Результат пошуку "ixtp" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 300
Мінімальне замовлення: 87
Мінімальне замовлення: 300
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 36
Мінімальне замовлення: 36
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTP01N100D | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.1A Power dissipation: 25W Case: TO220AB On-state resistance: 80Ω Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 2ns |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP01N100D | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.1A Power dissipation: 25W Case: TO220AB On-state resistance: 80Ω Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 2ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 51 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP01N100D | IXYS | MOSFET 0.1 Amps 1000V 110 Rds |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP02N120P | IXYS | MOSFET 500V to 1200V Polar Power MOSFET |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP02N120P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP02N120P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP02N120P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP02N50D | IXYS | MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP05N100 | IXYS | MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP08N100P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.8A Power dissipation: 42W Case: TO220AB On-state resistance: 20Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 750ns |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP08N100P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.8A Power dissipation: 42W Case: TO220AB On-state resistance: 20Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 750ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP08N120P | IXYS | MOSFET 0.8 Amps 1200V 25 Rds |
на замовлення 3503 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP100N04T2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 150W Case: TO220AB On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 34ns |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP100N04T2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 150W Case: TO220AB On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 34ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP100N04T2 | IXYS | MOSFET 100 Amps 40V |
на замовлення 271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP10N60P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 200W Case: TO220AB On-state resistance: 0.74Ω Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 0.5µs |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP10N60P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 200W Case: TO220AB On-state resistance: 0.74Ω Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 0.5µs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP10N60P | IXYS | MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds |
на замовлення 298 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP10P15T | IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -10A Power dissipation: 83W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 120ns |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP10P15T | IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -10A Power dissipation: 83W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 120ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP10P15T | IXYS | MOSFET TenchP Power MOSFET |
на замовлення 311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP10P50P | IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -500V Drain current: -10A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 414ns |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP10P50P | IXYS | MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds |
на замовлення 313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP110N055T2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 180W Case: TO220AB On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 38ns |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP110N055T2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 180W Case: TO220AB On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 38ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 89 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP120N20X4 | IXYS | MOSFET 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET |
на замовлення 881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP120P065T | IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -65V Drain current: -120A Power dissipation: 298W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 53ns |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP120P065T | IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -65V Drain current: -120A Power dissipation: 298W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 53ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 125 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP120P065T | IXYS | MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds |
на замовлення 676 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP12N50P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 300ns |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP12N50P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 300ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP12N50PM | IXYS/Littelfuse | N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 6 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 1830; Qg, нКл = 29; Rds = 0,5 Ом; Ugs(th) = 5,5 В; Р, Вт = 50 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-220-3 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP12N70X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 180W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 12A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 180W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP12N70X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 180W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 12A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 180W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP12N70X2M | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 12A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP12N70X2M | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 12A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP130N10T | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB; 67ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Power dissipation: 360W Case: TO220AB On-state resistance: 9.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 104nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 67ns |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP130N10T | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB; 67ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Power dissipation: 360W Case: TO220AB On-state resistance: 9.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 104nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 67ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP130N15X4 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 400W; TO220AB; 93ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 130A Power dissipation: 400W Case: TO220AB On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 93ns |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP130N15X4 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 400W; TO220AB; 93ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 130A Power dissipation: 400W Case: TO220AB On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 93ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP130N15X4 | IXYS | MOSFET MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44 |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP140P05T | IXYS | MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds |
на замовлення 2064 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP14N60X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 180W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP14N60X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 180W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP150N15X4 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 150A Power dissipation: 480W Case: TO220AB On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 100ns |
на замовлення 206 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP150N15X4 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 150A Power dissipation: 480W Case: TO220AB On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 100ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 206 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP15N50L2 | IXYS | MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A |
на замовлення 1133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP15P15T | IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -15A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 116ns |
на замовлення 199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP15P15T | IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -15A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 116ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 199 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP15P15T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 150V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP15P15T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 150V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP160N10T | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 160A Power dissipation: 430W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 132nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 60ns |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP160N10T | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 160A Power dissipation: 430W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 132nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 60ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP16N50P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 400ns |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP16N50P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 400ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 239 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP16N50P | IXYS | MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds |
на замовлення 288 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP170N075T2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO220AB; 63ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 170A Power dissipation: 360W Case: TO220AB On-state resistance: 5.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 109nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 63ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 54 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP180N10T | IXYS | MOSFET MOSFET Id180 BVdass100 |
на замовлення 358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP18P10T | IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -18A Power dissipation: 83W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 62ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 276 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP18P10T | IXYS | MOSFET 18 Amps 100V 0.12 Rds |
на замовлення 484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
IXTP01N100D |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 2ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 2ns
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 470.61 грн |
3+ | 297.51 грн |
8+ | 281.71 грн |
IXTP01N100D |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 2ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 2ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 564.73 грн |
3+ | 370.74 грн |
8+ | 338.05 грн |
IXTP01N100D |
Виробник: IXYS
MOSFET 0.1 Amps 1000V 110 Rds
MOSFET 0.1 Amps 1000V 110 Rds
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 491.74 грн |
10+ | 414.93 грн |
50+ | 327.83 грн |
100+ | 300.78 грн |
250+ | 282.97 грн |
500+ | 269.12 грн |
1000+ | 245.37 грн |
IXTP02N120P |
Виробник: IXYS
MOSFET 500V to 1200V Polar Power MOSFET
MOSFET 500V to 1200V Polar Power MOSFET
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 189.31 грн |
10+ | 156.26 грн |
100+ | 107.52 грн |
250+ | 99.6 грн |
500+ | 90.37 грн |
1000+ | 77.17 грн |
2500+ | 76.51 грн |
IXTP02N120P |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
300+ | 80.03 грн |
IXTP02N120P |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
87+ | 132.82 грн |
500+ | 112.7 грн |
IXTP02N120P |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
300+ | 123.33 грн |
500+ | 104.65 грн |
IXTP02N50D |
Виробник: IXYS
MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds
MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 475.58 грн |
10+ | 393.69 грн |
50+ | 323.21 грн |
100+ | 277.04 грн |
250+ | 261.21 грн |
500+ | 246.03 грн |
1000+ | 211.07 грн |
IXTP05N100 |
Виробник: IXYS
MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds
MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 202.39 грн |
10+ | 167.64 грн |
50+ | 137.86 грн |
100+ | 118.07 грн |
250+ | 114.11 грн |
500+ | 104.88 грн |
1000+ | 91.03 грн |
IXTP08N100P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 119.55 грн |
IXTP08N100P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 170.48 грн |
3+ | 148.98 грн |
9+ | 107.19 грн |
25+ | 101.41 грн |
IXTP08N120P |
Виробник: IXYS
MOSFET 0.8 Amps 1200V 25 Rds
MOSFET 0.8 Amps 1200V 25 Rds
на замовлення 3503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 284.73 грн |
10+ | 235.91 грн |
50+ | 193.27 грн |
100+ | 165.56 грн |
250+ | 156.33 грн |
500+ | 147.09 грн |
1000+ | 126.64 грн |
IXTP100N04T2 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 133.93 грн |
4+ | 112 грн |
10+ | 84.51 грн |
26+ | 79.7 грн |
IXTP100N04T2 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 160.72 грн |
3+ | 139.56 грн |
10+ | 101.41 грн |
26+ | 95.64 грн |
IXTP100N04T2 |
Виробник: IXYS
MOSFET 100 Amps 40V
MOSFET 100 Amps 40V
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 189.31 грн |
10+ | 156.26 грн |
100+ | 107.52 грн |
250+ | 99.6 грн |
500+ | 90.37 грн |
IXTP10N60P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 215.32 грн |
3+ | 179.33 грн |
6+ | 136.04 грн |
10+ | 135.36 грн |
IXTP10N60P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 258.39 грн |
3+ | 223.47 грн |
6+ | 163.25 грн |
10+ | 162.43 грн |
17+ | 154.18 грн |
IXTP10N60P |
Виробник: IXYS
MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 273.96 грн |
10+ | 226.81 грн |
50+ | 185.35 грн |
100+ | 162.92 грн |
IXTP10P15T |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -10A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -10A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 147.72 грн |
7+ | 127.11 грн |
18+ | 120.24 грн |
IXTP10P15T |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -10A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -10A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 216.66 грн |
3+ | 184.09 грн |
7+ | 152.53 грн |
18+ | 144.29 грн |
IXTP10P15T |
Виробник: IXYS
MOSFET TenchP Power MOSFET
MOSFET TenchP Power MOSFET
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 257.03 грн |
10+ | 213.15 грн |
50+ | 174.14 грн |
100+ | 155.67 грн |
IXTP10P50P |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 414ns
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 414ns
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 363.31 грн |
3+ | 298.2 грн |
4+ | 255.6 грн |
9+ | 241.86 грн |
IXTP10P50P |
Виробник: IXYS
MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 470.19 грн |
50+ | 370.17 грн |
IXTP110N055T2 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 123.68 грн |
9+ | 93.44 грн |
24+ | 87.95 грн |
IXTP110N055T2 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 177.59 грн |
3+ | 154.12 грн |
9+ | 112.13 грн |
24+ | 105.54 грн |
IXTP120N20X4 |
Виробник: IXYS
MOSFET 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
MOSFET 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 591.01 грн |
10+ | 513.54 грн |
50+ | 379.28 грн |
100+ | 366.74 грн |
500+ | 329.8 грн |
1000+ | 291.55 грн |
IXTP120P065T |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 53ns
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 53ns
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 381.07 грн |
3+ | 318.12 грн |
4+ | 241.17 грн |
10+ | 227.43 грн |
IXTP120P065T |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 53ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 53ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 457.29 грн |
3+ | 396.43 грн |
4+ | 289.4 грн |
10+ | 272.91 грн |
IXTP120P065T |
Виробник: IXYS
MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds
MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 434.79 грн |
10+ | 367.9 грн |
50+ | 289.57 грн |
100+ | 266.48 грн |
250+ | 249.99 грн |
500+ | 234.82 грн |
1000+ | 233.5 грн |
IXTP12N50P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 210.14 грн |
3+ | 175.21 грн |
IXTP12N50P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 252.17 грн |
3+ | 218.34 грн |
6+ | 159.13 грн |
17+ | 150.89 грн |
IXTP12N50PM |
Виробник: IXYS/Littelfuse
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 6 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 1830; Qg, нКл = 29; Rds = 0,5 Ом; Ugs(th) = 5,5 В; Р, Вт = 50 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-220-3
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 6 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 1830; Qg, нКл = 29; Rds = 0,5 Ом; Ugs(th) = 5,5 В; Р, Вт = 50 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-220-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 143.35 грн |
10+ | 133.8 грн |
100+ | 124.24 грн |
IXTP12N70X2 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 279.7 грн |
3+ | 233.61 грн |
5+ | 176.58 грн |
13+ | 167.65 грн |
IXTP12N70X2 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 335.64 грн |
3+ | 291.12 грн |
5+ | 211.9 грн |
13+ | 201.18 грн |
IXTP12N70X2M |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 279.7 грн |
3+ | 233.61 грн |
5+ | 169.71 грн |
13+ | 160.78 грн |
IXTP12N70X2M |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 335.64 грн |
3+ | 291.12 грн |
5+ | 203.65 грн |
13+ | 192.94 грн |
IXTP130N10T |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB; 67ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 67ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB; 67ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 67ns
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 204.96 грн |
3+ | 171.09 грн |
7+ | 132.61 грн |
17+ | 125.05 грн |
IXTP130N10T |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB; 67ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 67ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB; 67ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 67ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 245.96 грн |
3+ | 213.2 грн |
7+ | 159.13 грн |
17+ | 150.06 грн |
IXTP130N15X4 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 400W; TO220AB; 93ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 93ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 400W; TO220AB; 93ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 93ns
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 419.55 грн |
3+ | 350.42 грн |
4+ | 265.22 грн |
9+ | 250.79 грн |
IXTP130N15X4 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 400W; TO220AB; 93ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 93ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 400W; TO220AB; 93ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 93ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 503.46 грн |
3+ | 436.67 грн |
4+ | 318.26 грн |
9+ | 300.95 грн |
IXTP130N15X4 |
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44
MOSFET MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 481.73 грн |
10+ | 417.96 грн |
50+ | 308.7 грн |
100+ | 295.5 грн |
IXTP140P05T |
Виробник: IXYS
MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds
MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 537.91 грн |
10+ | 455.13 грн |
50+ | 358.17 грн |
100+ | 328.49 грн |
250+ | 310.02 грн |
500+ | 308.7 грн |
IXTP14N60X2 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 303.38 грн |
3+ | 253.54 грн |
5+ | 191.7 грн |
12+ | 181.39 грн |
IXTP14N60X2 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 364.05 грн |
3+ | 315.95 грн |
5+ | 230.04 грн |
12+ | 217.67 грн |
50+ | 216.85 грн |
IXTP150N15X4 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 100ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 496.5 грн |
3+ | 349.04 грн |
7+ | 329.8 грн |
IXTP150N15X4 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 206 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 595.8 грн |
3+ | 434.96 грн |
7+ | 395.77 грн |
IXTP15N50L2 |
Виробник: IXYS
MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A
MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 713.37 грн |
50+ | 561.33 грн |
100+ | 436.66 грн |
500+ | 385.87 грн |
1000+ | 350.91 грн |
IXTP15P15T |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 116ns
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 116ns
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 233.08 грн |
3+ | 195.13 грн |
6+ | 147.04 грн |
15+ | 139.48 грн |
IXTP15P15T |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 116ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 116ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 199 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 279.7 грн |
3+ | 243.17 грн |
6+ | 176.45 грн |
15+ | 167.38 грн |
IXTP15P15T |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 150V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 150V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
36+ | 325.15 грн |
37+ | 311.17 грн |
50+ | 299.33 грн |
100+ | 278.84 грн |
250+ | 250.35 грн |
IXTP15P15T |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 150V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 150V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
36+ | 325.15 грн |
37+ | 311.17 грн |
50+ | 299.33 грн |
100+ | 278.84 грн |
250+ | 250.35 грн |
IXTP160N10T |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 430W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 132nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 60ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 430W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 132nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 60ns
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 272.3 грн |
3+ | 227.43 грн |
5+ | 171.77 грн |
13+ | 162.84 грн |
IXTP160N10T |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 430W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 132nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 60ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 430W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 132nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 60ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 326.76 грн |
3+ | 283.41 грн |
5+ | 206.13 грн |
13+ | 195.41 грн |
IXTP16N50P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 400ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 400ns
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 259.72 грн |
3+ | 217.12 грн |
5+ | 164.22 грн |
14+ | 155.28 грн |
IXTP16N50P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 311.67 грн |
3+ | 270.57 грн |
5+ | 197.06 грн |
14+ | 186.34 грн |
IXTP16N50P |
Виробник: IXYS
MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds
MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 330.9 грн |
10+ | 274.6 грн |
50+ | 224.27 грн |
100+ | 194.58 грн |
IXTP170N075T2 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO220AB; 63ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 63ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO220AB; 63ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 63ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 262.83 грн |
3+ | 227.76 грн |
6+ | 170.67 грн |
16+ | 161.6 грн |
IXTP180N10T |
Виробник: IXYS
MOSFET MOSFET Id180 BVdass100
MOSFET MOSFET Id180 BVdass100
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 455.57 грн |
10+ | 386.1 грн |
50+ | 279.01 грн |
100+ | 258.57 грн |
250+ | 253.95 грн |
IXTP18P10T |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 62ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 62ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 143.85 грн |
3+ | 123.3 грн |
10+ | 101.41 грн |
26+ | 95.64 грн |
IXTP18P10T |
Виробник: IXYS
MOSFET 18 Amps 100V 0.12 Rds
MOSFET 18 Amps 100V 0.12 Rds
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 190.08 грн |
10+ | 131.99 грн |
100+ | 96.3 грн |
250+ | 93 грн |
500+ | 90.37 грн |
1000+ | 81.13 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]