Результат пошуку "fdh3632" : 9
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 38
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDH3632 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 32190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDH3632 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 32190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDH3632 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V |
на замовлення 31493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDH3632 | onsemi / Fairchild | MOSFET TO-247 / FDH3632 |
на замовлення 414 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDH3632 | FAIRCHILD | TO-3PL |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FDH3632 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 800mA; 310W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.8A Power dissipation: 310W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FDH3632 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 800mA; 310W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.8A Power dissipation: 310W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FDH3632 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
FDH3632 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 32190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 287.06 грн |
10+ | 282.31 грн |
25+ | 252.83 грн |
100+ | 219.68 грн |
250+ | 196.85 грн |
450+ | 171.37 грн |
900+ | 143.63 грн |
FDH3632 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 32190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
38+ | 309.14 грн |
39+ | 304.02 грн |
43+ | 272.28 грн |
100+ | 236.58 грн |
250+ | 211.99 грн |
450+ | 184.55 грн |
900+ | 154.68 грн |
FDH3632 |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 31493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 317.77 грн |
30+ | 242.29 грн |
120+ | 207.69 грн |
510+ | 173.25 грн |
1020+ | 148.35 грн |
2010+ | 139.68 грн |
FDH3632 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET TO-247 / FDH3632
MOSFET TO-247 / FDH3632
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 302.86 грн |
10+ | 296.26 грн |
25+ | 221.47 грн |
100+ | 197.16 грн |
250+ | 188.61 грн |
450+ | 172.84 грн |
900+ | 143.27 грн |
FDH3632 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 800mA; 310W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 310W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 800mA; 310W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 310W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDH3632 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 800mA; 310W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 310W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 800mA; 310W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 310W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDH3632 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній