Результат пошуку "irf64" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 170
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 268
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 281
Мінімальне замовлення: 193
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 188
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 128
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 181
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 153
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 151
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 103
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 88
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 118
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF640 Код товару: 7926 |
Philips |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70 Монтаж: THT |
у наявності: 458 шт
|
|
|||||||||||||||||||
IRF640 Код товару: 192240 |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 11 A Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1600/57 Монтаж: THT |
у наявності: 52 шт
|
|
||||||||||||||||||||
IRF640NPBF Код товару: 42934 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 Монтаж: THT |
у наявності: 589 шт
|
|
|||||||||||||||||||
IRF640NSPBF Код товару: 116935 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 Монтаж: SMD |
у наявності: 24 шт
|
|
|||||||||||||||||||
IRF644PBF Код товару: 181182 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 250 V Idd,A: 14 A Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm Монтаж: THT |
у наявності: 15 шт
|
|
|||||||||||||||||||
IRF640 | IR | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm |
на замовлення 15 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640 | транзистор 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs TO-220 |
на замовлення 66 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
IRF640 | SLKOR |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640; 18A; 200V; 0,18R; 125W; N-канальный; корпус: ТО220; STM |
на замовлення 983 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF640N | HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640N | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640N | International Rectifier |
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640NL | International Rectifier |
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 44.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1432 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640NPBF | IR | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца) |
на замовлення 386 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 44.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1432 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 25995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640NPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC |
на замовлення 37386 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 25995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 25995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 14089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640NS | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640NSPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 18 А; Ptot, Вт = 150; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25; Qg, нКл = 67 @ 10 В; Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK |
на замовлення 262 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 750 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC |
на замовлення 10498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640NSTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640NSTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640PBF | VISHAY | N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220 |
на замовлення 76 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRF640PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 200V N-CH MOSFET TO220IDF |
на замовлення 8071 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640PBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 200V N-CH HEXFET |
на замовлення 6243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640S | Siliconix |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 130W; -55°C ~ 150°C; IRF640S TIRF640s кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 130W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Power dissipation: 130W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 130W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Power dissipation: 130W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640SPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640SPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRF640SPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRF640SPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Chan 200V 18 Amp |
на замовлення 5194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640SPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRF640 Код товару: 7926 |
Виробник: Philips
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
у наявності: 458 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 27 грн |
10+ | 23.1 грн |
IRF640 Код товару: 192240 |
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 11 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/57
Монтаж: THT
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 11 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/57
Монтаж: THT
у наявності: 52 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 27 грн |
10+ | 25.6 грн |
IRF640NPBF Код товару: 42934 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
у наявності: 589 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 28 грн |
10+ | 25.2 грн |
100+ | 22.5 грн |
IRF640NSPBF Код товару: 116935 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: SMD
у наявності: 24 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 53 грн |
10+ | 49 грн |
IRF644PBF Код товару: 181182 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 15 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 42 грн |
IRF640 |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 39.7 грн |
10+ | 32.62 грн |
IRF640 |
транзистор 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs TO-220
на замовлення 66 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 113.26 грн |
IRF640 |
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 23.71 грн |
IRF640; 18A; 200V; 0,18R; 125W; N-канальный; корпус: ТО220; STM |
на замовлення 983 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 22.18 грн |
IRF640N |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 21.32 грн |
IRF640N |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 29.85 грн |
IRF640N |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 32.24 грн |
IRF640NL |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 32.24 грн |
IRF640NPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 75.94 грн |
8+ | 47.44 грн |
10+ | 39.64 грн |
24+ | 33.89 грн |
65+ | 32.04 грн |
IRF640NPBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца)
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца)
на замовлення 386 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 60.98 грн |
10+ | 51.48 грн |
IRF640NPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 91.12 грн |
5+ | 59.12 грн |
10+ | 47.56 грн |
24+ | 40.66 грн |
65+ | 38.45 грн |
IRF640NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 75.62 грн |
10+ | 63.63 грн |
100+ | 50.49 грн |
500+ | 42.06 грн |
1000+ | 33.01 грн |
2000+ | 30.38 грн |
5000+ | 29.79 грн |
10000+ | 28.87 грн |
25000+ | 28.81 грн |
IRF640NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 60.28 грн |
11+ | 56.08 грн |
100+ | 44.69 грн |
500+ | 37.08 грн |
1000+ | 29.04 грн |
IRF640NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 37386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 77.44 грн |
10+ | 63.56 грн |
100+ | 44.1 грн |
500+ | 37.33 грн |
1000+ | 30.43 грн |
2000+ | 28.65 грн |
10000+ | 28 грн |
IRF640NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
170+ | 68.67 грн |
214+ | 54.49 грн |
500+ | 47.07 грн |
1000+ | 38.48 грн |
2000+ | 34.15 грн |
5000+ | 32.15 грн |
10000+ | 31.16 грн |
25000+ | 31.09 грн |
IRF640NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 71.21 грн |
10+ | 59.91 грн |
100+ | 47.55 грн |
IRF640NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
268+ | 43.6 грн |
IRF640NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 23.08 грн |
IRF640NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
281+ | 41.52 грн |
312+ | 37.36 грн |
324+ | 36 грн |
500+ | 33.12 грн |
1000+ | 29.28 грн |
2000+ | 26.94 грн |
4000+ | 25.61 грн |
8000+ | 25.53 грн |
IRF640NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
193+ | 60.39 грн |
242+ | 48.13 грн |
500+ | 41.41 грн |
1000+ | 33.78 грн |
IRF640NS |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 64.65 грн |
IRF640NSPBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 18 А; Ptot, Вт = 150; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25; Qg, нКл = 67 @ 10 В; Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 18 А; Ptot, Вт = 150; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25; Qg, нКл = 67 @ 10 В; Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
на замовлення 262 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 25.96 грн |
26+ | 24.23 грн |
100+ | 22.5 грн |
IRF640NSTRLPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 69.14 грн |
16+ | 52.03 грн |
43+ | 48.6 грн |
IRF640NSTRLPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 99.97 грн |
5+ | 86.16 грн |
16+ | 62.43 грн |
43+ | 58.33 грн |
800+ | 57.5 грн |
IRF640NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 112.93 грн |
10+ | 91.35 грн |
100+ | 74.8 грн |
IRF640NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 10498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 111.94 грн |
10+ | 89.18 грн |
100+ | 63.55 грн |
800+ | 45.41 грн |
2400+ | 41.8 грн |
IRF640NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 56.75 грн |
IRF640NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 24.23 грн |
IRF640NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
188+ | 62.09 грн |
197+ | 59.28 грн |
221+ | 52.88 грн |
230+ | 49.02 грн |
500+ | 45.31 грн |
1600+ | 39.75 грн |
3200+ | 38.59 грн |
IRF640NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 56.38 грн |
IRF640NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 53.44 грн |
IRF640NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 61.25 грн |
IRF640NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
128+ | 91.52 грн |
129+ | 90.61 грн |
205+ | 56.95 грн |
IRF640NSTRRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 64.89 грн |
10+ | 59.96 грн |
25+ | 59.35 грн |
50+ | 56.66 грн |
100+ | 37.85 грн |
IRF640NSTRRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
181+ | 64.57 грн |
183+ | 63.92 грн |
184+ | 63.28 грн |
IRF640PBF |
Виробник: VISHAY
N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
на замовлення 76 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 64.8 грн |
IRF640PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF640PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
153+ | 76.41 грн |
155+ | 75.26 грн |
157+ | 74.37 грн |
170+ | 66.3 грн |
IRF640PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 23.77 грн |
IRF640PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
151+ | 77.37 грн |
155+ | 75.49 грн |
158+ | 74.01 грн |
175+ | 64.5 грн |
500+ | 45.43 грн |
IRF640PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 117.47 грн |
10+ | 105.3 грн |
25+ | 102.03 грн |
50+ | 96.02 грн |
100+ | 76.22 грн |
IRF640PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V N-CH MOSFET TO220IDF
MOSFET 200V N-CH MOSFET TO220IDF
на замовлення 8071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 118.08 грн |
10+ | 96.74 грн |
100+ | 78.86 грн |
IRF640PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
103+ | 113.4 грн |
106+ | 109.87 грн |
109+ | 107.23 грн |
127+ | 88.65 грн |
IRF640PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 74.63 грн |
10+ | 70.95 грн |
25+ | 69.88 грн |
50+ | 66.59 грн |
100+ | 57.01 грн |
IRF640PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 76.19 грн |
10+ | 71 грн |
25+ | 69.28 грн |
50+ | 65.49 грн |
100+ | 54.81 грн |
500+ | 40.03 грн |
IRF640PBF-BE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
88+ | 132.54 грн |
100+ | 126.61 грн |
250+ | 121.54 грн |
500+ | 112.97 грн |
IRF640PBF-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 200V N-CH HEXFET
MOSFET 200V N-CH HEXFET
на замовлення 6243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 115.01 грн |
10+ | 94.47 грн |
100+ | 65.39 грн |
250+ | 64.8 грн |
1000+ | 64.21 грн |
IRF640S |
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 130W; -55°C ~ 150°C; IRF640S TIRF640s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 130W; -55°C ~ 150°C; IRF640S TIRF640s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 42.48 грн |
IRF640SPBF |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 130W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 130W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 76.67 грн |
10+ | 65.03 грн |
16+ | 49.29 грн |
44+ | 46.55 грн |
IRF640SPBF |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 130W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 130W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 92.01 грн |
10+ | 81.04 грн |
16+ | 59.15 грн |
44+ | 55.86 грн |
IRF640SPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
118+ | 99.44 грн |
137+ | 85.05 грн |
148+ | 78.74 грн |
IRF640SPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF640SPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF640SPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
на замовлення 5194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 138.78 грн |
10+ | 99.01 грн |
100+ | 76.23 грн |
1000+ | 73.61 грн |
2000+ | 72.29 грн |
IRF640SPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 126.57 грн |
10+ | 95.31 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]