Результат пошуку "ikw" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IKW15T120 Код товару: 119901 |
Infineon |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 1200 V Vce: 1,7 V Ic 25: 30 A Ic 100: 15 A Pd 25: 110 W td(on)/td(off) 100-150 град: 50/520 |
у наявності: 48 шт
|
|
|||||||||
IKW15N120T2 | Infineon |
IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW15N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Turn-off time: 457ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 235W Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 93nC Turn-on time: 57ns Technology: TRENCHSTOP™ 2 Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 60A Collector current: 30A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW20N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 85W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 28ns Turn-off time: 205ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW20N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 166W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 36ns Turn-off time: 299ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW20N60TFKSA1 | Infineon |
40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode IKW20N60T TIKW20n60t кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW25N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 349W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 156 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW25N120T2FKSA1 | Infineon |
50A; 1200V; 349W; IGBT w/ Diode IKW25N120T2 TIKW25n120t2 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW25T120FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Pulsed collector current: 75A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 190W Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 155nC Collector-emitter voltage: 1.2kV Kind of package: tube Collector current: 50A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW25T120FKSA1 | Infineon |
1200V 50A 190W IKW25T120FKSA1 INFINEON IKW25T120 TIKW25t120 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW30N60H3 | Infineon |
60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode IKW30N60H3 TIKW30n60h3 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW30N60H3 | Infineon |
60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode IKW30N60H3 TIKW30n60h3 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW30N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 94W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 165nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW30N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 39A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 167nC Kind of package: tube Turn-on time: 44ns Turn-off time: 0.3µs Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW30N60TFKSA1 | Infineon |
45A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode IKW30N60T TIKW30n60t кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW30N65ES5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 39.5A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Turn-on time: 29ns Turn-off time: 154ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW30N65WR5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 75W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 155nC Kind of package: tube Turn-on time: 51ns Turn-off time: 376ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW40N120CS6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 6 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 285nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW40N120H3 | Infineon |
80A; 1200V; 483W; IGBT w/ Diode IKW40N120H3 TIKW40n120h3 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW40N120T2 | Infineon |
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW40N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 480W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 165A Mounting: THT Gate charge: 192nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW40N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 153W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 223nC Kind of package: tube Turn-on time: 52ns Turn-off time: 218ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW40N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 74A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW40N65H5 | Infineon |
IGBT Chip N-CH Trench Field Stop 650V 74A 255W IKW40N65H5FKSA1 TIKW40n65h5 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW40N65WR5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 115W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 193nC Kind of package: tube Turn-on time: 60ns Turn-off time: 448ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW40T120FKSA1 | Infineon |
IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 75A 270W IKW40T120FKSA1 IKW40T120 TIKW40t120 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW50N60DTPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 61A Power dissipation: 159.6W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 249nC Kind of package: tube Turn-on time: 50ns Turn-off time: 233ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 175 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW50N60H3 | Infineon |
100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode IKW50N60H3 TIKW50n60h3 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW50N60H3 | Infineon |
100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode IKW50N60H3 TIKW50n60h3 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW50N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 167W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 315nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Turn-on time: 54ns Turn-off time: 297ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 78 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW50N60T | Infineon |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW50N60T | Infineon |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW50N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
IKW50N65H5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW50N65H5FKSA1 | Infineon |
80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode IKW50N65H5 TIKW50n65h5 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 101 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW50N65WR5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 141W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Turn-on time: 79ns Turn-off time: 420ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 112 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW75N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 75A Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Turn-on time: 85ns Turn-off time: 332ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW75N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 75A Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Turn-on time: 69ns Turn-off time: 401ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW75N60TFKSA1 | Infineon |
80A; 600V; 428W; IGBT w/ Diode IKW75N60T TIKW75n60t кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IKW03N120H2 | INF | 07+; |
на замовлення 3145 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
IKW03N120H2 | INF | TO-247 |
на замовлення 8640 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
IKW08N120 | Infineon |
на замовлення 480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
IKW08T120 | INFINEON | MODULE |
на замовлення 100087 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
IKW08T120 | Infineon technologies |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
IKW15T120T2 | MODULE |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
IKW20N60H3 | Infineon technologies |
на замовлення 140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
IKW25T120T2 | MODULE |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
IKW30N60DTP | Infineon |
на замовлення 91440 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
IKW30N65ES5 | Infineon |
на замовлення 22080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
IKW30N65H5 | Infineon technologies |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
IKW30N65WR5 | Infineon technologies |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
IKW40N60DTP | Infineon |
на замовлення 21840 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
IKW40N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | IKW40N60DT Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306mW TO-247 |
на замовлення 20 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||
IKW40N60H3 | Infineon technologies |
на замовлення 243 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
IKW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IKW40N60H3 IGBT 600V 80A 306.0W TO247-3 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||
IKW40N65H5 | Infineon technologies |
на замовлення 242 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
IKW40N65WR5 | Infineon technologies |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
IKW40T120 | INFINEON | 10+ TO-247 |
на замовлення 3240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
IKW40T120 | INFINEON | MODULE |
на замовлення 500094 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
IKW40T120 | Infineon technologies |
на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
IKW15T120 Код товару: 119901 |
Виробник: Infineon
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 1200 V
Vce: 1,7 V
Ic 25: 30 A
Ic 100: 15 A
Pd 25: 110 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 50/520
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 1200 V
Vce: 1,7 V
Ic 25: 30 A
Ic 100: 15 A
Pd 25: 110 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 50/520
у наявності: 48 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 155 грн |
10+ | 144 грн |
IKW15N120T2 |
Виробник: Infineon
IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
кількість в упаковці: 2 шт
IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 310.12 грн |
IKW15N120T2FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 491 грн |
3+ | 425.69 грн |
4+ | 312.99 грн |
9+ | 295.74 грн |
IKW20N60H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 312.29 грн |
3+ | 271.28 грн |
5+ | 200.44 грн |
14+ | 188.94 грн |
IKW20N60TFKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 331.76 грн |
3+ | 283.22 грн |
5+ | 235.77 грн |
12+ | 223.45 грн |
IKW20N60TFKSA1 |
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 158.48 грн |
IKW25N120T2FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 156 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 672.36 грн |
3+ | 444.46 грн |
7+ | 404.17 грн |
100+ | 389.39 грн |
IKW25N120T2FKSA1 |
Виробник: Infineon
50A; 1200V; 349W; IGBT w/ Diode IKW25N120T2 TIKW25n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
50A; 1200V; 349W; IGBT w/ Diode IKW25N120T2 TIKW25n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 264.24 грн |
IKW25T120FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 155nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Collector current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 155nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Collector current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 583 грн |
3+ | 382.18 грн |
8+ | 348.31 грн |
IKW25T120FKSA1 |
Виробник: Infineon
1200V 50A 190W IKW25T120FKSA1 INFINEON IKW25T120 TIKW25t120
кількість в упаковці: 2 шт
1200V 50A 190W IKW25T120FKSA1 INFINEON IKW25T120 TIKW25t120
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 236.77 грн |
IKW30N60H3 |
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 119.24 грн |
IKW30N60H3 |
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 119.24 грн |
IKW30N60H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 315.83 грн |
5+ | 209.01 грн |
13+ | 190.59 грн |
IKW30N60TFKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 441.46 грн |
3+ | 383.04 грн |
4+ | 303.95 грн |
9+ | 287.52 грн |
IKW30N60TFKSA1 |
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 233.53 грн |
IKW30N65ES5XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 39.5A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 39.5A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 420.22 грн |
3+ | 364.27 грн |
4+ | 255.48 грн |
11+ | 241.52 грн |
IKW30N65WR5XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 330.87 грн |
3+ | 286.64 грн |
5+ | 216.87 грн |
13+ | 204.55 грн |
IKW40N120CS6XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 635.2 грн |
3+ | 423.13 грн |
7+ | 384.46 грн |
IKW40N120H3 |
Виробник: Infineon
80A; 1200V; 483W; IGBT w/ Diode IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
80A; 1200V; 483W; IGBT w/ Diode IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 306.88 грн |
IKW40N120T2 |
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 400.19 грн |
IKW40N120T2FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 733.4 грн |
2+ | 542.56 грн |
5+ | 493.72 грн |
IKW40N60H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 485.69 грн |
3+ | 421.42 грн |
4+ | 310.52 грн |
9+ | 294.09 грн |
IKW40N65F5FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 418.45 грн |
3+ | 363.41 грн |
4+ | 266.16 грн |
10+ | 251.38 грн |
IKW40N65H5 |
Виробник: Infineon
IGBT Chip N-CH Trench Field Stop 650V 74A 255W IKW40N65H5FKSA1 TIKW40n65h5
кількість в упаковці: 5 шт
IGBT Chip N-CH Trench Field Stop 650V 74A 255W IKW40N65H5FKSA1 TIKW40n65h5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 204.7 грн |
IKW40N65WR5XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 361.83 грн |
3+ | 313.94 грн |
5+ | 229.2 грн |
12+ | 216.87 грн |
IKW40T120FKSA1 |
Виробник: Infineon
IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 75A 270W IKW40T120FKSA1 IKW40T120 TIKW40t120
кількість в упаковці: 2 шт
IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 75A 270W IKW40T120FKSA1 IKW40T120 TIKW40t120
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 371.19 грн |
IKW50N60DTPXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 301.68 грн |
3+ | 256.78 грн |
5+ | 214.41 грн |
13+ | 202.91 грн |
IKW50N60H3 |
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 184.06 грн |
IKW50N60H3 |
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 184.06 грн |
IKW50N60H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 481.27 грн |
3+ | 355.74 грн |
8+ | 323.67 грн |
IKW50N60T |
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 263.38 грн |
IKW50N60T |
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 263.38 грн |
IKW50N65F5FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW50N65H5FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 341.49 грн |
3+ | 290.9 грн |
4+ | 243.16 грн |
11+ | 229.2 грн |
IKW50N65H5FKSA1 |
на замовлення 101 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 236.26 грн |
IKW50N65WR5XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 432.61 грн |
3+ | 375.36 грн |
4+ | 276.84 грн |
10+ | 261.23 грн |
IKW75N60H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 786.48 грн |
2+ | 581.8 грн |
3+ | 559.43 грн |
5+ | 529.04 грн |
IKW75N60TFKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 801.52 грн |
2+ | 592.89 грн |
3+ | 570.11 грн |
5+ | 538.9 грн |
IKW75N60TFKSA1 |
на замовлення 31 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 341 грн |
IKW40N60DTPXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IKW40N60DT Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306mW TO-247
IKW40N60DT Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306mW TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)IKW40N60H3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IKW40N60H3 IGBT 600V 80A 306.0W TO247-3
IKW40N60H3 IGBT 600V 80A 306.0W TO247-3
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]