Результат пошуку "p8m3" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SP8M3FU6TB SP8M3FU6TB
Код товару: 26073 		Rohm SP8M3.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 230/3,9
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 15 шт
1+29 грн
10+ 27 грн
ETQ-P8M3R3JFA ETQ-P8M3R3JFA Panasonic Electronic Components AGL0000C61.pdf Description: FIXED IND 3.3UH 19.6A 3.96 MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 2-SMD, J-Lead
Size / Dimension: 0.496" L x 0.516" W (12.60mm x 13.10mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 160°C
DC Resistance (DCR): 3.96mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 27.6A
Material - Core: Metal Composite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.315" (8.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 19.6 A
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.5 грн
10+ 160.05 грн
25+ 147.48 грн
50+ 123.7 грн
100+ 103.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
ETQ-P8M3R3JFA ETQ-P8M3R3JFA Panasonic AGL0000C61-1152822.pdf Power Inductors - SMD 3.3uH 27.6A 3.6mOhm AEC-Q200
на замовлення 500 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
2+210.08 грн
10+ 146.62 грн
100+ 103.18 грн
500+ 92.66 грн
1000+ 88.72 грн
2500+ 85.43 грн
5000+ 84.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
HP8M31TB1 HP8M31TB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=HP8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET HP8M31TB1 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for motor drive.
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.61 грн
10+ 135.28 грн
100+ 93.32 грн
250+ 86.09 грн
500+ 78.21 грн
1000+ 67.03 грн
2500+ 63.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
HP8M31TB1 HP8M31TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=HP8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 30V, 2300pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SP8M31HZGTB SP8M31HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8M31HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V, 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+142.18 грн
10+ 113.71 грн
100+ 90.51 грн
500+ 71.87 грн
1000+ 60.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
SP8M31HZGTB SP8M31HZGTB ROHM Semiconductor datasheet?p=SP8M31HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET AECQ
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+154.88 грн
10+ 126.21 грн
100+ 88.06 грн
250+ 84.12 грн
500+ 74.26 грн
1000+ 62.96 грн
2500+ 59.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
SP8M3; 5A/-4,5A; 30V/-30V; 2W; N/P-MOSFET x2; Корпус: SO-8; ROHM
на замовлення 49 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
29+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 29
SP8M3HZGTB SP8M3HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8M3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+98.82 грн
10+ 77.56 грн
100+ 60.33 грн
500+ 47.99 грн
1000+ 39.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
SP8M3HZGTB SP8M3HZGTB ROHM Semiconductor datasheet?p=SP8M3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET AECQ
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.34 грн
10+ 86.16 грн
100+ 58.36 грн
500+ 49.42 грн
1000+ 40.29 грн
2500+ 37.92 грн
5000+ 36.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
V10P8-M3/86A V10P8-M3/86A Vishay General Semiconductor v10p8.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 10A, 80V,TRENCH SKY RECT.
на замовлення 8622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.08 грн
10+ 40.36 грн
100+ 24.32 грн
500+ 20.37 грн
1000+ 17.09 грн
1500+ 16.76 грн
3000+ 15.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
V10P8-M3/86A V10P8-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10p8.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 80 V
на замовлення 4372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.37 грн
10+ 36.28 грн
100+ 25.13 грн
500+ 19.7 грн
Мінімальне замовлення: 7
V15P8-M3/86A V15P8-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v15p8.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 4.6A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4.6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 80 V
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500
V15P8-M3/86A V15P8-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v15p8.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 4.6A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4.6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 80 V
на замовлення 28123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.39 грн
10+ 30.46 грн
100+ 23.69 грн
500+ 18.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
V15P8-M3/86A V15P8-M3/86A Vishay General Semiconductor v15p8.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 15A, 80V,TRENCH SKY RECT.
на замовлення 14646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.09 грн
10+ 33.86 грн
100+ 22.94 грн
500+ 19.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
V15P8-M3/87A V15P8-M3/87A Vishay General Semiconductor v15p8.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 15A, 80V,TRENCH SKY RECT.
на замовлення 19420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.88 грн
10+ 48.22 грн
100+ 32.6 грн
500+ 27.6 грн
1000+ 22.48 грн
2500+ 21.23 грн
6500+ 20.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
V8P8-M3/86A V8P8-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v8p8.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 80 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.05 грн
3000+ 14.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500
V8P8-M3/86A V8P8-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v8p8.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 80 V
на замовлення 8538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.81 грн
10+ 33.34 грн
100+ 23.08 грн
500+ 18.1 грн
Мінімальне замовлення: 8
V8P8-M3/86A V8P8-M3/86A Vishay General Semiconductor v8p8.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 8A, 80V,TRENCH SKY RECT.
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
8+43.47 грн
10+ 37.03 грн
100+ 22.34 грн
500+ 18.73 грн
1000+ 15.9 грн
1500+ 14.13 грн
3000+ 14.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
SP8M3(TB)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SP8M3-TB
на замовлення 49950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SP8M3FD5-TB
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SP8M3FD5TB
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SP8M3FQ1TB1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SP8M3FTB
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SP8M3TB datasheet?p=SP8M3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SP8M3
Код товару: 89014 		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
ETQ-P8M3R3JFA ETQ-P8M3R3JFA Panasonic Electronic Components AGL0000C61.pdf Description: FIXED IND 3.3UH 19.6A 3.96 MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 2-SMD, J-Lead
Size / Dimension: 0.496" L x 0.516" W (12.60mm x 13.10mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 160°C
DC Resistance (DCR): 3.96mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 27.6A
Material - Core: Metal Composite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.315" (8.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 19.6 A
товар відсутній
ETQP8M3R3JFA PANASONIC AGL0000C59.pdf Category: SMD power inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 3.3uH; 23.6A; 3.6mΩ; ±20%; 12.6x13.1x8mm
Mounting: SMD
Manufacturer series: ETQP8M
Operating temperature: -40...150°C
Conform to the norm: AEC Q200
Body dimensions: 12.6x13.1x8mm
Inductance: 3.3µH
Type of inductor: wire
Operating current: 23.6A
Resistance: 3.6mΩ
Tolerance: ±20%
товар відсутній
ETQP8M3R3JFA PANASONIC AGL0000C59.pdf Category: SMD power inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 3.3uH; 23.6A; 3.6mΩ; ±20%; 12.6x13.1x8mm
Mounting: SMD
Manufacturer series: ETQP8M
Operating temperature: -40...150°C
Conform to the norm: AEC Q200
Body dimensions: 12.6x13.1x8mm
Inductance: 3.3µH
Type of inductor: wire
Operating current: 23.6A
Resistance: 3.6mΩ
Tolerance: ±20%
кількість в упаковці: 500 шт
товар відсутній
ETQP8M3R3JFA ETQP8M3R3JFA Panasonic agl0000c61.pdf Power Choke Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz Metal 23.6A 0.00396Ohm DCR Automotive T/R
товар відсутній
HP8M31TB1 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=HP8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 8.5/-8.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 7W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 73/80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.3/38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
HP8M31TB1 HP8M31TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=HP8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 30V, 2300pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
товар відсутній
SP8M31HZGTB SP8M31HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8M31HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V, 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товар відсутній
SP8M3FU6TB SP8M3FU6TB Rohm Semiconductor SP8M3.pdf description Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
товар відсутній
SP8M3FU6TB SP8M3FU6TB Rohm Semiconductor SP8M3.pdf description Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
товар відсутній
SP8M3FU6TB1 SP8M3FU6TB1 Rohm Semiconductor Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
товар відсутній
SP8M3FU7TB1 SP8M3FU7TB1 Rohm Semiconductor Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
товар відсутній
SP8M3HZGTB SP8M3HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8M3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товар відсутній
SP8M3TB SP8M3TB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8M3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
товар відсутній
SP8M3TB SP8M3TB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8M3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
товар відсутній
TP8M335K010C TP8M335K010C Vishay / Sprague Tantalum Capacitors - Solid SMD 10V 3.3uF 10% M Case
товар відсутній
TP8M335M010C TP8M335M010C Vishay / Sprague Tantalum Capacitors - Solid SMD 10V 3.3uF 20% M Case
товар відсутній
V10P8-M3/86A V10P8-M3/86A Vishay v10p8.pdf Rectifier Diode Schottky 80V 10A 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R
товар відсутній
V10P8-M3/86A V10P8-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10p8.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 80 V
товар відсутній
V10P8-M3/87A V10P8-M3/87A Vishay v10p8.pdf Rectifier Diode Schottky 80V 10A 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R
товар відсутній
V10P8-M3/87A V10P8-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10p8.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 80 V
товар відсутній
V10P8-M3/87A V10P8-M3/87A Vishay General Semiconductor v10p8.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 10A, 80V,TRENCH SKY RECT.
товар відсутній
V12P8-M3/86A V12P8-M3/86A Vishay v12p8.pdf Rectifier Diode Schottky 80V 12A 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R
товар відсутній
V12P8-M3/86A V12P8-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v12p8.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 4.3A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4.3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
товар відсутній
V12P8-M3/86A V12P8-M3/86A Vishay General Semiconductor v12p8.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 12A, 80V,TRENCH SKY RECT.
товар відсутній
V12P8-M3/87A V12P8-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v12p8.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 4.3A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4.3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
товар відсутній
V12P8-M3/87A V12P8-M3/87A Vishay v12p8.pdf Rectifier Diode Schottky 80V 12A 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R
товар відсутній
V12P8-M3/87A V12P8-M3/87A Vishay General Semiconductor v12p8.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 12A, 80V,TRENCH SKY RECT.
товар відсутній
V15P8-M3/86A VISHAY v15p8.pdf V15P8-M3/86A SMD Schottky diodes
товар відсутній
V15P8-M3/86A V15P8-M3/86A Vishay v15p8.pdf Diode Schottky 80V 15A 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R
товар відсутній
V15P8-M3/87A V15P8-M3/87A Vishay v15p8.pdf Rectifier Diode Schottky 80V 15A 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R
товар відсутній
V15P8-M3/87A V15P8-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v15p8.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 4.6A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4.6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 80 V
товар відсутній
V8P8-M3/86A V8P8-M3/86A Vishay v8p8.pdf Rectifier Diode Schottky 80V 8A 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R
товар відсутній
V8P8-M3/87A V8P8-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v8p8.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 80 V
товар відсутній
SP8M3FU6TB
Код товару: 26073		 description SP8M3.pdf
SP8M3FU6TB
Виробник: Rohm
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 230/3,9
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 15 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+29 грн
10+ 27 грн
ETQ-P8M3R3JFA AGL0000C61.pdf
ETQ-P8M3R3JFA
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: FIXED IND 3.3UH 19.6A 3.96 MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 2-SMD, J-Lead
Size / Dimension: 0.496" L x 0.516" W (12.60mm x 13.10mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 160°C
DC Resistance (DCR): 3.96mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 27.6A
Material - Core: Metal Composite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.315" (8.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 19.6 A
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+195.5 грн
10+ 160.05 грн
25+ 147.48 грн
50+ 123.7 грн
100+ 103.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
ETQ-P8M3R3JFA AGL0000C61-1152822.pdf
ETQ-P8M3R3JFA
Виробник: Panasonic
Power Inductors - SMD 3.3uH 27.6A 3.6mOhm AEC-Q200
на замовлення 500 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+210.08 грн
10+ 146.62 грн
100+ 103.18 грн
500+ 92.66 грн
1000+ 88.72 грн
2500+ 85.43 грн
5000+ 84.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
HP8M31TB1 datasheet?p=HP8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
HP8M31TB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET HP8M31TB1 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for motor drive.
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+165.61 грн
10+ 135.28 грн
100+ 93.32 грн
250+ 86.09 грн
500+ 78.21 грн
1000+ 67.03 грн
2500+ 63.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
HP8M31TB1 datasheet?p=HP8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
HP8M31TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 30V, 2300pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SP8M31HZGTB datasheet?p=SP8M31HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8M31HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V, 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+142.18 грн
10+ 113.71 грн
100+ 90.51 грн
500+ 71.87 грн
1000+ 60.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
SP8M31HZGTB datasheet?p=SP8M31HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8M31HZGTB
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET AECQ
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+154.88 грн
10+ 126.21 грн
100+ 88.06 грн
250+ 84.12 грн
500+ 74.26 грн
1000+ 62.96 грн
2500+ 59.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
SP8M3; 5A/-4,5A; 30V/-30V; 2W; N/P-MOSFET x2; Корпус: SO-8; ROHM
на замовлення 49 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 29
SP8M3HZGTB datasheet?p=SP8M3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8M3HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+98.82 грн
10+ 77.56 грн
100+ 60.33 грн
500+ 47.99 грн
1000+ 39.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
SP8M3HZGTB datasheet?p=SP8M3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8M3HZGTB
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET AECQ
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.34 грн
10+ 86.16 грн
100+ 58.36 грн
500+ 49.42 грн
1000+ 40.29 грн
2500+ 37.92 грн
5000+ 36.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
V10P8-M3/86A v10p8.pdf
V10P8-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 10A, 80V,TRENCH SKY RECT.
на замовлення 8622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.08 грн
10+ 40.36 грн
100+ 24.32 грн
500+ 20.37 грн
1000+ 17.09 грн
1500+ 16.76 грн
3000+ 15.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
V10P8-M3/86A v10p8.pdf
V10P8-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 80 V
на замовлення 4372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.37 грн
10+ 36.28 грн
100+ 25.13 грн
500+ 19.7 грн
Мінімальне замовлення: 7
V15P8-M3/86A v15p8.pdf
V15P8-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 4.6A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4.6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 80 V
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500
V15P8-M3/86A v15p8.pdf
V15P8-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 4.6A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4.6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 80 V
на замовлення 28123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.39 грн
10+ 30.46 грн
100+ 23.69 грн
500+ 18.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
V15P8-M3/86A v15p8.pdf
V15P8-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 15A, 80V,TRENCH SKY RECT.
на замовлення 14646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.09 грн
10+ 33.86 грн
100+ 22.94 грн
500+ 19.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
V15P8-M3/87A v15p8.pdf
V15P8-M3/87A
Виробник: Vishay General Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 15A, 80V,TRENCH SKY RECT.
на замовлення 19420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.88 грн
10+ 48.22 грн
100+ 32.6 грн
500+ 27.6 грн
1000+ 22.48 грн
2500+ 21.23 грн
6500+ 20.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
V8P8-M3/86A v8p8.pdf
V8P8-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 80 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+17.05 грн
3000+ 14.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500
V8P8-M3/86A v8p8.pdf
V8P8-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 80 V
на замовлення 8538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.81 грн
10+ 33.34 грн
100+ 23.08 грн
500+ 18.1 грн
Мінімальне замовлення: 8
V8P8-M3/86A v8p8.pdf
V8P8-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 8A, 80V,TRENCH SKY RECT.
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.47 грн
10+ 37.03 грн
100+ 22.34 грн
500+ 18.73 грн
1000+ 15.9 грн
1500+ 14.13 грн
3000+ 14.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
SP8M3(TB)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SP8M3-TB
на замовлення 49950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SP8M3FD5-TB
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SP8M3FD5TB
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SP8M3FQ1TB1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SP8M3FTB
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SP8M3TB datasheet?p=SP8M3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SP8M3
Код товару: 89014
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
ETQ-P8M3R3JFA AGL0000C61.pdf
ETQ-P8M3R3JFA
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: FIXED IND 3.3UH 19.6A 3.96 MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 2-SMD, J-Lead
Size / Dimension: 0.496" L x 0.516" W (12.60mm x 13.10mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 160°C
DC Resistance (DCR): 3.96mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 27.6A
Material - Core: Metal Composite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.315" (8.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 19.6 A
товар відсутній
ETQP8M3R3JFA AGL0000C59.pdf
Виробник: PANASONIC
Category: SMD power inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 3.3uH; 23.6A; 3.6mΩ; ±20%; 12.6x13.1x8mm
Mounting: SMD
Manufacturer series: ETQP8M
Operating temperature: -40...150°C
Conform to the norm: AEC Q200
Body dimensions: 12.6x13.1x8mm
Inductance: 3.3µH
Type of inductor: wire
Operating current: 23.6A
Resistance: 3.6mΩ
Tolerance: ±20%
товар відсутній
ETQP8M3R3JFA AGL0000C59.pdf
Виробник: PANASONIC
Category: SMD power inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 3.3uH; 23.6A; 3.6mΩ; ±20%; 12.6x13.1x8mm
Mounting: SMD
Manufacturer series: ETQP8M
Operating temperature: -40...150°C
Conform to the norm: AEC Q200
Body dimensions: 12.6x13.1x8mm
Inductance: 3.3µH
Type of inductor: wire
Operating current: 23.6A
Resistance: 3.6mΩ
Tolerance: ±20%
кількість в упаковці: 500 шт
товар відсутній
ETQP8M3R3JFA agl0000c61.pdf
ETQP8M3R3JFA
Виробник: Panasonic
Power Choke Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz Metal 23.6A 0.00396Ohm DCR Automotive T/R
товар відсутній
HP8M31TB1 datasheet?p=HP8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 8.5/-8.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 7W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 73/80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.3/38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
HP8M31TB1 datasheet?p=HP8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
HP8M31TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 30V, 2300pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
товар відсутній
SP8M31HZGTB datasheet?p=SP8M31HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8M31HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V, 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товар відсутній
SP8M3FU6TB description SP8M3.pdf
SP8M3FU6TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
товар відсутній
SP8M3FU6TB description SP8M3.pdf
SP8M3FU6TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
товар відсутній
SP8M3FU6TB1
SP8M3FU6TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
товар відсутній
SP8M3FU7TB1
SP8M3FU7TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
товар відсутній
SP8M3HZGTB datasheet?p=SP8M3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8M3HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товар відсутній
SP8M3TB datasheet?p=SP8M3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8M3TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
товар відсутній
SP8M3TB datasheet?p=SP8M3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8M3TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
товар відсутній
TP8M335K010C
TP8M335K010C
Виробник: Vishay / Sprague
Tantalum Capacitors - Solid SMD 10V 3.3uF 10% M Case
товар відсутній
TP8M335M010C
TP8M335M010C
Виробник: Vishay / Sprague
Tantalum Capacitors - Solid SMD 10V 3.3uF 20% M Case
товар відсутній
V10P8-M3/86A v10p8.pdf
V10P8-M3/86A
Виробник: Vishay
Rectifier Diode Schottky 80V 10A 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R
товар відсутній
V10P8-M3/86A v10p8.pdf
V10P8-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 80 V
товар відсутній
V10P8-M3/87A v10p8.pdf
V10P8-M3/87A
Виробник: Vishay
Rectifier Diode Schottky 80V 10A 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R
товар відсутній
V10P8-M3/87A v10p8.pdf
V10P8-M3/87A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 80 V
товар відсутній
V10P8-M3/87A v10p8.pdf
V10P8-M3/87A
Виробник: Vishay General Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 10A, 80V,TRENCH SKY RECT.
товар відсутній
V12P8-M3/86A v12p8.pdf
V12P8-M3/86A
Виробник: Vishay
Rectifier Diode Schottky 80V 12A 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R
товар відсутній
V12P8-M3/86A v12p8.pdf
V12P8-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 4.3A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4.3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
товар відсутній
V12P8-M3/86A v12p8.pdf
V12P8-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 12A, 80V,TRENCH SKY RECT.
товар відсутній
V12P8-M3/87A v12p8.pdf
V12P8-M3/87A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 4.3A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4.3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
товар відсутній
V12P8-M3/87A v12p8.pdf
V12P8-M3/87A
Виробник: Vishay
Rectifier Diode Schottky 80V 12A 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R
товар відсутній
V12P8-M3/87A v12p8.pdf
V12P8-M3/87A
Виробник: Vishay General Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 12A, 80V,TRENCH SKY RECT.
товар відсутній
V15P8-M3/86A v15p8.pdf
Виробник: VISHAY
V15P8-M3/86A SMD Schottky diodes
товар відсутній
V15P8-M3/86A v15p8.pdf
V15P8-M3/86A
Виробник: Vishay
Diode Schottky 80V 15A 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R
товар відсутній
V15P8-M3/87A v15p8.pdf
V15P8-M3/87A
Виробник: Vishay
Rectifier Diode Schottky 80V 15A 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R
товар відсутній
V15P8-M3/87A v15p8.pdf
V15P8-M3/87A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 4.6A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4.6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 80 V
товар відсутній
V8P8-M3/86A v8p8.pdf
V8P8-M3/86A
Виробник: Vishay
Rectifier Diode Schottky 80V 8A 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R
товар відсутній
V8P8-M3/87A v8p8.pdf
V8P8-M3/87A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 80 V
товар відсутній
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]