Результат пошуку "nsv40200" : 15
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 9000
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 21
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 3000
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NSV40200LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT LESHANBE (CN1) XTR |
на замовлення 9861 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NSV40200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NSV40200LT1G | onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 460 mW |
на замовлення 905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NSV40200LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSV40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NSV40200LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSV40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NSV40200UW6T1G | onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 875 mW |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NSV40200UW6T1G | onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 875 mW |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NSV40200UW6T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSV40200UW6T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NSV40200UW6T1G | ON Semiconductor |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
NSV40200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
NSV40200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
NSV40200LT1G | onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 460 mW |
товар відсутній |
||||||||||||||||
NSV40200UW6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW Automotive 6-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
NSV40200UW6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
NSV40200UW6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, -40 V, 4.0 A |
товар відсутній |
NSV40200LT1G |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT LESHANBE (CN1) XTR
Bipolar Transistors - BJT LESHANBE (CN1) XTR
на замовлення 9861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 32.82 грн |
16+ | 20.1 грн |
100+ | 12.36 грн |
1000+ | 8.41 грн |
3000+ | 7.03 грн |
9000+ | 6.57 грн |
45000+ | 6.31 грн |
NSV40200LT1G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9000+ | 7.08 грн |
24000+ | 6.94 грн |
30000+ | 6.88 грн |
NSV40200LT1G |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
Description: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 30.57 грн |
12+ | 23 грн |
100+ | 13.79 грн |
500+ | 11.98 грн |
NSV40200LT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NSV40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
21+ | 36.12 грн |
34+ | 22.12 грн |
100+ | 13.86 грн |
500+ | 12.6 грн |
NSV40200LT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NSV40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 13.86 грн |
500+ | 12.6 грн |
NSV40200UW6T1G |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
Description: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 21.32 грн |
6000+ | 19.45 грн |
9000+ | 18.01 грн |
30000+ | 16.74 грн |
NSV40200UW6T1G |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
Description: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 55.45 грн |
10+ | 46.82 грн |
100+ | 32.42 грн |
500+ | 25.42 грн |
1000+ | 21.64 грн |
NSV40200UW6T1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV40200UW6T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NSV40200UW6T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 22.19 грн |
NSV40200LT1G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSV40200LT1G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSV40200LT1G |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
Description: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
товар відсутній
NSV40200UW6T1G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW Automotive 6-Pin WDFN EP T/R
Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW Automotive 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NSV40200UW6T1G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin WDFN EP T/R
Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NSV40200UW6T1G |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, -40 V, 4.0 A
Bipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, -40 V, 4.0 A
товар відсутній