Результат пошуку "irf734" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 146
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 172
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 128
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 22
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 23
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 210
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 123
Мінімальне замовлення: 145
Мінімальне замовлення: 183
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4000
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7341TRPBF Код товару: 25204 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 4,7 A Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 740/24 Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
у наявності: 8 шт
очікується:
200 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRF7342TRPBF Код товару: 31772 |
IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 55 V Id,A: 3,4 A Rds(on),Om: 0,105 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 690/26 Монтаж: SMD |
у наявності: 85 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRF7343PBF Код товару: 32395 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Rds(on), Ohm: 0,050 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 740/24 Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
у наявності: 169 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRF7341 | SLKOR |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 SLKOR TIRF7341 SLK кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7341 | JSMicro Semiconductor |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 JSMICRO TIRF7341 JSM кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7341GTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7341GTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7341GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET PLANAR 40<-<100V |
на замовлення 14633 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7341GTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7341GTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7341PBF | Infineon | Транз. Пол. ММ 2 N-Channel (Dual) MOSFET SOIC8 Udss=55V; Id=4,7A; Pdmax=2W; Rds=50 mOhm @ 4.7A, 10V |
на замовлення 206 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7341TR | International Rectifier |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF7341 smd TIRF7341 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 590 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7341TR | UMW |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341TR UMW TIRF7341 UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7341TR 4828. | HXY MOSFET |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 48mOhm; 6,5A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; HXY4828S (IRF7341TR) HXY MOSFET TIRF7341 HXY кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7341TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7341TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT DUAL NCh 55V 4.7A |
на замовлення 31716 шт: термін постачання 525-534 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7341TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7341TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET |
на замовлення 3683 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7341TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7342PBF | IR | Транз. Пол. ММ 2P-Channel SO8 -55V -3,4A 2W 105mOhm |
на замовлення 14 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7342TR | UMW |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7342; IRF7342TR; SP001571984; SP001566208; IRF7342TR UMW TIRF7342 UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7342TR | Infineon |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7342TR; IRF7342; IRF7342-GURT; IRF7342 smd; IRF7342TR TIRF7342 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1372 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7342TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -3.4A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7342TRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ 2P-Channel SO8 -55V -3,4A 2W 105mOhm |
на замовлення 3489 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7342TRPBF | International Rectifier/Infineon | 2P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 3,4 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8 |
на замовлення 829 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7342TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -3.4A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 765 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7342TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF7342TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7342TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7342TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF7342TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A |
на замовлення 273 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7342TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7342TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7343PBF | International Rectifier/Infineon | Транзистор польовий N+P; Udss, В = 55; Id = 4,7 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25; Qg, нКл = 36 @ 10 В; Rds = 50 мОм @ 4.7 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Id2 = 3,4 А; SOICN-8 |
на замовлення 65 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7343TR | International Rectifier |
Transistor 2xN/P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm/170mOhm; 4,7A/3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF7343 smd TIRF7343 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 530 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7343TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55/-55V Drain current: 4.7/-3.4A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50/105mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7343TRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(55; -55)V; Id=(+4,7; -3,4)A; Pdmax=2W; Rds=(0,05; 0,105) Ohm |
на замовлення 3476 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7343TRPBF | International Rectifier/Infineon | Транзистор польовий N+P; Udss, В = 55; Id = 4,7 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25; Qg, нКл = 36 @ 10 В; Rds = 50 мОм @ 4,7 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Id2 = 3,4 А; SOICN-8 |
на замовлення 273 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7343TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55/-55V Drain current: 4.7/-3.4A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50/105mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3992 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7343TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 8674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7343TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF7343TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7343TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7343TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7343TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7343TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7343TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A |
на замовлення 25009 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7343TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7340 | IOR | 01+ SOP |
на замовлення 163 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF7341 | IOR |
на замовлення 148 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
IRF7341 | IR | 07+ SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF7341 | IOR | 09+ |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF7341 | IR | 09+ |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF7341 | IOR | 09+ SO-8 |
на замовлення 1078 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF7341 | IR | SO-8 |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF7341 | IR | 05+ SOP-8; |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF7341ITRPBF | IR |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
IRF7341Q | IR |
на замовлення 12520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
IRF7341Q | IR | 07+ SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF7341Q | IR | SO-8 |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
IRF7341TRPBF Код товару: 25204 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 8 шт
очікується:
200 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 33 грн |
10+ | 29.5 грн |
IRF7342TRPBF Код товару: 31772 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Id,A: 3,4 A
Rds(on),Om: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Id,A: 3,4 A
Rds(on),Om: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Монтаж: SMD
у наявності: 85 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 30 грн |
10+ | 27 грн |
IRF7343PBF Код товару: 32395 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Rds(on), Ohm: 0,050 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Rds(on), Ohm: 0,050 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 169 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 32 грн |
10+ | 28.8 грн |
100+ | 25.9 грн |
IRF7341 |
Виробник: SLKOR
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 SLKOR TIRF7341 SLK
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 SLKOR TIRF7341 SLK
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 10.51 грн |
IRF7341 |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 JSMICRO TIRF7341 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 JSMICRO TIRF7341 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 16 грн |
IRF7341GTRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 40.76 грн |
IRF7341GTRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 47.1 грн |
IRF7341GTRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET PLANAR 40<-<100V
MOSFET PLANAR 40<-<100V
на замовлення 14633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 129.17 грн |
10+ | 103.69 грн |
100+ | 74.26 грн |
250+ | 73.59 грн |
500+ | 61.53 грн |
1000+ | 50.12 грн |
2500+ | 49.53 грн |
IRF7341GTRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 47.35 грн |
IRF7341GTRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 62.18 грн |
IRF7341PBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ 2 N-Channel (Dual) MOSFET SOIC8 Udss=55V; Id=4,7A; Pdmax=2W; Rds=50 mOhm @ 4.7A, 10V
Транз. Пол. ММ 2 N-Channel (Dual) MOSFET SOIC8 Udss=55V; Id=4,7A; Pdmax=2W; Rds=50 mOhm @ 4.7A, 10V
на замовлення 206 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 26.28 грн |
12+ | 22.37 грн |
IRF7341TR |
Виробник: International Rectifier
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF7341 smd TIRF7341
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF7341 smd TIRF7341
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 590 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 21.73 грн |
IRF7341TR |
Виробник: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341TR UMW TIRF7341 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341TR UMW TIRF7341 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 14.31 грн |
IRF7341TR 4828. |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 48mOhm; 6,5A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; HXY4828S (IRF7341TR) HXY MOSFET TIRF7341 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 48mOhm; 6,5A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; HXY4828S (IRF7341TR) HXY MOSFET TIRF7341 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 12.63 грн |
IRF7341TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
146+ | 79 грн |
153+ | 75.46 грн |
250+ | 72.44 грн |
500+ | 67.33 грн |
1000+ | 60.3 грн |
IRF7341TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL NCh 55V 4.7A
MOSFET MOSFT DUAL NCh 55V 4.7A
на замовлення 31716 шт:
термін постачання 525-534 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 78.12 грн |
10+ | 63.21 грн |
100+ | 42.76 грн |
500+ | 36.27 грн |
1000+ | 29.5 грн |
2000+ | 27.78 грн |
4000+ | 26.19 грн |
IRF7341TRPBFXTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 75.55 грн |
10+ | 62.16 грн |
25+ | 60.23 грн |
100+ | 46.94 грн |
250+ | 42.6 грн |
500+ | 34.08 грн |
1000+ | 27.34 грн |
3000+ | 22.64 грн |
IRF7341TRPBFXTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET
MOSFET
на замовлення 3683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 78.12 грн |
10+ | 63.21 грн |
100+ | 42.76 грн |
500+ | 36.27 грн |
1000+ | 29.5 грн |
4000+ | 26.19 грн |
IRF7341TRPBFXTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
172+ | 66.94 грн |
178+ | 64.86 грн |
220+ | 52.42 грн |
250+ | 49.55 грн |
500+ | 38.24 грн |
1000+ | 29.44 грн |
3000+ | 24.38 грн |
IRF7342PBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2P-Channel SO8 -55V -3,4A 2W 105mOhm
Транз. Пол. ММ 2P-Channel SO8 -55V -3,4A 2W 105mOhm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 39.88 грн |
10+ | 33.66 грн |
IRF7342TR |
Виробник: UMW
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7342; IRF7342TR; SP001571984; SP001566208; IRF7342TR UMW TIRF7342 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7342; IRF7342TR; SP001571984; SP001566208; IRF7342TR UMW TIRF7342 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 18.36 грн |
IRF7342TR |
Виробник: Infineon
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7342TR; IRF7342; IRF7342-GURT; IRF7342 smd; IRF7342TR TIRF7342
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7342TR; IRF7342; IRF7342-GURT; IRF7342 smd; IRF7342TR TIRF7342
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 24.42 грн |
IRF7342TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 63.89 грн |
10+ | 36.95 грн |
25+ | 31.15 грн |
30+ | 26.67 грн |
83+ | 25.21 грн |
IRF7342TRPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ 2P-Channel SO8 -55V -3,4A 2W 105mOhm
Транз. Пол. ММ 2P-Channel SO8 -55V -3,4A 2W 105mOhm
на замовлення 3489 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 49.27 грн |
10+ | 40.66 грн |
IRF7342TRPBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 3,4 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
2P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 3,4 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 829 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 44.12 грн |
16+ | 41.17 грн |
100+ | 38.24 грн |
IRF7342TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 765 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 76.67 грн |
6+ | 46.04 грн |
25+ | 37.38 грн |
30+ | 32 грн |
83+ | 30.25 грн |
IRF7342TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF7342TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 33.63 грн |
8000+ | 32.08 грн |
IRF7342TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
128+ | 90.34 грн |
141+ | 82 грн |
167+ | 68.87 грн |
200+ | 62.81 грн |
500+ | 52.26 грн |
1000+ | 42.2 грн |
IRF7342TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF7342TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A
MOSFET MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 86.63 грн |
10+ | 64.96 грн |
100+ | 45.35 грн |
500+ | 39.05 грн |
1000+ | 32.55 грн |
2000+ | 30.96 грн |
4000+ | 29.97 грн |
IRF7342TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 36.22 грн |
8000+ | 34.55 грн |
IRF7342TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 76.09 грн |
10+ | 63.63 грн |
25+ | 31.16 грн |
IRF7343PBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
Транзистор польовий N+P; Udss, В = 55; Id = 4,7 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25; Qg, нКл = 36 @ 10 В; Rds = 50 мОм @ 4.7 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Id2 = 3,4 А; SOICN-8
Транзистор польовий N+P; Udss, В = 55; Id = 4,7 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25; Qg, нКл = 36 @ 10 В; Rds = 50 мОм @ 4.7 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Id2 = 3,4 А; SOICN-8
на замовлення 65 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 29.11 грн |
23+ | 27.18 грн |
100+ | 25.23 грн |
IRF7343TR |
Виробник: International Rectifier
Transistor 2xN/P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm/170mOhm; 4,7A/3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF7343 smd TIRF7343
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor 2xN/P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm/170mOhm; 4,7A/3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF7343 smd TIRF7343
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 530 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 60.47 грн |
IRF7343TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 65.75 грн |
10+ | 51.73 грн |
25+ | 40.61 грн |
39+ | 20.72 грн |
107+ | 19.54 грн |
IRF7343TRPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(55; -55)V; Id=(+4,7; -3,4)A; Pdmax=2W; Rds=(0,05; 0,105) Ohm
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(55; -55)V; Id=(+4,7; -3,4)A; Pdmax=2W; Rds=(0,05; 0,105) Ohm
на замовлення 3476 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 27.37 грн |
11+ | 23.38 грн |
IRF7343TRPBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
Транзистор польовий N+P; Udss, В = 55; Id = 4,7 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25; Qg, нКл = 36 @ 10 В; Rds = 50 мОм @ 4,7 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Id2 = 3,4 А; SOICN-8
Транзистор польовий N+P; Udss, В = 55; Id = 4,7 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25; Qg, нКл = 36 @ 10 В; Rds = 50 мОм @ 4,7 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Id2 = 3,4 А; SOICN-8
на замовлення 273 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 27.8 грн |
25+ | 25.94 грн |
100+ | 24.09 грн |
IRF7343TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3992 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 78.9 грн |
10+ | 64.46 грн |
25+ | 48.73 грн |
39+ | 24.86 грн |
107+ | 23.45 грн |
IRF7343TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
210+ | 54.79 грн |
230+ | 50 грн |
272+ | 42.34 грн |
287+ | 38.7 грн |
500+ | 32.33 грн |
1000+ | 26.2 грн |
4000+ | 23.56 грн |
8000+ | 23.23 грн |
IRF7343TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF7343TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 69.18 грн |
10+ | 58.35 грн |
25+ | 57.8 грн |
100+ | 44.27 грн |
250+ | 40.62 грн |
500+ | 33.26 грн |
1000+ | 23.26 грн |
IRF7343TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 29.35 грн |
8000+ | 25.65 грн |
IRF7343TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
123+ | 93.93 грн |
129+ | 89.73 грн |
250+ | 86.13 грн |
500+ | 80.05 грн |
1000+ | 71.71 грн |
2500+ | 66.8 грн |
IRF7343TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
145+ | 79.6 грн |
160+ | 72.23 грн |
190+ | 60.64 грн |
201+ | 55.34 грн |
500+ | 46.02 грн |
1000+ | 37.11 грн |
4000+ | 33.26 грн |
IRF7343TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
183+ | 62.84 грн |
185+ | 62.25 грн |
233+ | 49.45 грн |
250+ | 47.24 грн |
500+ | 37.31 грн |
1000+ | 25.05 грн |
IRF7343TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A
на замовлення 25009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 78.9 грн |
10+ | 64.43 грн |
100+ | 43.63 грн |
500+ | 36.93 грн |
1000+ | 29.64 грн |
2000+ | 28.38 грн |
4000+ | 26.98 грн |
IRF7343TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 31.61 грн |
8000+ | 27.62 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]