Результат пошуку "ixtp" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IXTP01N100D IXTP01N100D IXYS IXTP(Y)01N100D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 2ns
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.61 грн
3+ 297.51 грн
8+ 281.71 грн
IXTP01N100D IXTP01N100D IXYS IXTP(Y)01N100D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 2ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+564.73 грн
3+ 370.74 грн
8+ 338.05 грн
IXTP01N100D IXTP01N100D IXYS media-3322304.pdf MOSFET 0.1 Amps 1000V 110 Rds
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+491.74 грн
10+ 414.93 грн
50+ 327.83 грн
100+ 300.78 грн
250+ 282.97 грн
500+ 269.12 грн
1000+ 245.37 грн
IXTP02N120P IXTP02N120P IXYS media-3319913.pdf MOSFET 500V to 1200V Polar Power MOSFET
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.31 грн
10+ 156.26 грн
100+ 107.52 грн
250+ 99.6 грн
500+ 90.37 грн
1000+ 77.17 грн
2500+ 76.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP02N120P Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+80.03 грн
Мінімальне замовлення: 300
IXTP02N120P IXTP02N120P Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+132.82 грн
500+ 112.7 грн
Мінімальне замовлення: 87
IXTP02N120P IXTP02N120P Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+123.33 грн
500+ 104.65 грн
Мінімальне замовлення: 300
IXTP02N50D IXTP02N50D IXYS media-3319279.pdf MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+475.58 грн
10+ 393.69 грн
50+ 323.21 грн
100+ 277.04 грн
250+ 261.21 грн
500+ 246.03 грн
1000+ 211.07 грн
IXTP05N100 IXTP05N100 IXYS media-3322533.pdf MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.39 грн
10+ 167.64 грн
50+ 137.86 грн
100+ 118.07 грн
250+ 114.11 грн
500+ 104.88 грн
1000+ 91.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP08N100P IXTP08N100P IXYS IXTA(P,Y)08N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTP08N100P IXTP08N100P IXYS IXTA(P,Y)08N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+170.48 грн
3+ 148.98 грн
9+ 107.19 грн
25+ 101.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP08N120P IXTP08N120P IXYS media-3320029.pdf MOSFET 0.8 Amps 1200V 25 Rds
на замовлення 3503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+284.73 грн
10+ 235.91 грн
50+ 193.27 грн
100+ 165.56 грн
250+ 156.33 грн
500+ 147.09 грн
1000+ 126.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP100N04T2 IXTP100N04T2 IXYS IXTA(P)100N04T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.93 грн
4+ 112 грн
10+ 84.51 грн
26+ 79.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTP100N04T2 IXTP100N04T2 IXYS IXTA(P)100N04T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+160.72 грн
3+ 139.56 грн
10+ 101.41 грн
26+ 95.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP100N04T2 IXTP100N04T2 IXYS media-3319125.pdf MOSFET 100 Amps 40V
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.31 грн
10+ 156.26 грн
100+ 107.52 грн
250+ 99.6 грн
500+ 90.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP10N60P IXTP10N60P IXYS IXTP10N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.32 грн
3+ 179.33 грн
6+ 136.04 грн
10+ 135.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP10N60P IXTP10N60P IXYS IXTP10N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+258.39 грн
3+ 223.47 грн
6+ 163.25 грн
10+ 162.43 грн
17+ 154.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP10N60P IXTP10N60P IXYS media-3319784.pdf MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.96 грн
10+ 226.81 грн
50+ 185.35 грн
100+ 162.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP10P15T IXTP10P15T IXYS IXT_10P15T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -10A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.72 грн
7+ 127.11 грн
18+ 120.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTP10P15T IXTP10P15T IXYS IXT_10P15T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -10A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+216.66 грн
3+ 184.09 грн
7+ 152.53 грн
18+ 144.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP10P15T IXTP10P15T IXYS media-3320113.pdf MOSFET TenchP Power MOSFET
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.03 грн
10+ 213.15 грн
50+ 174.14 грн
100+ 155.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP10P50P IXTP10P50P IXYS IXT_10P50P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 414ns
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+363.31 грн
3+ 298.2 грн
4+ 255.6 грн
9+ 241.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP10P50P IXTP10P50P IXYS media-3319144.pdf MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.19 грн
50+ 370.17 грн
IXTP110N055T2 IXTP110N055T2 IXYS IXTA(P)110N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.68 грн
9+ 93.44 грн
24+ 87.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTP110N055T2 IXTP110N055T2 IXYS IXTA(P)110N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+177.59 грн
3+ 154.12 грн
9+ 112.13 грн
24+ 105.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP120N20X4 IXTP120N20X4 IXYS media-3320559.pdf MOSFET 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+591.01 грн
10+ 513.54 грн
50+ 379.28 грн
100+ 366.74 грн
500+ 329.8 грн
1000+ 291.55 грн
IXTP120P065T IXTP120P065T IXYS IXT_120P065T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 53ns
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+381.07 грн
3+ 318.12 грн
4+ 241.17 грн
10+ 227.43 грн
IXTP120P065T IXTP120P065T IXYS IXT_120P065T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 53ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+457.29 грн
3+ 396.43 грн
4+ 289.4 грн
10+ 272.91 грн
IXTP120P065T IXTP120P065T IXYS media-3319649.pdf MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+434.79 грн
10+ 367.9 грн
50+ 289.57 грн
100+ 266.48 грн
250+ 249.99 грн
500+ 234.82 грн
1000+ 233.5 грн
IXTP12N50P IXTP12N50P IXYS IXTA12N50P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.14 грн
3+ 175.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP12N50P IXTP12N50P IXYS IXTA12N50P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+252.17 грн
3+ 218.34 грн
6+ 159.13 грн
17+ 150.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP12N50PM IXYS/Littelfuse littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtp12n50pm_datasheet.pdf.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 6 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 1830; Qg, нКл = 29; Rds = 0,5 Ом; Ugs(th) = 5,5 В; Р, Вт = 50 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-220-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+143.35 грн
10+ 133.8 грн
100+ 124.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
IXTP12N70X2 IXTP12N70X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_12n70x2_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.7 грн
3+ 233.61 грн
5+ 176.58 грн
13+ 167.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP12N70X2 IXTP12N70X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_12n70x2_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+335.64 грн
3+ 291.12 грн
5+ 211.9 грн
13+ 201.18 грн
IXTP12N70X2M IXTP12N70X2M IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=4bb2c099-7b50-4035-add3-db2b7c47c846&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtp12n70x2m_datasheet.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.7 грн
3+ 233.61 грн
5+ 169.71 грн
13+ 160.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP12N70X2M IXTP12N70X2M IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=4bb2c099-7b50-4035-add3-db2b7c47c846&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtp12n70x2m_datasheet.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+335.64 грн
3+ 291.12 грн
5+ 203.65 грн
13+ 192.94 грн
IXTP130N10T IXTP130N10T IXYS IXTA(P)130N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB; 67ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 67ns
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.96 грн
3+ 171.09 грн
7+ 132.61 грн
17+ 125.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP130N10T IXTP130N10T IXYS IXTA(P)130N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB; 67ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 67ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+245.96 грн
3+ 213.2 грн
7+ 159.13 грн
17+ 150.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP130N15X4 IXTP130N15X4 IXYS IXTH(P)130N15X4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 400W; TO220AB; 93ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 93ns
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+419.55 грн
3+ 350.42 грн
4+ 265.22 грн
9+ 250.79 грн
IXTP130N15X4 IXTP130N15X4 IXYS IXTH(P)130N15X4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 400W; TO220AB; 93ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 93ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+503.46 грн
3+ 436.67 грн
4+ 318.26 грн
9+ 300.95 грн
IXTP130N15X4 IXTP130N15X4 IXYS media-3323517.pdf MOSFET MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+481.73 грн
10+ 417.96 грн
50+ 308.7 грн
100+ 295.5 грн
IXTP140P05T IXTP140P05T IXYS media-3321333.pdf MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+537.91 грн
10+ 455.13 грн
50+ 358.17 грн
100+ 328.49 грн
250+ 310.02 грн
500+ 308.7 грн
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS IXTP14N60X2_DS_1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.38 грн
3+ 253.54 грн
5+ 191.7 грн
12+ 181.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS IXTP14N60X2_DS_1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+364.05 грн
3+ 315.95 грн
5+ 230.04 грн
12+ 217.67 грн
50+ 216.85 грн
IXTP150N15X4 IXTP150N15X4 IXYS IXTH(P)150N15X4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+496.5 грн
3+ 349.04 грн
7+ 329.8 грн
IXTP150N15X4 IXTP150N15X4 IXYS IXTH(P)150N15X4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 206 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+595.8 грн
3+ 434.96 грн
7+ 395.77 грн
IXTP15N50L2 IXTP15N50L2 IXYS media-3323447.pdf MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+713.37 грн
50+ 561.33 грн
100+ 436.66 грн
500+ 385.87 грн
1000+ 350.91 грн
IXTP15P15T IXTP15P15T IXYS IXT_15P15T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 116ns
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.08 грн
3+ 195.13 грн
6+ 147.04 грн
15+ 139.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP15P15T IXTP15P15T IXYS IXT_15P15T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 116ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 199 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+279.7 грн
3+ 243.17 грн
6+ 176.45 грн
15+ 167.38 грн
IXTP15P15T IXTP15P15T Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+325.15 грн
37+ 311.17 грн
50+ 299.33 грн
100+ 278.84 грн
250+ 250.35 грн
Мінімальне замовлення: 36
IXTP15P15T IXTP15P15T Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+325.15 грн
37+ 311.17 грн
50+ 299.33 грн
100+ 278.84 грн
250+ 250.35 грн
Мінімальне замовлення: 36
IXTP160N10T IXTP160N10T IXYS IXT_160N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 430W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 132nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 60ns
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.3 грн
3+ 227.43 грн
5+ 171.77 грн
13+ 162.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP160N10T IXTP160N10T IXYS IXT_160N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 430W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 132nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 60ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+326.76 грн
3+ 283.41 грн
5+ 206.13 грн
13+ 195.41 грн
IXTP16N50P IXTP16N50P IXYS IXTP16N50P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 400ns
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.72 грн
3+ 217.12 грн
5+ 164.22 грн
14+ 155.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP16N50P IXTP16N50P IXYS IXTP16N50P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+311.67 грн
3+ 270.57 грн
5+ 197.06 грн
14+ 186.34 грн
IXTP16N50P IXTP16N50P IXYS media-3319677.pdf MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+330.9 грн
10+ 274.6 грн
50+ 224.27 грн
100+ 194.58 грн
IXTP170N075T2 IXTP170N075T2 IXYS IXTA(P)170N075T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO220AB; 63ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 63ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+262.83 грн
3+ 227.76 грн
6+ 170.67 грн
16+ 161.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP180N10T IXTP180N10T IXYS media-3322127.pdf MOSFET MOSFET Id180 BVdass100
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+455.57 грн
10+ 386.1 грн
50+ 279.01 грн
100+ 258.57 грн
250+ 253.95 грн
IXTP18P10T IXTP18P10T IXYS IXT_18P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 62ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+143.85 грн
3+ 123.3 грн
10+ 101.41 грн
26+ 95.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP18P10T IXTP18P10T IXYS media-3320772.pdf MOSFET 18 Amps 100V 0.12 Rds
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.08 грн
10+ 131.99 грн
100+ 96.3 грн
250+ 93 грн
500+ 90.37 грн
1000+ 81.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP01N100D IXTP(Y)01N100D.pdf
IXTP01N100D
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 2ns
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+470.61 грн
3+ 297.51 грн
8+ 281.71 грн
IXTP01N100D IXTP(Y)01N100D.pdf
IXTP01N100D
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 2ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+564.73 грн
3+ 370.74 грн
8+ 338.05 грн
IXTP01N100D media-3322304.pdf
IXTP01N100D
Виробник: IXYS
MOSFET 0.1 Amps 1000V 110 Rds
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+491.74 грн
10+ 414.93 грн
50+ 327.83 грн
100+ 300.78 грн
250+ 282.97 грн
500+ 269.12 грн
1000+ 245.37 грн
IXTP02N120P media-3319913.pdf
IXTP02N120P
Виробник: IXYS
MOSFET 500V to 1200V Polar Power MOSFET
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+189.31 грн
10+ 156.26 грн
100+ 107.52 грн
250+ 99.6 грн
500+ 90.37 грн
1000+ 77.17 грн
2500+ 76.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP02N120P media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+80.03 грн
Мінімальне замовлення: 300
IXTP02N120P media.pdf
IXTP02N120P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
87+132.82 грн
500+ 112.7 грн
Мінімальне замовлення: 87
IXTP02N120P media.pdf
IXTP02N120P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+123.33 грн
500+ 104.65 грн
Мінімальне замовлення: 300
IXTP02N50D media-3319279.pdf
IXTP02N50D
Виробник: IXYS
MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+475.58 грн
10+ 393.69 грн
50+ 323.21 грн
100+ 277.04 грн
250+ 261.21 грн
500+ 246.03 грн
1000+ 211.07 грн
IXTP05N100 media-3322533.pdf
IXTP05N100
Виробник: IXYS
MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+202.39 грн
10+ 167.64 грн
50+ 137.86 грн
100+ 118.07 грн
250+ 114.11 грн
500+ 104.88 грн
1000+ 91.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP08N100P IXTA(P,Y)08N100P.pdf
IXTP08N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTP08N100P IXTA(P,Y)08N100P.pdf
IXTP08N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+170.48 грн
3+ 148.98 грн
9+ 107.19 грн
25+ 101.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP08N120P media-3320029.pdf
IXTP08N120P
Виробник: IXYS
MOSFET 0.8 Amps 1200V 25 Rds
на замовлення 3503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+284.73 грн
10+ 235.91 грн
50+ 193.27 грн
100+ 165.56 грн
250+ 156.33 грн
500+ 147.09 грн
1000+ 126.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP100N04T2 IXTA(P)100N04T2.pdf
IXTP100N04T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.93 грн
4+ 112 грн
10+ 84.51 грн
26+ 79.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTP100N04T2 IXTA(P)100N04T2.pdf
IXTP100N04T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+160.72 грн
3+ 139.56 грн
10+ 101.41 грн
26+ 95.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP100N04T2 media-3319125.pdf
IXTP100N04T2
Виробник: IXYS
MOSFET 100 Amps 40V
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+189.31 грн
10+ 156.26 грн
100+ 107.52 грн
250+ 99.6 грн
500+ 90.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP10N60P IXTP10N60P.pdf
IXTP10N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+215.32 грн
3+ 179.33 грн
6+ 136.04 грн
10+ 135.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP10N60P IXTP10N60P.pdf
IXTP10N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+258.39 грн
3+ 223.47 грн
6+ 163.25 грн
10+ 162.43 грн
17+ 154.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP10N60P media-3319784.pdf
IXTP10N60P
Виробник: IXYS
MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+273.96 грн
10+ 226.81 грн
50+ 185.35 грн
100+ 162.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP10P15T IXT_10P15T.pdf
IXTP10P15T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -10A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+147.72 грн
7+ 127.11 грн
18+ 120.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTP10P15T IXT_10P15T.pdf
IXTP10P15T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -10A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+216.66 грн
3+ 184.09 грн
7+ 152.53 грн
18+ 144.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP10P15T media-3320113.pdf
IXTP10P15T
Виробник: IXYS
MOSFET TenchP Power MOSFET
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+257.03 грн
10+ 213.15 грн
50+ 174.14 грн
100+ 155.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP10P50P IXT_10P50P.pdf
IXTP10P50P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 414ns
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+363.31 грн
3+ 298.2 грн
4+ 255.6 грн
9+ 241.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP10P50P media-3319144.pdf
IXTP10P50P
Виробник: IXYS
MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+470.19 грн
50+ 370.17 грн
IXTP110N055T2 IXTA(P)110N055T2.pdf
IXTP110N055T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.68 грн
9+ 93.44 грн
24+ 87.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTP110N055T2 IXTA(P)110N055T2.pdf
IXTP110N055T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+177.59 грн
3+ 154.12 грн
9+ 112.13 грн
24+ 105.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP120N20X4 media-3320559.pdf
IXTP120N20X4
Виробник: IXYS
MOSFET 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+591.01 грн
10+ 513.54 грн
50+ 379.28 грн
100+ 366.74 грн
500+ 329.8 грн
1000+ 291.55 грн
IXTP120P065T IXT_120P065T.pdf
IXTP120P065T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 53ns
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+381.07 грн
3+ 318.12 грн
4+ 241.17 грн
10+ 227.43 грн
IXTP120P065T IXT_120P065T.pdf
IXTP120P065T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 53ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+457.29 грн
3+ 396.43 грн
4+ 289.4 грн
10+ 272.91 грн
IXTP120P065T media-3319649.pdf
IXTP120P065T
Виробник: IXYS
MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+434.79 грн
10+ 367.9 грн
50+ 289.57 грн
100+ 266.48 грн
250+ 249.99 грн
500+ 234.82 грн
1000+ 233.5 грн
IXTP12N50P IXTA12N50P-DTE.pdf
IXTP12N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+210.14 грн
3+ 175.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP12N50P IXTA12N50P-DTE.pdf
IXTP12N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+252.17 грн
3+ 218.34 грн
6+ 159.13 грн
17+ 150.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP12N50PM littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtp12n50pm_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS/Littelfuse
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 6 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 1830; Qg, нКл = 29; Rds = 0,5 Ом; Ugs(th) = 5,5 В; Р, Вт = 50 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-220-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+143.35 грн
10+ 133.8 грн
100+ 124.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
IXTP12N70X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_12n70x2_datasheet.pdf.pdf
IXTP12N70X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+279.7 грн
3+ 233.61 грн
5+ 176.58 грн
13+ 167.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP12N70X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_12n70x2_datasheet.pdf.pdf
IXTP12N70X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+335.64 грн
3+ 291.12 грн
5+ 211.9 грн
13+ 201.18 грн
IXTP12N70X2M media?resourcetype=datasheets&itemid=4bb2c099-7b50-4035-add3-db2b7c47c846&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtp12n70x2m_datasheet.pdf
IXTP12N70X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+279.7 грн
3+ 233.61 грн
5+ 169.71 грн
13+ 160.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP12N70X2M media?resourcetype=datasheets&itemid=4bb2c099-7b50-4035-add3-db2b7c47c846&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtp12n70x2m_datasheet.pdf
IXTP12N70X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+335.64 грн
3+ 291.12 грн
5+ 203.65 грн
13+ 192.94 грн
IXTP130N10T IXTA(P)130N10T.pdf
IXTP130N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB; 67ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 67ns
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+204.96 грн
3+ 171.09 грн
7+ 132.61 грн
17+ 125.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP130N10T IXTA(P)130N10T.pdf
IXTP130N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB; 67ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 67ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+245.96 грн
3+ 213.2 грн
7+ 159.13 грн
17+ 150.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP130N15X4 IXTH(P)130N15X4.pdf
IXTP130N15X4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 400W; TO220AB; 93ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 93ns
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+419.55 грн
3+ 350.42 грн
4+ 265.22 грн
9+ 250.79 грн
IXTP130N15X4 IXTH(P)130N15X4.pdf
IXTP130N15X4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 400W; TO220AB; 93ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 93ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+503.46 грн
3+ 436.67 грн
4+ 318.26 грн
9+ 300.95 грн
IXTP130N15X4 media-3323517.pdf
IXTP130N15X4
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+481.73 грн
10+ 417.96 грн
50+ 308.7 грн
100+ 295.5 грн
IXTP140P05T media-3321333.pdf
IXTP140P05T
Виробник: IXYS
MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+537.91 грн
10+ 455.13 грн
50+ 358.17 грн
100+ 328.49 грн
250+ 310.02 грн
500+ 308.7 грн
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2_DS_1.pdf
IXTP14N60X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+303.38 грн
3+ 253.54 грн
5+ 191.7 грн
12+ 181.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2_DS_1.pdf
IXTP14N60X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+364.05 грн
3+ 315.95 грн
5+ 230.04 грн
12+ 217.67 грн
50+ 216.85 грн
IXTP150N15X4 IXTH(P)150N15X4.pdf
IXTP150N15X4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+496.5 грн
3+ 349.04 грн
7+ 329.8 грн
IXTP150N15X4 IXTH(P)150N15X4.pdf
IXTP150N15X4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 206 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+595.8 грн
3+ 434.96 грн
7+ 395.77 грн
IXTP15N50L2 media-3323447.pdf
IXTP15N50L2
Виробник: IXYS
MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+713.37 грн
50+ 561.33 грн
100+ 436.66 грн
500+ 385.87 грн
1000+ 350.91 грн
IXTP15P15T IXT_15P15T.pdf
IXTP15P15T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 116ns
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+233.08 грн
3+ 195.13 грн
6+ 147.04 грн
15+ 139.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP15P15T IXT_15P15T.pdf
IXTP15P15T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 116ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 199 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+279.7 грн
3+ 243.17 грн
6+ 176.45 грн
15+ 167.38 грн
IXTP15P15T media.pdf
IXTP15P15T
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 150V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
36+325.15 грн
37+ 311.17 грн
50+ 299.33 грн
100+ 278.84 грн
250+ 250.35 грн
Мінімальне замовлення: 36
IXTP15P15T media.pdf
IXTP15P15T
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 150V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
36+325.15 грн
37+ 311.17 грн
50+ 299.33 грн
100+ 278.84 грн
250+ 250.35 грн
Мінімальне замовлення: 36
IXTP160N10T IXT_160N10T.pdf
IXTP160N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 430W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 132nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 60ns
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+272.3 грн
3+ 227.43 грн
5+ 171.77 грн
13+ 162.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP160N10T IXT_160N10T.pdf
IXTP160N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 430W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 132nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 60ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+326.76 грн
3+ 283.41 грн
5+ 206.13 грн
13+ 195.41 грн
IXTP16N50P IXTP16N50P-DTE.pdf
IXTP16N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 400ns
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+259.72 грн
3+ 217.12 грн
5+ 164.22 грн
14+ 155.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP16N50P IXTP16N50P-DTE.pdf
IXTP16N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+311.67 грн
3+ 270.57 грн
5+ 197.06 грн
14+ 186.34 грн
IXTP16N50P media-3319677.pdf
IXTP16N50P
Виробник: IXYS
MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+330.9 грн
10+ 274.6 грн
50+ 224.27 грн
100+ 194.58 грн
IXTP170N075T2 IXTA(P)170N075T2.pdf
IXTP170N075T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO220AB; 63ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 63ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+262.83 грн
3+ 227.76 грн
6+ 170.67 грн
16+ 161.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP180N10T media-3322127.pdf
IXTP180N10T
Виробник: IXYS
MOSFET MOSFET Id180 BVdass100
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+455.57 грн
10+ 386.1 грн
50+ 279.01 грн
100+ 258.57 грн
250+ 253.95 грн
IXTP18P10T IXT_18P10T.pdf
IXTP18P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 62ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+143.85 грн
3+ 123.3 грн
10+ 101.41 грн
26+ 95.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP18P10T media-3320772.pdf
IXTP18P10T
Виробник: IXYS
MOSFET 18 Amps 100V 0.12 Rds
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+190.08 грн
10+ 131.99 грн
100+ 96.3 грн
250+ 93 грн
500+ 90.37 грн
1000+ 81.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]