Результат пошуку "fz46" : 52
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3200
Мінімальне замовлення: 7
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFZ46NPBF Код товару: 48533 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 55 V Idd,A: 53 A Rds(on), Ohm: 0,020 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1696/72 Монтаж: THT |
у наявності: 42 шт
очікується:
100 шт
|
|
|||||||||||||||
IRFZ46NLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 53A Power dissipation: 120W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ46NLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 53A Power dissipation: 120W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 79 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ46NLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 53A 16.5mOhm 48nC |
на замовлення 762 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ46NLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ46NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 46A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 252 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ46NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 46A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 252 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ46NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ46NPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 46A 16.5mOhm 48nC |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ46NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 53A 16.5mOhm 48nC |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ46ZSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 51A 13.6mOhm 31nC |
на замовлення 1130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ46ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Транзистор польовий IRFZ46N 53A 55V N-ch TO-220 |
на замовлення 12 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ46NPBF | International Rectifier Corporation | (TO-220AB) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFZ46NPBF/IR | IR | 08+; |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFZ46NS | IR | 07+ TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFZ46NS | IR | TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFZ46PBF | IR |
на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRFZ46S | IR | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFZ46ZPBF | IR | 09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFZ46ZS | IR | 07+ TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFZ46ZS | IR | TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFZ46ZSPBF | IR | to252 10+ |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFZ46 Код товару: 24066 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 50 V Idd,A: 50 A Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1800/65 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
Регульований стабілізатор на IRFZ46 (+ 3.. 27В, до 20 А) Код товару: 76266 |
Модульні елементи > Конструктори, набори для збирання електронних пристроїв Опис: Регульований стабілізатор на IRFZ46 (+ 3.. 27В, до 20 А) |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
AUIRFZ46NL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
CRT0402-FZ-4640GLF | Bourns | Res Thin Film 0402 464 Ohm 1% 0.063W(1/16W) ±50ppm/C Pad SMD T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
CRT0402-FZ-4640GLF | Bourns | Thin Film Resistors - SMD CHIP RESISTOR Precision |
товар відсутній |
||||||||||||||||
CRT0402-FZ-4641GLF | Bourns | Res Thin Film 0402 4.64K Ohm 1% 0.063W(1/16W) ±50ppm/C Pad SMD T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
CRT0402-FZ-4641GLF | Bourns | Thin Film Resistors - SMD CHIP RESISTOR Precision |
товар відсутній |
||||||||||||||||
CRT0402-FZ-4642GLF | Bourns | Res Thin Film 0402 46.4K Ohm 1% 0.063W(1/16W) ±50ppm/C Pad SMD T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
CRT0402-FZ-4642GLF | Bourns | Thin Film Resistors - SMD CHIP RESISTOR Precision |
товар відсутній |
||||||||||||||||
CRT0402-FZ-46R4GLF | Bourns | Res Thin Film 0402 46.4 Ohm 1% 0.063W(1/16W) ±50ppm/C Pad SMD T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
CRT0402-FZ-46R4GLF | Bourns | Thin Film Resistors - SMD CHIP RESISTOR Precision |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFZ46NSPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFZ46NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
CIR06CFZ-40A-60P-F80-VO | ITT Cannon | Standard Circular Connector |
товар відсутній |
||||||||||||||||
CIR08CFZ-40A-60P-F80-VO | ITT Cannon | Standard Circular Connector |
товар відсутній |
||||||||||||||||
CIR08CFZ-40A-60S-F80-VO | ITT Cannon | Standard Circular Connector |
товар відсутній |
||||||||||||||||
CIR08CFZ-40A-60SW-F80-VO | ITT Cannon | Standard Circular Connector |
товар відсутній |
||||||||||||||||
CIR08CFZ-40A-60SZ-F80-VO | ITT Cannon | Standard Circular Connector |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FRCIR00CFZ-40A-60S-F80-T108-VO | ITT Cannon | Standard Circular Connector |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FRCIR030CFZ-40A-60P-F80-T39-VO | ITT Cannon | Standard Circular Connector |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FRCIR030CFZ-40A-60S-F80-T39-VO | ITT Cannon | Standard Circular Connector |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FRCIR06CFZ-40A-60P-F80-T39-VO | ITT Cannon | Standard Circular Connector |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FRCIR06CFZ-40A-60P-F80-VO | ITT Cannon | Standard Circular Connector |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FRCIR06CFZ-40A-60PW-F80-VO | ITT Cannon | Standard Circular Connector |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FRCIR06LCFZ-40A-60PX-F80-T39-VO | ITT Cannon | Standard Circular Connector |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FRCIR08CFZ-40A-60P-F80-T39-VO | ITT Cannon | Standard Circular Connector |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FRCIR08CFZ-40A-60S-F80-T39-VO | ITT Cannon | Standard Circular Connector |
товар відсутній |
IRFZ46NPBF Код товару: 48533 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 53 A
Rds(on), Ohm: 0,020 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1696/72
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 53 A
Rds(on), Ohm: 0,020 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1696/72
Монтаж: THT
у наявності: 42 шт
очікується:
100 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 24 грн |
10+ | 21.6 грн |
100+ | 18.9 грн |
IRFZ46NLPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 69.32 грн |
10+ | 57.65 грн |
16+ | 50.1 грн |
44+ | 47.35 грн |
IRFZ46NLPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 86.38 грн |
10+ | 69.18 грн |
16+ | 60.12 грн |
44+ | 56.83 грн |
IRFZ46NLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 53A 16.5mOhm 48nC
MOSFET MOSFT 55V 53A 16.5mOhm 48nC
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 96.85 грн |
10+ | 41.29 грн |
IRFZ46NLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 27.06 грн |
IRFZ46NPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 57.65 грн |
8+ | 43.24 грн |
10+ | 34.8 грн |
27+ | 30.2 грн |
73+ | 28.55 грн |
IRFZ46NPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 252 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 69.18 грн |
5+ | 53.88 грн |
10+ | 41.75 грн |
27+ | 36.24 грн |
73+ | 34.26 грн |
IRFZ46NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 19.29 грн |
IRFZ46NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 46A 16.5mOhm 48nC
MOSFET MOSFT 55V 46A 16.5mOhm 48nC
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 64.34 грн |
10+ | 51.83 грн |
100+ | 35.05 грн |
500+ | 30.5 грн |
IRFZ46NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 53A 16.5mOhm 48nC
MOSFET MOSFT 55V 53A 16.5mOhm 48nC
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 115.3 грн |
10+ | 95.47 грн |
100+ | 74.45 грн |
500+ | 73.13 грн |
800+ | 46.91 грн |
2400+ | 44.6 грн |
4800+ | 43.15 грн |
IRFZ46ZSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 51A 13.6mOhm 31nC
MOSFET MOSFT 55V 51A 13.6mOhm 31nC
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 123.75 грн |
10+ | 101.53 грн |
100+ | 70.5 грн |
250+ | 64.96 грн |
500+ | 59.1 грн |
800+ | 46.51 грн |
IRFZ46ZSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3200+ | 28.98 грн |
Транзистор польовий IRFZ46N 53A 55V N-ch TO-220 |
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 26.37 грн |
IRFZ46NPBF |
Виробник: International Rectifier Corporation
(TO-220AB)
(TO-220AB)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)IRFZ46 Код товару: 24066 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 50 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/65
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 50 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/65
Монтаж: THT
товар відсутній
Регульований стабілізатор на IRFZ46 (+ 3.. 27В, до 20 А) Код товару: 76266 |
Модульні елементи > Конструктори, набори для збирання електронних пристроїв
Опис: Регульований стабілізатор на IRFZ46 (+ 3.. 27В, до 20 А)
Опис: Регульований стабілізатор на IRFZ46 (+ 3.. 27В, до 20 А)
товар відсутній
AUIRFZ46NL |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товар відсутній
CRT0402-FZ-4640GLF |
Виробник: Bourns
Res Thin Film 0402 464 Ohm 1% 0.063W(1/16W) ±50ppm/C Pad SMD T/R
Res Thin Film 0402 464 Ohm 1% 0.063W(1/16W) ±50ppm/C Pad SMD T/R
товар відсутній
CRT0402-FZ-4640GLF |
Виробник: Bourns
Thin Film Resistors - SMD CHIP RESISTOR Precision
Thin Film Resistors - SMD CHIP RESISTOR Precision
товар відсутній
CRT0402-FZ-4641GLF |
Виробник: Bourns
Res Thin Film 0402 4.64K Ohm 1% 0.063W(1/16W) ±50ppm/C Pad SMD T/R
Res Thin Film 0402 4.64K Ohm 1% 0.063W(1/16W) ±50ppm/C Pad SMD T/R
товар відсутній
CRT0402-FZ-4641GLF |
Виробник: Bourns
Thin Film Resistors - SMD CHIP RESISTOR Precision
Thin Film Resistors - SMD CHIP RESISTOR Precision
товар відсутній
CRT0402-FZ-4642GLF |
Виробник: Bourns
Res Thin Film 0402 46.4K Ohm 1% 0.063W(1/16W) ±50ppm/C Pad SMD T/R
Res Thin Film 0402 46.4K Ohm 1% 0.063W(1/16W) ±50ppm/C Pad SMD T/R
товар відсутній
CRT0402-FZ-4642GLF |
Виробник: Bourns
Thin Film Resistors - SMD CHIP RESISTOR Precision
Thin Film Resistors - SMD CHIP RESISTOR Precision
товар відсутній
CRT0402-FZ-46R4GLF |
Виробник: Bourns
Res Thin Film 0402 46.4 Ohm 1% 0.063W(1/16W) ±50ppm/C Pad SMD T/R
Res Thin Film 0402 46.4 Ohm 1% 0.063W(1/16W) ±50ppm/C Pad SMD T/R
товар відсутній
CRT0402-FZ-46R4GLF |
Виробник: Bourns
Thin Film Resistors - SMD CHIP RESISTOR Precision
Thin Film Resistors - SMD CHIP RESISTOR Precision
товар відсутній
IRFZ46NSPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRFZ46NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній