE30 Siliconix 91118.pdf description N-MOSFET 4.1A 800V 50W 3Ω IRFBE30 TIRFBE30
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+63.8 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFBE30LPBF IRFBE30LPBF Vishay Semiconductors Hexfet%20TO262_2.jpg MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp
на замовлення 18479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.51 грн
10+ 132.26 грн
100+ 97.92 грн
250+ 94.64 грн
500+ 86.09 грн
1000+ 76.89 грн
2000+ 74.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBE30PBF IRFBE30PBF VISHAY IRFBE30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.94 грн
6+ 62.3 грн
10+ 55.45 грн
16+ 50.66 грн
44+ 47.92 грн
50+ 47.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFBE30PBF INTERNATIONAL RECTIFIER 91118.pdf N-Channel MOSFET, 800V, 3 Ohm 4.1A, TO220, Pb-Free
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+48.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFBE30PBF IRFBE30PBF VISHAY IRFBE30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 559 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+91.12 грн
4+ 77.63 грн
10+ 66.54 грн
16+ 60.79 грн
44+ 57.5 грн
50+ 56.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay Semiconductors 91118.pdf MOSFET 800V N-CH HEXFET
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.38 грн
10+ 109.59 грн
100+ 84.12 грн
500+ 81.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBE30PBF-BE3 IRFBE30PBF-BE3 Vishay / Siliconix 91118.pdf MOSFET 800V N-CH HEXFET
на замовлення 5073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.18 грн
10+ 97.49 грн
100+ 84.12 грн
500+ 79.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF VISHAY IRFBE30.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.21 грн
10+ 82.15 грн
27+ 78.04 грн
50+ 77.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF VISHAY IRFBE30.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+139.78 грн
3+ 121.14 грн
10+ 98.58 грн
27+ 93.65 грн
50+ 92.83 грн
250+ 89.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Vishay Semiconductors IRF9Z34S_1.jpg MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.65 грн
10+ 198.01 грн
100+ 141.95 грн
500+ 120.27 грн
1000+ 101.21 грн
2000+ 100.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBE30STRLPBF IRFBE30STRLPBF Vishay Semiconductors MOSFET 800V 4.1A 125W
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.35 грн
10+ 203.3 грн
25+ 171.53 грн
100+ 143.27 грн
250+ 139.32 грн
500+ 126.84 грн
800+ 112.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
FT01039FBE300 10 кОм Термістор 10 кОм 3950A в білій термоусадці
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
FT01039FBE300T 10 кОм Термістор 10 кОм 3950A в білій термоусадці з терміналами
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRFBE30PBF 91118.pdf IRFBE30PBF Транзисторы
на замовлення 11 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRFBE30PBF- VIS 09+ SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFBE30S IR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFBE30S IR 07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFBE30S IR TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TRFBE30SPBF
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFBE30 IRFBE30
Код товару: 23059 		IR 91118.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 4,1 A
Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
Монтаж: THT
товар відсутній
IRFBE30PBF IRFBE30PBF
Код товару: 15766 		Vishay 91118.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 3,1 A
Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
Монтаж: THT
товар відсутній
IRFBE30LPBF VISHAY Hexfet%20TO262_2.jpg Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.1A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFBE30LPBF VISHAY Hexfet%20TO262_2.jpg Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.1A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFBE30STRLPBF VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.1A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RNF14FBE301R RNF14FBE301R SEI Stackpole SEI_RNF_RNMF-3077683.pdf Metal Film Resistors - Through Hole RES, MF, 1/4W, 301 ohm, 1%, 25 ppm
товар відсутній
RNF14FBE30K1 RNF14FBE30K1 SEI Stackpole SEI_RNF_RNMF-3077683.pdf Metal Film Resistors - Through Hole RES, MF, 1/4W, 30.1 Kohm, 1%, 25 ppm
товар відсутній
SIHFBE30L-GE3 VISHAY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIHFBE30L-GE3 VISHAY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHFBE30L-GE3 SIHFBE30L-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET
товар відсутній
SIHFBE30S-GE3 SIHFBE30S-GE3 Vishay / Siliconix sihfbe30.pdf MOSFET MOSFET N-CHANNEL 900V
товар відсутній
SIHFBE30STRL-GE3 SIHFBE30STRL-GE3 Vishay / Siliconix sihfbe30.pdf MOSFET MOSFET N-CHANNEL 800V
товар відсутній
IRFBE30STRLPBF VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.1A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
RNF14FTE301R RNF14FTE301R SEI Stackpole SEI_RNF_RNMF-3077683.pdf Metal Film Resistors - Through Hole RES, MF, 1/4W, 301 ohm, 1%, 25 ppm
товар відсутній
RNF14FTE30K1 RNF14FTE30K1 SEI Stackpole SEI_RNF_RNMF-3077683.pdf Metal Film Resistors - Through Hole RES, MF, 1/4W, 30.1 Kohm, 1%, 25 ppm
товар відсутній
IRFBE30 description 91118.pdf
Виробник: Vishay
Транзистор пол. N-MOSFET TO-220-3 800 V 4.1A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+260.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBE30 description 91118.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 4.1A 800V 50W 3Ω IRFBE30 TIRFBE30
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+63.8 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFBE30LPBF Hexfet%20TO262_2.jpg
IRFBE30LPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp
на замовлення 18479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+195.51 грн
10+ 132.26 грн
100+ 97.92 грн
250+ 94.64 грн
500+ 86.09 грн
1000+ 76.89 грн
2000+ 74.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBE30PBF IRFBE30PBF.pdf
IRFBE30PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.94 грн
6+ 62.3 грн
10+ 55.45 грн
16+ 50.66 грн
44+ 47.92 грн
50+ 47.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFBE30PBF 91118.pdf
Виробник: INTERNATIONAL RECTIFIER
N-Channel MOSFET, 800V, 3 Ohm 4.1A, TO220, Pb-Free
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+48.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFBE30PBF IRFBE30PBF.pdf
IRFBE30PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 559 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+91.12 грн
4+ 77.63 грн
10+ 66.54 грн
16+ 60.79 грн
44+ 57.5 грн
50+ 56.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBE30PBF 91118.pdf
IRFBE30PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 800V N-CH HEXFET
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+143.38 грн
10+ 109.59 грн
100+ 84.12 грн
500+ 81.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBE30PBF-BE3 91118.pdf
IRFBE30PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V N-CH HEXFET
на замовлення 5073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.18 грн
10+ 97.49 грн
100+ 84.12 грн
500+ 79.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBE30SPBF IRFBE30.pdf
IRFBE30SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.21 грн
10+ 82.15 грн
27+ 78.04 грн
50+ 77.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFBE30SPBF IRFBE30.pdf
IRFBE30SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+139.78 грн
3+ 121.14 грн
10+ 98.58 грн
27+ 93.65 грн
50+ 92.83 грн
250+ 89.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBE30SPBF IRF9Z34S_1.jpg
IRFBE30SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+224.65 грн
10+ 198.01 грн
100+ 141.95 грн
500+ 120.27 грн
1000+ 101.21 грн
2000+ 100.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBE30STRLPBF
IRFBE30STRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 800V 4.1A 125W
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+245.35 грн
10+ 203.3 грн
25+ 171.53 грн
100+ 143.27 грн
250+ 139.32 грн
500+ 126.84 грн
800+ 112.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
FT01039FBE300
10 кОм Термістор 10 кОм 3950A в білій термоусадці
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
FT01039FBE300T
10 кОм Термістор 10 кОм 3950A в білій термоусадці з терміналами
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRFBE30PBF 91118.pdf
IRFBE30PBF Транзисторы
на замовлення 11 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRFBE30PBF-
Виробник: VIS
09+ SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFBE30S
Виробник: IR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFBE30S
Виробник: IR
07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFBE30S
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TRFBE30SPBF
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFBE30
Код товару: 23059		 description 91118.pdf
IRFBE30
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 4,1 A
Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
Монтаж: THT
товар відсутній
IRFBE30PBF
Код товару: 15766		 91118.pdf
IRFBE30PBF
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 3,1 A
Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
Монтаж: THT
товар відсутній
IRFBE30LPBF Hexfet%20TO262_2.jpg
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.1A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFBE30LPBF Hexfet%20TO262_2.jpg
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.1A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFBE30STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.1A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RNF14FBE301R SEI_RNF_RNMF-3077683.pdf
RNF14FBE301R
Виробник: SEI Stackpole
Metal Film Resistors - Through Hole RES, MF, 1/4W, 301 ohm, 1%, 25 ppm
товар відсутній
RNF14FBE30K1 SEI_RNF_RNMF-3077683.pdf
RNF14FBE30K1
Виробник: SEI Stackpole
Metal Film Resistors - Through Hole RES, MF, 1/4W, 30.1 Kohm, 1%, 25 ppm
товар відсутній
SIHFBE30L-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIHFBE30L-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHFBE30L-GE3
SIHFBE30L-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET
товар відсутній
SIHFBE30S-GE3 sihfbe30.pdf
SIHFBE30S-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET MOSFET N-CHANNEL 900V
товар відсутній
SIHFBE30STRL-GE3 sihfbe30.pdf
SIHFBE30STRL-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET MOSFET N-CHANNEL 800V
товар відсутній
IRFBE30STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.1A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
RNF14FTE301R SEI_RNF_RNMF-3077683.pdf
RNF14FTE301R
Виробник: SEI Stackpole
Metal Film Resistors - Through Hole RES, MF, 1/4W, 301 ohm, 1%, 25 ppm
товар відсутній
RNF14FTE30K1 SEI_RNF_RNMF-3077683.pdf
RNF14FTE30K1
Виробник: SEI Stackpole
Metal Film Resistors - Through Hole RES, MF, 1/4W, 30.1 Kohm, 1%, 25 ppm
товар відсутній