Результат пошуку "p10n" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
MKDSP 10N/ 2-10.16
Код товару: 201562 		Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
очікується: 2 шт
MKDSP10N/3-10.16 MKDSP10N/3-10.16
Код товару: 169071 		mkdsp10-3-1016.pdf Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
Короткий опис: Кутовий клемник, крок: 10,16мм, к-сть контактів: 02P, напруга/струм: 690V/76A, під провід: 20-6AWG 16мм.кв
Крок, мм: 10,16 mm
К-сть контактів: 3
Тип роз’єму: Клемник гвинтовий на PCB
Номінальний струм: 76 A
у наявності: 2 шт
1+109 грн
MKP 10nF 1600VDC 5% P=15mm (STCBB81-103K3CL15)
Код товару: 184037 		Stcapasitor 2019-ST-capacitor-CBB81-B.pdf Конденсатори > Плівкові конденсатори
Ємність: 10 nF
Ном.напруга: 1,6k VDC
Точність: ±5% J
Крок виводів: 15 mm
Діелектрик: Поліпропілен
Розмір корпуса: 18x12x7 mm
у наявності: 243 шт
1+7 грн
10+ 6.1 грн
100+ 5 грн
STP10NK60Z STP10NK60Z
Код товару: 14727 		ST STP10NK60Z.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1370/50
Монтаж: THT
у наявності: 116 шт
1+44 грн
10+ 39.6 грн
100+ 35.9 грн
STP10NK60ZFP STP10NK60ZFP
Код товару: 4775 		ST STP10NK60Z.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 797 шт
1+35 грн
10+ 31.5 грн
100+ 28.9 грн
P10N Xcelite 12104938-0-Xcelite-Catalog-5506.pdf Nutdriver, Midget, 5/16in (7.94 mm)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
P10N10 MOT 82+ DIP
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P10N10M
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P10N25 MOT 82+ DIP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P10N50C1D
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P10N60
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P10N60FI
на замовлення 3355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P10NA40
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P10NB20
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P10NC50FP
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P10NE80
на замовлення 4130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P10NG-4824E2:1LF PEAK electronics GmbH DC/DC, 2W, SIP8, Вход: 36-72VDC, Выход: 24V, изоляция 1000VDC, -40...+85 C
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
P10NG-4824Z2:1LF PEAK electronics GmbH DC/DC, 2W, SIP8, Вход: 36-72VDC, Выход: +-24VDC (dual), изоляция 1000VDC, -40...+85 C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
P10NK60Z
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P10NK60ZFP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P10NK60ZFP(STP10NK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P10NK80Z
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P10NK80ZFP
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
0402HP-10NXGRW Coilcraft 0402hp-270660.pdf RF Inductors - SMD 1005 10nH Unshld 2% 1.3A 85mOhms
на замовлення 8181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.89 грн
250+ 105.22 грн
500+ 62.75 грн
2000+ 53.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
0402HP-10NXJRW Coilcraft 0402hp-270660.pdf RF Inductors - SMD 1005 10nH Unshld 5% 1.3A 85mOhms
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.58 грн
250+ 82.83 грн
500+ 48.99 грн
2000+ 41.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
0603HP-10NXGLW 0603HP-10NXGLW Coilcraft 0603hp-270662.pdf RF Inductors - SMD 0603 10nH Unshld 2% 1.4A 48mOhms
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+103.71 грн
250+ 76.86 грн
500+ 50.74 грн
1000+ 49.71 грн
2000+ 42.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
0603HP-10NXGRW 0603HP-10NXGRW Coilcraft 0603hp-3084375.pdf RF Inductors - SMD RF chip inductor
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.63 грн
250+ 70.82 грн
500+ 46.4 грн
1000+ 45.42 грн
2000+ 38.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
BXP10N65CF BXP10N65CF BRIDGELUX BXP10N65C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.23 грн
9+ 37.85 грн
25+ 34.13 грн
30+ 26.09 грн
83+ 24.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
BXP10N65CF BXP10N65CF BRIDGELUX BXP10N65C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 919 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+69.88 грн
6+ 47.17 грн
25+ 40.96 грн
30+ 31.31 грн
83+ 29.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
FL1P-10NW-1-G3V FL1P-10NW-1-G3V Mallory Sonalert Products Inc. FL1P-10NW-1.pdf Description: LED GRN 10MM NUT 3VAC/DC STK
Packaging: Bulk
Current: 20mA
Voltage: 3V
Type: LED
Millicandela Rating: 8000 ~ 10000mcd
Termination Style: Wire Leads - 7.3" (185.42mm)
Lens Color: Green
Viewing Angle: 60°
Ingress Protection: IP50
Ratings: AC/DC
Panel Cutout Dimensions: 0.394" (10.00mm)
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Part Status: Active
Lens Style: Round with Flat Top
Lens Size: 19.40mm Dia
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.92 грн
35+ 152.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
GP10N-E3/54 GP10N-E3/54 Vishay General Semiconductor gp10a.pdf Rectifiers 1100 Volt 1.0 Amp 25 Amp IFSM
на замовлення 10990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+33.76 грн
11+ 28.28 грн
100+ 17.13 грн
500+ 13.37 грн
1000+ 10.84 грн
2500+ 9.73 грн
5500+ 9.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
IGP10N60T IGP10N60T Infineon Technologies Infineon_IGP10N60T_DS_v02_05_EN-3362289.pdf IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+105.99 грн
10+ 87.31 грн
100+ 60.35 грн
250+ 55.87 грн
500+ 50.68 грн
1000+ 43.48 грн
2500+ 41.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP10N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.09 грн
5+ 78.41 грн
10+ 70.97 грн
13+ 64.89 грн
34+ 61.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP10N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 370 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+97.71 грн
10+ 85.17 грн
13+ 77.87 грн
34+ 73.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60TXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGP10N60T_DS_v02_05_EN-3362289.pdf IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+106.74 грн
10+ 83.58 грн
100+ 59.76 грн
250+ 57.3 грн
500+ 49.51 грн
1000+ 41.27 грн
5000+ 39.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60TXKSA1 Infineon Technologies IGP10N60T+Rev2_3G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30432313ff5e0123b847bd617897 Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+98.27 грн
50+ 76.15 грн
100+ 62.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP10N60T IKP10N60T Infineon Technologies Infineon_IKP10N60T_DataSheet_v02_06_EN-3361884.pdf IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.13 грн
10+ 99.25 грн
100+ 68.78 грн
250+ 63.4 грн
500+ 57.88 грн
1000+ 49.58 грн
2500+ 47.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP10N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 Infineon Technologies IKP10N60T+Rev2_3G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bceea1b13587 Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.8 грн
50+ 84.26 грн
100+ 69.33 грн
500+ 55.05 грн
1000+ 46.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKP10N60T_DataSheet_v02_06_EN-3361884.pdf IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.1 грн
10+ 74.25 грн
100+ 57.36 грн
250+ 57.1 грн
500+ 52.69 грн
1000+ 45.68 грн
2500+ 45.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPB19DP10NMATMA1 IPB19DP10NMATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB19DP10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9416da34eb5 Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+66.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB19DP10NMATMA1 IPB19DP10NMATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB19DP10NM_DataSheet_v02_00_EN-2942424.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+152.17 грн
10+ 124.62 грн
100+ 86.3 грн
250+ 85.65 грн
500+ 73.32 грн
1000+ 61.58 грн
2000+ 58.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB19DP10NMATMA1 IPB19DP10NMATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB19DP10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9416da34eb5 Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.68 грн
10+ 111.8 грн
100+ 88.95 грн
500+ 70.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPB330P10NMATMA1 IPB330P10NMATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9a628c74f22 Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.14 грн
10+ 275.71 грн
100+ 223.04 грн
500+ 186.06 грн
IPB330P10NMATMA1 IPB330P10NMATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB330P10NM_DataSheet_v02_00_EN-2942457.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+370.19 грн
10+ 306.7 грн
25+ 262.8 грн
100+ 216.08 грн
250+ 212.19 грн
500+ 192.07 грн
1000+ 168.06 грн
IPD11DP10NMATMA1 IPD11DP10NMATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD11DP10NM_DataSheet_v02_00_EN-2942415.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.86 грн
10+ 97.76 грн
100+ 68.13 грн
250+ 64.89 грн
500+ 57.23 грн
1000+ 48.6 грн
2500+ 46.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD11DP10NMATMA1 IPD11DP10NMATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD11DP10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bddc895e91a40 Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
на замовлення 2586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.5 грн
10+ 87.8 грн
100+ 69.93 грн
500+ 55.52 грн
1000+ 47.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD19DP10NMATMA1 IPD19DP10NMATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD19DP10NM_DataSheet_v02_00_EN-2942427.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+102.96 грн
10+ 83.58 грн
100+ 56.26 грн
500+ 47.69 грн
1000+ 38.87 грн
2500+ 37.31 грн
5000+ 34.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD19DP10NMATMA1 IPD19DP10NMATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD19DP10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bde08b35a1bae Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), 13.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+94.76 грн
10+ 74.76 грн
100+ 58.14 грн
500+ 46.25 грн
1000+ 37.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP330P10NMAKSA1 IPP330P10NMAKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bde48dfab1c0f Description: TRENCH >=100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.52 грн
50+ 256.41 грн
100+ 219.77 грн
IPP330P10NMAKSA1 IPP330P10NMAKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP330P10NM_DataSheet_v02_00_EN-2942445.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+364.89 грн
10+ 302.22 грн
25+ 254.37 грн
100+ 212.84 грн
250+ 206.35 грн
500+ 188.18 грн
1000+ 151.84 грн
IXFP10N60P IXFP10N60P IXYS IXFA(P)10N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.1 грн
3+ 175.74 грн
6+ 139.92 грн
16+ 131.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFP10N60P IXFP10N60P IXYS IXFA(P)10N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+253.32 грн
3+ 219 грн
6+ 167.9 грн
16+ 158.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFP10N60P IXFP10N60P IXYS media-3319600.pdf MOSFET HiPERFET Id10 BVdass600
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+280.11 грн
10+ 232.08 грн
50+ 190.13 грн
100+ 162.87 грн
250+ 153.79 грн
500+ 144.7 грн
1000+ 124.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFP10N80P IXFP10N80P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_10n80p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+397.99 грн
50+ 303.53 грн
100+ 260.18 грн
IXTP10N60P IXTP10N60P IXYS IXTP10N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.91 грн
3+ 167.63 грн
6+ 133.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP10N60P IXTP10N60P IXYS IXTP10N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+241.09 грн
3+ 208.89 грн
6+ 159.79 грн
17+ 150.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP10N60P IXTP10N60P IXYS media-3319784.pdf MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.51 грн
10+ 223.12 грн
50+ 182.99 грн
100+ 160.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXYP10N65B3D1 IXYP10N65B3D1 IXYS media-3319871.pdf IGBT Transistors Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+313.42 грн
10+ 271.63 грн
50+ 200.51 грн
100+ 182.34 грн
250+ 171.96 грн
500+ 161.57 грн
1000+ 138.21 грн
IXYP10N65C3D1M IXYP10N65C3D1M IXYS IXYP10N65C3D1M.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 7A
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.83 грн
8+ 106.12 грн
21+ 100.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
MKDSP 10N/ 2-10.16
Код товару: 201562
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
очікується: 2 шт
MKDSP10N/3-10.16
Код товару: 169071		 mkdsp10-3-1016.pdf
MKDSP10N/3-10.16
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
Короткий опис: Кутовий клемник, крок: 10,16мм, к-сть контактів: 02P, напруга/струм: 690V/76A, під провід: 20-6AWG 16мм.кв
Крок, мм: 10,16 mm
К-сть контактів: 3
Тип роз’єму: Клемник гвинтовий на PCB
Номінальний струм: 76 A
у наявності: 2 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+109 грн
MKP 10nF 1600VDC 5% P=15mm (STCBB81-103K3CL15)
Код товару: 184037		 2019-ST-capacitor-CBB81-B.pdf
Виробник: Stcapasitor
Конденсатори > Плівкові конденсатори
Ємність: 10 nF
Ном.напруга: 1,6k VDC
Точність: ±5% J
Крок виводів: 15 mm
Діелектрик: Поліпропілен
Розмір корпуса: 18x12x7 mm
у наявності: 243 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+7 грн
10+ 6.1 грн
100+ 5 грн
STP10NK60Z
Код товару: 14727		 STP10NK60Z.pdf
STP10NK60Z
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1370/50
Монтаж: THT
у наявності: 116 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+44 грн
10+ 39.6 грн
100+ 35.9 грн
STP10NK60ZFP
Код товару: 4775		 description STP10NK60Z.pdf
STP10NK60ZFP
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 797 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+35 грн
10+ 31.5 грн
100+ 28.9 грн
P10N 12104938-0-Xcelite-Catalog-5506.pdf
Виробник: Xcelite
Nutdriver, Midget, 5/16in (7.94 mm)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
P10N10
Виробник: MOT
82+ DIP
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P10N10M
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P10N25
Виробник: MOT
82+ DIP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P10N50C1D
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P10N60
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P10N60FI
на замовлення 3355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P10NA40
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P10NB20
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P10NC50FP
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P10NE80
на замовлення 4130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P10NG-4824E2:1LF
Виробник: PEAK electronics GmbH
DC/DC, 2W, SIP8, Вход: 36-72VDC, Выход: 24V, изоляция 1000VDC, -40...+85 C
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
P10NG-4824Z2:1LF
Виробник: PEAK electronics GmbH
DC/DC, 2W, SIP8, Вход: 36-72VDC, Выход: +-24VDC (dual), изоляция 1000VDC, -40...+85 C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
P10NK60Z
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P10NK60ZFP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P10NK60ZFP(STP10NK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P10NK80Z
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P10NK80ZFP
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
0402HP-10NXGRW 0402hp-270660.pdf
Виробник: Coilcraft
RF Inductors - SMD 1005 10nH Unshld 2% 1.3A 85mOhms
на замовлення 8181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+149.89 грн
250+ 105.22 грн
500+ 62.75 грн
2000+ 53.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
0402HP-10NXJRW 0402hp-270660.pdf
Виробник: Coilcraft
RF Inductors - SMD 1005 10nH Unshld 5% 1.3A 85mOhms
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.58 грн
250+ 82.83 грн
500+ 48.99 грн
2000+ 41.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
0603HP-10NXGLW 0603hp-270662.pdf
0603HP-10NXGLW
Виробник: Coilcraft
RF Inductors - SMD 0603 10nH Unshld 2% 1.4A 48mOhms
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.71 грн
250+ 76.86 грн
500+ 50.74 грн
1000+ 49.71 грн
2000+ 42.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
0603HP-10NXGRW 0603hp-3084375.pdf
0603HP-10NXGRW
Виробник: Coilcraft
RF Inductors - SMD RF chip inductor
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.63 грн
250+ 70.82 грн
500+ 46.4 грн
1000+ 45.42 грн
2000+ 38.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
BXP10N65CF BXP10N65C.pdf
BXP10N65CF
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+58.23 грн
9+ 37.85 грн
25+ 34.13 грн
30+ 26.09 грн
83+ 24.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
BXP10N65CF BXP10N65C.pdf
BXP10N65CF
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 919 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+69.88 грн
6+ 47.17 грн
25+ 40.96 грн
30+ 31.31 грн
83+ 29.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
FL1P-10NW-1-G3V FL1P-10NW-1.pdf
FL1P-10NW-1-G3V
Виробник: Mallory Sonalert Products Inc.
Description: LED GRN 10MM NUT 3VAC/DC STK
Packaging: Bulk
Current: 20mA
Voltage: 3V
Type: LED
Millicandela Rating: 8000 ~ 10000mcd
Termination Style: Wire Leads - 7.3" (185.42mm)
Lens Color: Green
Viewing Angle: 60°
Ingress Protection: IP50
Ratings: AC/DC
Panel Cutout Dimensions: 0.394" (10.00mm)
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Part Status: Active
Lens Style: Round with Flat Top
Lens Size: 19.40mm Dia
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+223.92 грн
35+ 152.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
GP10N-E3/54 gp10a.pdf
GP10N-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 1100 Volt 1.0 Amp 25 Amp IFSM
на замовлення 10990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.76 грн
11+ 28.28 грн
100+ 17.13 грн
500+ 13.37 грн
1000+ 10.84 грн
2500+ 9.73 грн
5500+ 9.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
IGP10N60T Infineon_IGP10N60T_DS_v02_05_EN-3362289.pdf
IGP10N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.99 грн
10+ 87.31 грн
100+ 60.35 грн
250+ 55.87 грн
500+ 50.68 грн
1000+ 43.48 грн
2500+ 41.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60T-DTE.pdf
IGP10N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.09 грн
5+ 78.41 грн
10+ 70.97 грн
13+ 64.89 грн
34+ 61.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60T-DTE.pdf
IGP10N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 370 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+97.71 грн
10+ 85.17 грн
13+ 77.87 грн
34+ 73.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP10N60TXKSA1 Infineon_IGP10N60T_DS_v02_05_EN-3362289.pdf
IGP10N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.74 грн
10+ 83.58 грн
100+ 59.76 грн
250+ 57.3 грн
500+ 49.51 грн
1000+ 41.27 грн
5000+ 39.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60T+Rev2_3G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30432313ff5e0123b847bd617897
IGP10N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+98.27 грн
50+ 76.15 грн
100+ 62.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP10N60T Infineon_IKP10N60T_DataSheet_v02_06_EN-3361884.pdf
IKP10N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.13 грн
10+ 99.25 грн
100+ 68.78 грн
250+ 63.4 грн
500+ 57.88 грн
1000+ 49.58 грн
2500+ 47.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60T.pdf
IKP10N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60T+Rev2_3G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bceea1b13587
IKP10N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.8 грн
50+ 84.26 грн
100+ 69.33 грн
500+ 55.05 грн
1000+ 46.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP10N60TXKSA1 Infineon_IKP10N60T_DataSheet_v02_06_EN-3361884.pdf
IKP10N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.1 грн
10+ 74.25 грн
100+ 57.36 грн
250+ 57.1 грн
500+ 52.69 грн
1000+ 45.68 грн
2500+ 45.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPB19DP10NMATMA1 Infineon-IPB19DP10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9416da34eb5
IPB19DP10NMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+66.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB19DP10NMATMA1 Infineon_IPB19DP10NM_DataSheet_v02_00_EN-2942424.pdf
IPB19DP10NMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+152.17 грн
10+ 124.62 грн
100+ 86.3 грн
250+ 85.65 грн
500+ 73.32 грн
1000+ 61.58 грн
2000+ 58.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB19DP10NMATMA1 Infineon-IPB19DP10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9416da34eb5
IPB19DP10NMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+139.68 грн
10+ 111.8 грн
100+ 88.95 грн
500+ 70.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPB330P10NMATMA1 Infineon-IPB330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9a628c74f22
IPB330P10NMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+341.14 грн
10+ 275.71 грн
100+ 223.04 грн
500+ 186.06 грн
IPB330P10NMATMA1 Infineon_IPB330P10NM_DataSheet_v02_00_EN-2942457.pdf
IPB330P10NMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+370.19 грн
10+ 306.7 грн
25+ 262.8 грн
100+ 216.08 грн
250+ 212.19 грн
500+ 192.07 грн
1000+ 168.06 грн
IPD11DP10NMATMA1 Infineon_IPD11DP10NM_DataSheet_v02_00_EN-2942415.pdf
IPD11DP10NMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.86 грн
10+ 97.76 грн
100+ 68.13 грн
250+ 64.89 грн
500+ 57.23 грн
1000+ 48.6 грн
2500+ 46.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD11DP10NMATMA1 Infineon-IPD11DP10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bddc895e91a40
IPD11DP10NMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
на замовлення 2586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.5 грн
10+ 87.8 грн
100+ 69.93 грн
500+ 55.52 грн
1000+ 47.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD19DP10NMATMA1 Infineon_IPD19DP10NM_DataSheet_v02_00_EN-2942427.pdf
IPD19DP10NMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.96 грн
10+ 83.58 грн
100+ 56.26 грн
500+ 47.69 грн
1000+ 38.87 грн
2500+ 37.31 грн
5000+ 34.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD19DP10NMATMA1 Infineon-IPD19DP10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bde08b35a1bae
IPD19DP10NMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), 13.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+94.76 грн
10+ 74.76 грн
100+ 58.14 грн
500+ 46.25 грн
1000+ 37.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP330P10NMAKSA1 Infineon-IPP330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bde48dfab1c0f
IPP330P10NMAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+335.52 грн
50+ 256.41 грн
100+ 219.77 грн
IPP330P10NMAKSA1 Infineon_IPP330P10NM_DataSheet_v02_00_EN-2942445.pdf
IPP330P10NMAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+364.89 грн
10+ 302.22 грн
25+ 254.37 грн
100+ 212.84 грн
250+ 206.35 грн
500+ 188.18 грн
1000+ 151.84 грн
IXFP10N60P IXFA(P)10N60P.pdf
IXFP10N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+211.1 грн
3+ 175.74 грн
6+ 139.92 грн
16+ 131.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFP10N60P IXFA(P)10N60P.pdf
IXFP10N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+253.32 грн
3+ 219 грн
6+ 167.9 грн
16+ 158.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFP10N60P media-3319600.pdf
IXFP10N60P
Виробник: IXYS
MOSFET HiPERFET Id10 BVdass600
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+280.11 грн
10+ 232.08 грн
50+ 190.13 грн
100+ 162.87 грн
250+ 153.79 грн
500+ 144.7 грн
1000+ 124.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFP10N80P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_10n80p_datasheet.pdf.pdf
IXFP10N80P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+397.99 грн
50+ 303.53 грн
100+ 260.18 грн
IXTP10N60P IXTP10N60P.pdf
IXTP10N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+200.91 грн
3+ 167.63 грн
6+ 133.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP10N60P IXTP10N60P.pdf
IXTP10N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+241.09 грн
3+ 208.89 грн
6+ 159.79 грн
17+ 150.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP10N60P media-3319784.pdf
IXTP10N60P
Виробник: IXYS
MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+269.51 грн
10+ 223.12 грн
50+ 182.99 грн
100+ 160.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXYP10N65B3D1 media-3319871.pdf
IXYP10N65B3D1
Виробник: IXYS
IGBT Transistors Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+313.42 грн
10+ 271.63 грн
50+ 200.51 грн
100+ 182.34 грн
250+ 171.96 грн
500+ 161.57 грн
1000+ 138.21 грн
IXYP10N65C3D1M IXYP10N65C3D1M.pdf
IXYP10N65C3D1M
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 7A
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.83 грн
8+ 106.12 грн
21+ 100.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]