Результат пошуку "huf75639" : 58

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
HUF75639G3 HUF75639G3 ONSEMI ONSM-S-A0013933681-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HUF75639G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+258.03 грн
10+ 155.56 грн
100+ 132.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
HUF75639G3 HUF75639G3 onsemi huf75639g3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.38 грн
30+ 168.13 грн
120+ 144.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75639P3 HUF75639P3 ONSEMI HUF75639P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.07 грн
8+ 99.26 грн
22+ 93.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
HUF75639P3 HUF75639P3 ONSEMI HUF75639P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+185.78 грн
3+ 162.09 грн
8+ 119.12 грн
22+ 112.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75639P3 HUF75639P3 ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+161.2 грн
87+ 135.04 грн
102+ 114.22 грн
250+ 107.76 грн
500+ 89.3 грн
800+ 70.2 грн
Мінімальне замовлення: 73
HUF75639P3 HUF75639P3 ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+150.73 грн
10+ 126.36 грн
100+ 106.96 грн
250+ 100.91 грн
500+ 84.81 грн
800+ 65.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
HUF75639P3 HUF75639P3 ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
HUF75639P3 HUF75639P3 onsemi huf75639g3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.51 грн
50+ 126.35 грн
100+ 103.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75639P3 Fairchild huf75639g3-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A HUF75639P3 THUF75639p3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.64 грн
Мінімальне замовлення: 20
HUF75639P3-F102 HUF75639P3-F102 onsemi huf75639g3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+152.84 грн
10+ 122.2 грн
100+ 97.24 грн
800+ 77.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75639S3 HUF75639S3 Harris Corporation HRISS01168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 5441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+95.84 грн
Мінімальне замовлення: 207
HUF75639S3 ONSEMI HUF75639S3S-D.PDF Description: ONSEMI - HUF75639S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+91.42 грн
Мінімальне замовлення: 800
HUF75639S3 HUF75639S3 onsemi huf75639g3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.02 грн
10+ 143.42 грн
100+ 116.01 грн
800+ 96.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75639S3S ONSEMI FAIRS16093-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - HUF75639S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 33191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+106.9 грн
Мінімальне замовлення: 243
HUF75639S3S HUF75639S3S Fairchild Semiconductor FAIRS16093-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 33191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+97.81 грн
Мінімальне замовлення: 202
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+84.03 грн
Мінімальне замовлення: 235
HUF75639S3ST ONSEMI ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HUF75639S3ST HUF75639S3ST ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+108.85 грн
Мінімальне замовлення: 800
HUF75639S3ST HUF75639S3ST ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
HUF75639S3ST HUF75639S3ST ONSEMI HUF75639S3S-D.PDF Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.32 грн
10+ 154.08 грн
100+ 124.59 грн
500+ 82.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
HUF75639S3ST HUF75639S3ST onsemi huf75639g3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.46 грн
10+ 138.49 грн
100+ 110.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75639S3ST HUF75639S3ST ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+150.38 грн
10+ 123.37 грн
100+ 87.94 грн
800+ 83.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
HUF75639S3ST HUF75639S3ST ONSEMI HUF75639S3S-D.PDF Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+124.59 грн
500+ 82.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
HUF75639S3ST HUF75639S3ST ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+119.87 грн
10+ 105.64 грн
100+ 83.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
HUF75639S3ST_Q ONSEMI HUF75639S3S-D.PDF Description: ONSEMI - HUF75639S3ST_Q - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 36800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+84.04 грн
Мінімальне замовлення: 800
HUF75639S3ST_Q HUF75639S3ST_Q Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 56A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 36800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+77.46 грн
Мінімальне замовлення: 256
HUF75639S3_NL ONSEMI FAIRS45736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - HUF75639S3_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+88.47 грн
Мінімальне замовлення: 295
HUF75639S3_NL HUF75639S3_NL Fairchild Semiconductor FAIRS45736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+80.74 грн
Мінімальне замовлення: 245
HUF75639S INTERSIL
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75639S3S FAIRCHILD FAIRS16093-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75639S3S FAIRCHILD FAIRS16093-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75639S3S FAIRCHILD FAIRS16093-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75639S3S FAIRCHILD FAIRS16093-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75639P
Код товару: 61772 		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
HUF75639P3 HUF75639P3
Код товару: 122687 		Fairchild huf75639p3-1010619.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 56 A
Rds(on), Ohm: 25 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/9,8
Монтаж: THT
товар відсутній
HUF75639S3ST
Код товару: 163634 		huf75639g3-d.pdf ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
HUF75639G3 ONSEMI huf75639g3-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
HUF75639G3 ONSEMI huf75639g3-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
HUF75639G3 HUF75639G3 ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
HUF75639G3 HUF75639G3 ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
HUF75639G3 HUF75639G3 ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
HUF75639P3 HUF75639P3 ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75639P3 HUF75639P3 ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75639P3 HUF75639P3 ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75639P3-F102 HUF75639P3-F102 ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf N-Channel MOSFET
товар відсутній
HUF75639S3 HUF75639S3 ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товар відсутній
HUF75639S3 HUF75639S3 ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товар відсутній
HUF75639S3S HUF75639S3S onsemi FAIRS16093-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75639S3S HUF75639S3S ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
товар відсутній
HUF75639S3ST HUF75639S3ST ONSEMI HUF75639S3ST.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
HUF75639S3ST HUF75639S3ST ONSEMI HUF75639S3ST.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
HUF75639S3ST HUF75639S3ST onsemi huf75639g3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75639S3ST HUF75639S3ST ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HUF75639S3ST HUF75639S3ST ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HUF75639S3ST-S2515 ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
товар відсутній
HUF75639G3 ONSM-S-A0013933681-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HUF75639G3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75639G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+258.03 грн
10+ 155.56 грн
100+ 132.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
HUF75639G3 huf75639g3-d.pdf
HUF75639G3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+220.38 грн
30+ 168.13 грн
120+ 144.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75639P3 HUF75639P3.pdf
HUF75639P3
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.07 грн
8+ 99.26 грн
22+ 93.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
HUF75639P3 HUF75639P3.pdf
HUF75639P3
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+185.78 грн
3+ 162.09 грн
8+ 119.12 грн
22+ 112.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75639P3 huf75639s3s-d.pdf
HUF75639P3
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
73+161.2 грн
87+ 135.04 грн
102+ 114.22 грн
250+ 107.76 грн
500+ 89.3 грн
800+ 70.2 грн
Мінімальне замовлення: 73
HUF75639P3 huf75639s3s-d.pdf
HUF75639P3
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+150.73 грн
10+ 126.36 грн
100+ 106.96 грн
250+ 100.91 грн
500+ 84.81 грн
800+ 65.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
HUF75639P3 huf75639s3s-d.pdf
HUF75639P3
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
HUF75639P3 huf75639g3-d.pdf
HUF75639P3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.51 грн
50+ 126.35 грн
100+ 103.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75639P3 huf75639g3-d.pdf
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A HUF75639P3 THUF75639p3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+42.64 грн
Мінімальне замовлення: 20
HUF75639P3-F102 huf75639g3-d.pdf
HUF75639P3-F102
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+152.84 грн
10+ 122.2 грн
100+ 97.24 грн
800+ 77.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75639S3 HRISS01168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HUF75639S3
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 5441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
207+95.84 грн
Мінімальне замовлення: 207
HUF75639S3 HUF75639S3S-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75639S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+91.42 грн
Мінімальне замовлення: 800
HUF75639S3 huf75639g3-d.pdf
HUF75639S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+177.02 грн
10+ 143.42 грн
100+ 116.01 грн
800+ 96.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75639S3S FAIRS16093-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75639S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 33191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
243+106.9 грн
Мінімальне замовлення: 243
HUF75639S3S FAIRS16093-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HUF75639S3S
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 33191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
202+97.81 грн
Мінімальне замовлення: 202
HUF75639S3ST ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HUF75639S3ST
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
235+84.03 грн
Мінімальне замовлення: 235
HUF75639S3ST ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HUF75639S3ST huf75639s3s-d.pdf
HUF75639S3ST
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+108.85 грн
Мінімальне замовлення: 800
HUF75639S3ST huf75639s3s-d.pdf
HUF75639S3ST
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
HUF75639S3ST HUF75639S3S-D.PDF
HUF75639S3ST
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+212.32 грн
10+ 154.08 грн
100+ 124.59 грн
500+ 82.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
HUF75639S3ST huf75639g3-d.pdf
HUF75639S3ST
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+173.46 грн
10+ 138.49 грн
100+ 110.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75639S3ST huf75639s3s-d.pdf
HUF75639S3ST
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+150.38 грн
10+ 123.37 грн
100+ 87.94 грн
800+ 83.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
HUF75639S3ST HUF75639S3S-D.PDF
HUF75639S3ST
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+124.59 грн
500+ 82.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
HUF75639S3ST huf75639s3s-d.pdf
HUF75639S3ST
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+119.87 грн
10+ 105.64 грн
100+ 83.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
HUF75639S3ST_Q HUF75639S3S-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75639S3ST_Q - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 36800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+84.04 грн
Мінімальне замовлення: 800
HUF75639S3ST_Q ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HUF75639S3ST_Q
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 56A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 36800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
256+77.46 грн
Мінімальне замовлення: 256
HUF75639S3_NL FAIRS45736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75639S3_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
295+88.47 грн
Мінімальне замовлення: 295
HUF75639S3_NL FAIRS45736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HUF75639S3_NL
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
245+80.74 грн
Мінімальне замовлення: 245
HUF75639S
Виробник: INTERSIL
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75639S3S FAIRS16093-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: FAIRCHILD
SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75639S3S FAIRS16093-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: FAIRCHILD
TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75639S3S FAIRS16093-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75639S3S FAIRS16093-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: FAIRCHILD
07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75639P
Код товару: 61772
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
HUF75639P3
Код товару: 122687		 huf75639p3-1010619.pdf
HUF75639P3
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 56 A
Rds(on), Ohm: 25 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/9,8
Монтаж: THT
товар відсутній
HUF75639S3ST
Код товару: 163634		 huf75639g3-d.pdf ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
HUF75639G3 huf75639g3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
HUF75639G3 huf75639g3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
HUF75639G3 huf75639s3s-d.pdf
HUF75639G3
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
HUF75639G3 huf75639s3s-d.pdf
HUF75639G3
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
HUF75639G3 huf75639s3s-d.pdf
HUF75639G3
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
HUF75639P3 huf75639s3s-d.pdf
HUF75639P3
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75639P3 huf75639s3s-d.pdf
HUF75639P3
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75639P3 huf75639s3s-d.pdf
HUF75639P3
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75639P3-F102 huf75639s3s-d.pdf
HUF75639P3-F102
Виробник: ON Semiconductor
N-Channel MOSFET
товар відсутній
HUF75639S3 huf75639s3s-d.pdf
HUF75639S3
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товар відсутній
HUF75639S3 huf75639s3s-d.pdf
HUF75639S3
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товар відсутній
HUF75639S3S FAIRS16093-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HUF75639S3S
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75639S3S huf75639s3s-d.pdf
HUF75639S3S
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
товар відсутній
HUF75639S3ST HUF75639S3ST.pdf
HUF75639S3ST
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
HUF75639S3ST HUF75639S3ST.pdf
HUF75639S3ST
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
HUF75639S3ST huf75639g3-d.pdf
HUF75639S3ST
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75639S3ST huf75639s3s-d.pdf
HUF75639S3ST
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HUF75639S3ST huf75639s3s-d.pdf
HUF75639S3ST
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HUF75639S3ST-S2515 huf75639s3s-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
товар відсутній