Результат пошуку "rn1427" : 16
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 674
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 629
Мінімальне замовлення: 12
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RN1427(TE85L,F) QG. | Toshiba |
NPN 50V 800mA 200mW 300MHz +res. 22k+10k RN1427TE85LF RN1427 TRN1427 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
RN1427TE85LF | Toshiba |
 Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 2908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RN1427TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 300 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 2832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RN1427TE85LF | Toshiba |
Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 6242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RN1427TE85LF | Toshiba |
Digital Transistors NPN 50V 0.8A TRANSISTOR LOG |
на замовлення 27659 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RN1427 | TOSHIBA |
на замовлення 61000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| RN1427 | TOSHIBA | SOT-23 |
на замовлення 326 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
RN1427(TE85L,F) Код товару: 169677 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
| RN1427 | Toshiba | Toshiba |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| RN1427(TE5L2F) | Toshiba | RN1427(TE5L2F) |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
RN1427(TE85L,F) | TOSHIBA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.8A; 0.2W; SC59; R1: 2.2kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SC59 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
RN1427(TE85L,F) | Toshiba |
Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
RN1427TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 300 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
RN1427TE85LF | Toshiba |
Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
RN1427(TE85L,F) | TOSHIBA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.8A; 0.2W; SC59; R1: 2.2kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SC59 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 12000 шт |
товар відсутній |
| RN1427(TE85L,F) QG. |
Виробник: Toshiba
NPN 50V 800mA 200mW 300MHz +res. 22k+10k RN1427TE85LF RN1427 TRN1427
кількість в упаковці: 50 шт
NPN 50V 800mA 200mW 300MHz +res. 22k+10k RN1427TE85LF RN1427 TRN1427
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 8.87 грн |
| RN1427TE85LF |
|
Виробник: Toshiba
Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 674+ | 17.28 грн |
| 700+ | 16.65 грн |
| 1000+ | 16.11 грн |
| 2500+ | 15.07 грн |
| RN1427TE85LF |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 24.17 грн |
| 15+ | 18.42 грн |
| 100+ | 11.03 грн |
| 500+ | 9.59 грн |
| 1000+ | 6.52 грн |
| RN1427TE85LF |
|
Виробник: Toshiba
Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 6242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 629+ | 18.53 грн |
| 632+ | 18.43 грн |
| 774+ | 15.04 грн |
| 1000+ | 13.57 грн |
| 2000+ | 12.47 грн |
| 3000+ | 11.31 грн |
| 6000+ | 10.64 грн |
| RN1427TE85LF |
|
Виробник: Toshiba
Digital Transistors NPN 50V 0.8A TRANSISTOR LOG
Digital Transistors NPN 50V 0.8A TRANSISTOR LOG
на замовлення 27659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 26.38 грн |
| 15+ | 21.31 грн |
| 100+ | 12.62 грн |
| 1000+ | 7.1 грн |
| 3000+ | 6.51 грн |
| 9000+ | 5.65 грн |
| 24000+ | 5.19 грн |
| RN1427(TE85L,F) |
|
Виробник: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.8A; 0.2W; SC59; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.8A; 0.2W; SC59; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товар відсутній
| RN1427(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba
Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
| RN1427TE85LF |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
| RN1427TE85LF |
|
Виробник: Toshiba
Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
| RN1427(TE85L,F) |
|
Виробник: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.8A; 0.2W; SC59; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 12000 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.8A; 0.2W; SC59; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 12000 шт
товар відсутній