Результат пошуку "fmm22" : 11
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 365
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FMM-22R | Sanken Electric Company, Ltd. | Diode 200V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220F |
на замовлення 1525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FMM22-05PF | IXYS |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolar; 500V; 13A; Idm: 55A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Pulsed drain current: 55A Power dissipation: 132W Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: double series Reverse recovery time: 200ns |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FMM22-05PF | IXYS |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolar; 500V; 13A; Idm: 55A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Pulsed drain current: 55A Power dissipation: 132W Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: double series Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FMM22-05PF | IXYS | MOSFET PHASE LEG MOSFET MOD HALF-BRIDGE 500V 13 |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FMM22-06PF | IXYS |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolar; 600V; 12A; Idm: 66A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 130W Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: double series Reverse recovery time: 200ns |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FMM22-06PF | IXYS |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolar; 600V; 12A; Idm: 66A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 130W Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: double series Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FMM22-06PF | IXYS | MOSFET PHASE LEG MOSFET MOD HALF-BRIDGE 600V 12 |
на замовлення 243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FMM-22R | Sanken Electric Co. | Diode 200V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220F |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FMM-22S | Sanken Electric Co. | Diode 200V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220F |
товар відсутній |
FMM-22R |
Виробник: Sanken Electric Company, Ltd.
Diode 200V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220F
Diode 200V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220F
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
365+ | 32 грн |
FMM22-05PF |
Виробник: IXYS
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolar; 500V; 13A; Idm: 55A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 55A
Power dissipation: 132W
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: double series
Reverse recovery time: 200ns
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolar; 500V; 13A; Idm: 55A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 55A
Power dissipation: 132W
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: double series
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1200.29 грн |
2+ | 1054.16 грн |
FMM22-05PF |
Виробник: IXYS
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolar; 500V; 13A; Idm: 55A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 55A
Power dissipation: 132W
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: double series
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolar; 500V; 13A; Idm: 55A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 55A
Power dissipation: 132W
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: double series
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1440.35 грн |
2+ | 1313.65 грн |
FMM22-05PF |
Виробник: IXYS
MOSFET PHASE LEG MOSFET MOD HALF-BRIDGE 500V 13
MOSFET PHASE LEG MOSFET MOD HALF-BRIDGE 500V 13
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1638.78 грн |
10+ | 1435.8 грн |
25+ | 1164.19 грн |
50+ | 1143.77 грн |
100+ | 1124 грн |
250+ | 1041.64 грн |
500+ | 982.35 грн |
FMM22-06PF |
Виробник: IXYS
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolar; 600V; 12A; Idm: 66A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 130W
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: double series
Reverse recovery time: 200ns
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolar; 600V; 12A; Idm: 66A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 130W
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: double series
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1311.89 грн |
2+ | 1151.62 грн |
FMM22-06PF |
Виробник: IXYS
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolar; 600V; 12A; Idm: 66A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 130W
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: double series
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolar; 600V; 12A; Idm: 66A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 130W
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: double series
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1574.27 грн |
2+ | 1435.09 грн |
FMM22-06PF |
Виробник: IXYS
MOSFET PHASE LEG MOSFET MOD HALF-BRIDGE 600V 12
MOSFET PHASE LEG MOSFET MOD HALF-BRIDGE 600V 12
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1790.98 грн |
10+ | 1568.39 грн |
25+ | 1271.58 грн |
50+ | 1232.05 грн |
100+ | 1192.52 грн |
250+ | 1135.86 грн |