Результат пошуку "rf730" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 19
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 23
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 9
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7301PBF Код товару: 22639 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 20 V Idd,A: 5,7 A Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 660/20 Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
у наявності: 65 шт
|
|
|||||||||||||||
IRF7303PBF Код товару: 113419 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 3,9 A Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 520/25 Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
у наявності: 202 шт
|
|
|||||||||||||||
IRF7304 (IRF7304PBF) Код товару: 34673 |
IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 20 V Id,A: 4,7 A Rds(on),Om: 0,09 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 610/22 Монтаж: SMD |
у наявності: 52 шт
|
|
|||||||||||||||
IRF7307TRPBF Код товару: 40384 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 20 V Idd,A: 4,1 A Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 660/20 Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
у наявності: 70 шт
|
|
|||||||||||||||
IRF7309PBF Код товару: 36562 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 4,7(3,5) A Rds(on), Ohm: 0,05(0.1) Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 520/25 Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
у наявності: 524 шт
|
|
|||||||||||||||
IRF730PBF Код товару: 123226 |
SILI |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 400 V Idd,A: 5,5 A Rds(on), Ohm: 1 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 700/38 Монтаж: THT |
у наявності: 139 шт
|
|
|||||||||||||||
RF7303SR | RFMD | QFN |
на замовлення 119 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF730 | Siliconix |
N-MOSFET 4.5A 400V 75W 1Ω IRF730 TIRF730 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 207 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7301PBF | IR | Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET SO8 Udss=20V Id=5,2A P=2W Rds=0,05Ohm |
на замовлення 268 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7301PBF | International Rectifier/Infineon | 2N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; SOICN-8 |
на замовлення 37 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7301TR | Infineon |
2xN-MOSFET 5.2A 20V 2W 0.05Ω IRF7301 smd TIRF7301 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 285 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7301TR | Infineon |
2xN-MOSFET 5.2A 20V 2W 0.05Ω IRF7301 smd TIRF7301 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 1332 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7303TR | Infineon |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; IRF7303 TIRF7303 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 84 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7303TR | UMW |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303TR UMW TIRF7303 UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7303TRPBF | International Rectifier/Infineon | 2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7303TRPBF | IR | Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=30V; Id=4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,05 Ohm |
на замовлення 1486 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7304 | International Rectifier |
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7304 | International Rectifier |
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7304PBF | International Rectifier/Infineon | 2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,3 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15; Qg, нКл = 22 @ 4,5 В; Rds = 90 мОм @ 2,2 A; 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; SOICN-8 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7304TR | UMW |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 4,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7304; IRF7304TR; SP001561936; SP001565312; IRF7304TR UMW TIRF7304 UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 175 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7304TRPBF | International Rectifier/Infineon | 2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,3; Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15; Qg, нКл = 22 @ 4,5 В; Rds = 90 мОм @ 2,2 A; 4,5 В; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; ; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+155; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7306PBF | International Rectifier/Infineon | 2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 3,6 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 1,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8 |
на замовлення 86 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7306TR | Infineon |
2xP-MOSFET -3,6A -30V 2W 0.1Ω IRF7306 TIRF7306 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 380 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7306TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.6A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7306TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.6A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7306TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A |
на замовлення 7952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7307 | IR | Транз. Пол. ММ 1N-1P-HEXFET logik SO8 Udss=+-20V; Id=4,3A; Id=-3.6A Pdmax=1,4W; Rds=0,05 Ohm |
на замовлення 217 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7307PBF | International Rectifier/Infineon | Транзистор польовий N+P; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; td(on)+tr = 9; td(off)+tf = 32; Id2 = 4, |
на замовлення 61 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7307TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальный и P-канальный ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 пФ @ 15 В; Qg, нКл = 20 @ 4.5 В; Rds = 50 мОм @ 2.6 A, 4.5 В; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
на замовлення 7 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7309 | Infineon |
N/P-MOSFET 4A/-3,5A 30V/-30V 1,4W 0.05Ω IRF7309 TIRF7309 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7309PBF | IR | Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-3,6A; Pdmax=2,0W; Rds=0,10 Ohm |
на замовлення 427 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7309TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 4/-3A Power dissipation: 1.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.05/0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 562 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7309TRPBF | International Rectifier/Infineon | Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 4 А; Ptot, Вт = 1,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Id2 = 3 A; SOICN-8 |
на замовлення 1270 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7309TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 4/-3A Power dissipation: 1.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.05/0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 562 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7309TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7309TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7309TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A |
на замовлення 3546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF730A | IR | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=400V; Id=5,5A; Pdmax=74W; Rds=1 Ohm |
на замовлення 4 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF730APBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 400V N-CH HEXFET |
на замовлення 1331 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF730APBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 400V N-CH HEXFET |
на замовлення 1719 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF730ASPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 400V N-CH HEXFET D2-PA |
на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF730ASTRLPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 400V N-CH HEXFET D2-PA |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF730BPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 400V 1ohm@10V 5.5A N/Ch |
на замовлення 755 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF730PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 3.5A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF730PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 3.5A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 795 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF730PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 400V N-CH HEXFET |
на замовлення 26424 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF730PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 400V N-CH MOSFET |
на замовлення 3941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF730SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 3.5A Power dissipation: 74W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 191 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF730SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 3.5A Power dissipation: 74W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 191 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF730STRLPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp |
на замовлення 727 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Транзистор польовий IRF730 5.5A 400V N-ch TO-220 |
на замовлення 39 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Транзистор польовий IRF7303TRPBF 5.3A 30V N-ch SO8 |
на замовлення 25 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Транзистор польовий IRF7306TRPBF 3.6A 30V 2P-ch SO8 |
на замовлення 6 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Транзистор польовий IRF7307TRPBF 5.7А 20V N+P-ch SO8 |
на замовлення 22 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7301 | IOR | 09+ |
на замовлення 34018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7301 | IOR | 09+ SO-8 |
на замовлення 4502 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7301 | IR | 09+ |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7301 | IOR |
на замовлення 3502 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7301 | IR | SO-8 |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7303 | IR |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
IRF7301PBF Код товару: 22639 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 20 V
Idd,A: 5,7 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 20 V
Idd,A: 5,7 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 65 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 24.5 грн |
10+ | 21.8 грн |
IRF7303PBF Код товару: 113419 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 3,9 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 3,9 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 202 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 28 грн |
10+ | 25.2 грн |
100+ | 22.5 грн |
IRF7304 (IRF7304PBF) Код товару: 34673 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 4,7 A
Rds(on),Om: 0,09 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/22
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 4,7 A
Rds(on),Om: 0,09 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/22
Монтаж: SMD
у наявності: 52 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 22 грн |
10+ | 19.8 грн |
IRF7307TRPBF Код товару: 40384 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,1 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,1 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 70 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 48 грн |
10+ | 44 грн |
IRF7309PBF Код товару: 36562 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4,7(3,5) A
Rds(on), Ohm: 0,05(0.1) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4,7(3,5) A
Rds(on), Ohm: 0,05(0.1) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 524 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 22 грн |
10+ | 19.8 грн |
100+ | 17.9 грн |
IRF730PBF Код товару: 123226 |
Виробник: SILI
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 400 V
Idd,A: 5,5 A
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/38
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 400 V
Idd,A: 5,5 A
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/38
Монтаж: THT
у наявності: 139 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 20 грн |
10+ | 17.6 грн |
IRF730 |
на замовлення 207 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 31.56 грн |
IRF7301PBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET SO8 Udss=20V Id=5,2A P=2W Rds=0,05Ohm
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET SO8 Udss=20V Id=5,2A P=2W Rds=0,05Ohm
на замовлення 268 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 44.53 грн |
10+ | 36.59 грн |
IRF7301PBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; SOICN-8
2N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 37 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 41.64 грн |
17+ | 38.86 грн |
100+ | 36.08 грн |
IRF7301TR |
на замовлення 285 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 55.95 грн |
IRF7301TR |
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 55.95 грн |
IRF7303TR |
Виробник: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; IRF7303 TIRF7303
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; IRF7303 TIRF7303
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 19.62 грн |
IRF7303TR |
Виробник: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303TR UMW TIRF7303 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303TR UMW TIRF7303 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 16.21 грн |
IRF7303TRPBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 62.4 грн |
100+ | 32.1 грн |
IRF7303TRPBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=30V; Id=4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,05 Ohm
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=30V; Id=4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,05 Ohm
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 44.53 грн |
10+ | 36.59 грн |
IRF7304 |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 62.95 грн |
IRF7304 |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 62.95 грн |
IRF7304PBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,3 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15; Qg, нКл = 22 @ 4,5 В; Rds = 90 мОм @ 2,2 A; 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; SOICN-8
2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,3 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15; Qg, нКл = 22 @ 4,5 В; Rds = 90 мОм @ 2,2 A; 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 624 грн |
10+ | 62.4 грн |
100+ | 22.46 грн |
IRF7304TR |
Виробник: UMW
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 4,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7304; IRF7304TR; SP001561936; SP001565312; IRF7304TR UMW TIRF7304 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 4,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7304; IRF7304TR; SP001561936; SP001565312; IRF7304TR UMW TIRF7304 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 13.48 грн |
IRF7304TRPBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,3; Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15; Qg, нКл = 22 @ 4,5 В; Rds = 90 мОм @ 2,2 A; 4,5 В; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; ; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+155; Тип монт. = smd; SOICN-8
2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,3; Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15; Qg, нКл = 22 @ 4,5 В; Rds = 90 мОм @ 2,2 A; 4,5 В; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; ; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+155; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 624 грн |
10+ | 62.4 грн |
100+ | 19.39 грн |
IRF7306PBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 3,6 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 1,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 3,6 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 1,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 86 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
19+ | 34.4 грн |
20+ | 32.1 грн |
100+ | 29.81 грн |
IRF7306TR |
на замовлення 380 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 31.39 грн |
IRF7306TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 74.46 грн |
9+ | 40.8 грн |
25+ | 36.15 грн |
26+ | 31.35 грн |
70+ | 29.64 грн |
IRF7306TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 89.35 грн |
6+ | 50.84 грн |
25+ | 43.37 грн |
26+ | 37.62 грн |
70+ | 35.57 грн |
IRF7306TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A
MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A
на замовлення 7952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 64.17 грн |
10+ | 51.54 грн |
100+ | 34.83 грн |
500+ | 29.31 грн |
1000+ | 23.46 грн |
2000+ | 22.28 грн |
4000+ | 22.21 грн |
IRF7307 |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 1N-1P-HEXFET logik SO8 Udss=+-20V; Id=4,3A; Id=-3.6A Pdmax=1,4W; Rds=0,05 Ohm
Транз. Пол. ММ 1N-1P-HEXFET logik SO8 Udss=+-20V; Id=4,3A; Id=-3.6A Pdmax=1,4W; Rds=0,05 Ohm
на замовлення 217 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 40.75 грн |
10+ | 33.49 грн |
IRF7307PBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
Транзистор польовий N+P; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; td(on)+tr = 9; td(off)+tf = 32; Id2 = 4,
Транзистор польовий N+P; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; td(on)+tr = 9; td(off)+tf = 32; Id2 = 4,
на замовлення 61 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 21.17 грн |
32+ | 19.77 грн |
100+ | 18.35 грн |
IRF7307TRPBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальный и P-канальный ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 пФ @ 15 В; Qg, нКл = 20 @ 4.5 В; Rds = 50 мОм @ 2.6 A, 4.5 В; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
N-канальный и P-канальный ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 пФ @ 15 В; Qg, нКл = 20 @ 4.5 В; Rds = 50 мОм @ 2.6 A, 4.5 В; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 7 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 111.15 грн |
10+ | 103.74 грн |
100+ | 96.33 грн |
IRF7309 |
Виробник: Infineon
N/P-MOSFET 4A/-3,5A 30V/-30V 1,4W 0.05Ω IRF7309 TIRF7309
кількість в упаковці: 5 шт
N/P-MOSFET 4A/-3,5A 30V/-30V 1,4W 0.05Ω IRF7309 TIRF7309
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 34.12 грн |
IRF7309PBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-3,6A; Pdmax=2,0W; Rds=0,10 Ohm
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-3,6A; Pdmax=2,0W; Rds=0,10 Ohm
на замовлення 427 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 29.82 грн |
11+ | 24.5 грн |
IRF7309TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 70.04 грн |
10+ | 34.23 грн |
13+ | 27.86 грн |
34+ | 23.55 грн |
93+ | 22.25 грн |
500+ | 21.43 грн |
IRF7309TRPBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 4 А; Ptot, Вт = 1,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Id2 = 3 A; SOICN-8
Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 4 А; Ptot, Вт = 1,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Id2 = 3 A; SOICN-8
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 21.31 грн |
32+ | 19.89 грн |
100+ | 18.47 грн |
IRF7309TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 562 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 84.04 грн |
6+ | 42.65 грн |
10+ | 33.43 грн |
34+ | 28.26 грн |
93+ | 26.7 грн |
500+ | 25.71 грн |
IRF7309TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 13.65 грн |
IRF7309TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 13.65 грн |
IRF7309TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
на замовлення 3546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 59.88 грн |
10+ | 44.89 грн |
100+ | 31.09 грн |
500+ | 27.08 грн |
1000+ | 22.41 грн |
2000+ | 21.1 грн |
4000+ | 20.5 грн |
IRF730A |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=400V; Id=5,5A; Pdmax=74W; Rds=1 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=400V; Id=5,5A; Pdmax=74W; Rds=1 Ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 69.3 грн |
10+ | 32.66 грн |
IRF730APBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V N-CH HEXFET
MOSFET 400V N-CH HEXFET
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 124.21 грн |
10+ | 101.27 грн |
100+ | 74.26 грн |
500+ | 63.55 грн |
1000+ | 55.2 грн |
2000+ | 51.92 грн |
IRF730APBF-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 400V N-CH HEXFET
MOSFET 400V N-CH HEXFET
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 131.11 грн |
10+ | 89.18 грн |
100+ | 66.38 грн |
250+ | 64.8 грн |
500+ | 58.1 грн |
1000+ | 50.14 грн |
2000+ | 50.08 грн |
IRF730ASPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V N-CH HEXFET D2-PA
MOSFET 400V N-CH HEXFET D2-PA
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 157.18 грн |
10+ | 124.7 грн |
100+ | 89.38 грн |
250+ | 82.81 грн |
500+ | 74.26 грн |
1000+ | 61.12 грн |
2000+ | 59.8 грн |
IRF730ASTRLPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V N-CH HEXFET D2-PA
MOSFET 400V N-CH HEXFET D2-PA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 136.48 грн |
10+ | 117.14 грн |
100+ | 87.41 грн |
250+ | 82.81 грн |
500+ | 66.38 грн |
800+ | 64.4 грн |
2400+ | 60.66 грн |
IRF730BPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V 1ohm@10V 5.5A N/Ch
MOSFET 400V 1ohm@10V 5.5A N/Ch
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 77.44 грн |
10+ | 62.8 грн |
100+ | 42.45 грн |
500+ | 36.01 грн |
1000+ | 28.13 грн |
5000+ | 27.01 грн |
10000+ | 26.48 грн |
IRF730PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 64.14 грн |
10+ | 44.02 грн |
23+ | 35.26 грн |
62+ | 33.34 грн |
IRF730PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 76.97 грн |
10+ | 54.85 грн |
23+ | 42.31 грн |
62+ | 40.01 грн |
1000+ | 39.02 грн |
IRF730PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V N-CH HEXFET
MOSFET 400V N-CH HEXFET
на замовлення 26424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 92.01 грн |
10+ | 71.72 грн |
100+ | 53.69 грн |
500+ | 44.69 грн |
1000+ | 42.98 грн |
2000+ | 41.53 грн |
5000+ | 40.55 грн |
IRF730PBF-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 400V N-CH MOSFET
MOSFET 400V N-CH MOSFET
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 101.97 грн |
10+ | 80.87 грн |
100+ | 55.73 грн |
500+ | 47.25 грн |
1000+ | 40.55 грн |
IRF730SPBF |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 62.66 грн |
10+ | 53.4 грн |
19+ | 42.44 грн |
51+ | 40.39 грн |
IRF730SPBF |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 75.2 грн |
10+ | 66.54 грн |
19+ | 50.93 грн |
51+ | 48.47 грн |
1000+ | 46.82 грн |
IRF730STRLPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp
MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 163.31 грн |
10+ | 134.53 грн |
100+ | 92.66 грн |
250+ | 85.43 грн |
500+ | 70.32 грн |
800+ | 62.96 грн |
2400+ | 61.71 грн |
Транзистор польовий IRF730 5.5A 400V N-ch TO-220 |
на замовлення 39 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 26.25 грн |
Транзистор польовий IRF7303TRPBF 5.3A 30V N-ch SO8 |
на замовлення 25 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 27.48 грн |
Транзистор польовий IRF7306TRPBF 3.6A 30V 2P-ch SO8 |
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 26.73 грн |
Транзистор польовий IRF7307TRPBF 5.7А 20V N+P-ch SO8 |
на замовлення 22 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 17.96 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]