Результат пошуку "nsv40200" : 15

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
NSV40200LT1G NSV40200LT1G onsemi NSS40200L_D-2318573.pdf Bipolar Transistors - BJT LESHANBE (CN1) XTR
на замовлення 9861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.82 грн
16+ 20.1 грн
100+ 12.36 грн
1000+ 8.41 грн
3000+ 7.03 грн
9000+ 6.57 грн
45000+ 6.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSV40200LT1G NSV40200LT1G ON Semiconductor nss40200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+7.08 грн
24000+ 6.94 грн
30000+ 6.88 грн
Мінімальне замовлення: 9000
NSV40200LT1G NSV40200LT1G onsemi nss40200l-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.57 грн
12+ 23 грн
100+ 13.79 грн
500+ 11.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSV40200LT1G NSV40200LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013749770-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSV40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.12 грн
34+ 22.12 грн
100+ 13.86 грн
500+ 12.6 грн
Мінімальне замовлення: 21
NSV40200LT1G NSV40200LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013749770-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSV40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.86 грн
500+ 12.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
NSV40200UW6T1G NSV40200UW6T1G onsemi nss40200uw6-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.32 грн
6000+ 19.45 грн
9000+ 18.01 грн
30000+ 16.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSV40200UW6T1G NSV40200UW6T1G onsemi nss40200uw6-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.45 грн
10+ 46.82 грн
100+ 32.42 грн
500+ 25.42 грн
1000+ 21.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
NSV40200UW6T1G ONSEMI NSS40200UW6-D.PDF Description: ONSEMI - NSV40200UW6T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSV40200UW6T1G ON Semiconductor nss40200uw6-d.pdf
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSV40200LT1G NSV40200LT1G ON Semiconductor nss40200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSV40200LT1G NSV40200LT1G ON Semiconductor nss40200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSV40200LT1G NSV40200LT1G onsemi nss40200l-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
товар відсутній
NSV40200UW6T1G NSV40200UW6T1G ON Semiconductor nss40200uw6-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW Automotive 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NSV40200UW6T1G NSV40200UW6T1G ON Semiconductor nss40200uw6-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NSV40200UW6T1G onsemi NSS40200UW6_D-2318402.pdf Bipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, -40 V, 4.0 A
товар відсутній
NSV40200LT1G NSS40200L_D-2318573.pdf
NSV40200LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT LESHANBE (CN1) XTR
на замовлення 9861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.82 грн
16+ 20.1 грн
100+ 12.36 грн
1000+ 8.41 грн
3000+ 7.03 грн
9000+ 6.57 грн
45000+ 6.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSV40200LT1G nss40200l-d.pdf
NSV40200LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9000+7.08 грн
24000+ 6.94 грн
30000+ 6.88 грн
Мінімальне замовлення: 9000
NSV40200LT1G nss40200l-d.pdf
NSV40200LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.57 грн
12+ 23 грн
100+ 13.79 грн
500+ 11.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSV40200LT1G ONSM-S-A0013749770-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSV40200LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+36.12 грн
34+ 22.12 грн
100+ 13.86 грн
500+ 12.6 грн
Мінімальне замовлення: 21
NSV40200LT1G ONSM-S-A0013749770-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSV40200LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+13.86 грн
500+ 12.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
NSV40200UW6T1G nss40200uw6-d.pdf
NSV40200UW6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+21.32 грн
6000+ 19.45 грн
9000+ 18.01 грн
30000+ 16.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSV40200UW6T1G nss40200uw6-d.pdf
NSV40200UW6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.45 грн
10+ 46.82 грн
100+ 32.42 грн
500+ 25.42 грн
1000+ 21.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
NSV40200UW6T1G NSS40200UW6-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV40200UW6T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSV40200UW6T1G nss40200uw6-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSV40200LT1G nss40200l-d.pdf
NSV40200LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSV40200LT1G nss40200l-d.pdf
NSV40200LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSV40200LT1G nss40200l-d.pdf
NSV40200LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
товар відсутній
NSV40200UW6T1G nss40200uw6-d.pdf
NSV40200UW6T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW Automotive 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NSV40200UW6T1G nss40200uw6-d.pdf
NSV40200UW6T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NSV40200UW6T1G NSS40200UW6_D-2318402.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, -40 V, 4.0 A
товар відсутній