Результат пошуку "stf1" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
STF100N10F7 STF100N10F7 STMicroelectronics stb100n10f7.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+157.25 грн
90+ 127.71 грн
100+ 119.13 грн
200+ 113.96 грн
500+ 94.45 грн
1000+ 84.14 грн
Мінімальне замовлення: 73
STF100N10F7 STF100N10F7 STMICROELECTRONICS 2124335.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STF100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0068 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+194.61 грн
10+ 113.21 грн
100+ 96.93 грн
500+ 88.63 грн
1000+ 79.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF100N6F7 STF100N6F7 STMicroelectronics STF100N6F7.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 46A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.75 грн
50+ 79.73 грн
100+ 65.6 грн
500+ 52.09 грн
1000+ 44.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF10LN80K5 STF10LN80K5 STMicroelectronics en.DM00176897.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.79 грн
50+ 148.67 грн
100+ 127.43 грн
500+ 106.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF10N105K5 STF10N105K5 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000954623-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STF10N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 6 A, 1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+268.6 грн
10+ 190.17 грн
100+ 162.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF10N60DM2 STF10N60DM2 STMicroelectronics dm00299.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+11.67 грн
100+ 5.67 грн
Мінімальне замовлення: 49
STF10N60DM2 STF10N60DM2 STMicroelectronics dm00299.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
911+12.57 грн
Мінімальне замовлення: 911
STF10N60DM2 STF10N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299235.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 100 V
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.88 грн
50+ 88.58 грн
100+ 72.89 грн
500+ 57.88 грн
1000+ 49.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF10N60M2 STF10N60M2 STMicroelectronics en.DM00086387.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 2586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+99.18 грн
50+ 77.12 грн
100+ 61.1 грн
500+ 48.61 грн
1000+ 39.6 грн
2000+ 37.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF10N60M2 STF10N60M2 STMicroelectronics stf10n60m2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+40.31 грн
309+ 37.08 грн
319+ 35.93 грн
500+ 33.36 грн
1000+ 29.7 грн
2000+ 27.53 грн
Мінімальне замовлення: 284
STF10N60M2 STF10N60M2 STMICROELECTRONICS 2371873.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STF10N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.55 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.65 грн
10+ 89.53 грн
100+ 66.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
STF10N65K3 STMicroelectronics en.CD00235865.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.89 грн
10+ 83.83 грн
16+ 50.16 грн
44+ 47.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF10N65K3 STMicroelectronics en.CD00235865.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+119.87 грн
10+ 104.46 грн
16+ 60.19 грн
44+ 56.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF10N65K3 STF10N65K3 STMicroelectronics en.CD00235865.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.88 грн
50+ 88.58 грн
100+ 72.89 грн
500+ 57.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF10N65K3 STF10N65K3 STMICROELECTRONICS SGSTS49417-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STF10N65K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.49 грн
10+ 98.41 грн
100+ 77.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
STF10N80K5 STF10N80K5 STMicroelectronics en.DM00122529.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 100 V
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.48 грн
50+ 164.64 грн
100+ 141.12 грн
500+ 117.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF10N80K5 STF10N80K5 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STF10N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.47 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+199.05 грн
10+ 140.59 грн
100+ 129.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF10N80K5 STF10N80K5 STMicroelectronics 196943840437935dm001.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STF10N95K5 STF10N95K5 STMicroelectronics en.DM00088506.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.88 грн
7+ 121.62 грн
18+ 114.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF10N95K5 STF10N95K5 STMicroelectronics en.DM00088506.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+253.06 грн
7+ 151.55 грн
18+ 137.69 грн
1000+ 136.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF10N95K5 STF10N95K5 STMICROELECTRONICS SGSTS50742-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STF10N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 8 A, 0.65 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.18 грн
10+ 135.41 грн
100+ 112.47 грн
500+ 103.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF10NM60N STF10NM60N STMicroelectronics std10nm60n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.69 грн
6+ 65.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
STF10NM60N STF10NM60N STMicroelectronics std10nm60n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+93.23 грн
5+ 81.34 грн
17+ 57.39 грн
46+ 54.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF10NM60N STF10NM60N STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002027437-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STF10NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.52 грн
10+ 114.69 грн
100+ 102.11 грн
500+ 92.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF10NM60N STF10NM60N STMicroelectronics std10nm60n.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.93 грн
50+ 153.88 грн
100+ 131.9 грн
500+ 110.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF10NM65N STF10NM65N STMicroelectronics std10nm65n.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+101.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
STF10NM65N STF10NM65N STMicroelectronics std10nm65n.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+109.18 грн
Мінімальне замовлення: 105
STF10P6F6 STF10P6F6 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STF10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.13 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.95 грн
13+ 56.98 грн
100+ 45.8 грн
500+ 37.79 грн
1000+ 30.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
STF11N60DM2 STF11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299434.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+118.39 грн
10+ 76.95 грн
13+ 64.59 грн
34+ 61.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF11N60DM2 STF11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299434.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+142.07 грн
10+ 95.9 грн
13+ 77.5 грн
34+ 73.38 грн
1000+ 72.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF11N60DM2 STF11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299434.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.87 грн
50+ 92.57 грн
100+ 76.16 грн
500+ 60.48 грн
1000+ 51.31 грн
2000+ 48.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF11N60DM2 STF11N60DM2 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0009169662-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STF11N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.01 грн
10+ 80.65 грн
100+ 66.3 грн
500+ 56.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
STF11N65M2 STF11N65M2 STMicroelectronics stf11n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STF11N65M5 STF11N65M5 STMICROELECTRONICS 2371874.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STF11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.75 грн
10+ 85.09 грн
100+ 72.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
STF11N65M5 STF11N65M5 STMicroelectronics 3413stb11n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+125.8 грн
100+ 114.37 грн
123+ 93.69 грн
200+ 84.55 грн
500+ 78.03 грн
1000+ 66.57 грн
2000+ 62.08 грн
4000+ 60.54 грн
Мінімальне замовлення: 91
STF11NM50N STF11NM50N STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002229483-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STF11NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.5 A, 0.4 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.38 грн
10+ 133.19 грн
100+ 114.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF11NM60ND STF11NM60ND STMicroelectronics STX11NM60ND.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.98 грн
10+ 83.83 грн
27+ 79.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF11NM60ND STF11NM60ND STMicroelectronics STX11NM60ND.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+310.78 грн
10+ 104.46 грн
27+ 94.82 грн
STF11NM60ND STF11NM60ND STMicroelectronics 1529482094833985cd001.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+105.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
STF11NM60ND STF11NM60ND STMICROELECTRONICS SGSTS32470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STF11NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.78 грн
10+ 224.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF11NM60ND STF11NM60ND STMicroelectronics 1529482094833985cd001.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+113.76 грн
Мінімальне замовлення: 101
STF11NM65N STF11NM65N STMicroelectronics cd00158685.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+64.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
STF11NM65N STF11NM65N STMicroelectronics cd00158685.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+69.31 грн
Мінімальне замовлення: 165
STF11NM80 STF11NM80 STMicroelectronics STF11NM80-DTE.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.38 грн
3+ 243.23 грн
5+ 161.47 грн
14+ 152.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF11NM80 STF11NM80 STMicroelectronics STF11NM80-DTE.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+364.05 грн
3+ 303.1 грн
5+ 193.76 грн
14+ 183.04 грн
STF11NM80 STF11NM80 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0011462418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - STF11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
на замовлення 2278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+472.09 грн
10+ 332.24 грн
100+ 295.24 грн
500+ 249.41 грн
1000+ 213.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF11NM80 STF11NM80 STMicroelectronics en.CD00003205.pdf description Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.42 грн
50+ 309.37 грн
100+ 276.81 грн
500+ 229.21 грн
STF11NM80 STF11NM80 STMicroelectronics 371cd00003205.pdf description Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+213.73 грн
56+ 205.59 грн
100+ 198.62 грн
250+ 185.71 грн
Мінімальне замовлення: 54
STF11NM80 ST en.CD00003205.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 400mOhm; 11A; 35W; -65°C ~ 150°C; STF11NM80 TSTF11NM80
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+106.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
STF11NM80 ST en.CD00003205.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 400mOhm; 11A; 35W; -65°C ~ 150°C; STF11NM80 TSTF11NM80
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+106.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
STF12N120K5 STF12N120K5 STMicroelectronics en.DM00117846.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+718.51 грн
50+ 560.38 грн
100+ 527.42 грн
500+ 448.56 грн
STF12N120K5 STF12N120K5 STMicroelectronics 729700698531532dm00117846.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+556.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF12N120K5 STF12N120K5 STMICROELECTRONICS 2371875.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STF12N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+812.46 грн
5+ 734.77 грн
10+ 656.33 грн
50+ 575.1 грн
100+ 528.32 грн
250+ 525.78 грн
STF12N120K5 STF12N120K5 STMicroelectronics 729700698531532dm00117846.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+509.44 грн
STF12N120K5 STF12N120K5 STMicroelectronics 729700698531532dm00117846.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+708.41 грн
18+ 637.98 грн
25+ 622.59 грн
50+ 571.79 грн
100+ 502.78 грн
250+ 416.79 грн
Мінімальне замовлення: 17
STF12N50DM2 STF12N50DM2 STMicroelectronics en.DM00130088.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.28 грн
50+ 105.39 грн
100+ 86.7 грн
500+ 68.85 грн
1000+ 58.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF12N50M2 STF12N50M2 STMicroelectronics 714747266362873dm00121824.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+49.47 грн
252+ 45.56 грн
274+ 41.84 грн
282+ 39.15 грн
500+ 34.89 грн
Мінімальне замовлення: 232
STF12N50M2 STF12N50M2 STMICROELECTRONICS 2443310.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STF12N50M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.325 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.325ohm
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+126.53 грн
10+ 87.31 грн
100+ 61.64 грн
500+ 55.59 грн
1000+ 49.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
STF12N65M2 STF12N65M2 STMICROELECTRONICS 2819065.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STF12N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.77 грн
10+ 106.55 грн
100+ 78.43 грн
500+ 66.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
STF12N65M5 STF12N65M5 STMicroelectronics en.CD00226268.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 8.5A; Idm: 34A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.39 грн
5+ 130.55 грн
9+ 95.51 грн
23+ 90.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF100N10F7 stb100n10f7.pdf
STF100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
73+157.25 грн
90+ 127.71 грн
100+ 119.13 грн
200+ 113.96 грн
500+ 94.45 грн
1000+ 84.14 грн
Мінімальне замовлення: 73
STF100N10F7 2124335.pdf
STF100N10F7
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0068 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+194.61 грн
10+ 113.21 грн
100+ 96.93 грн
500+ 88.63 грн
1000+ 79.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF100N6F7 STF100N6F7.pdf
STF100N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 46A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.75 грн
50+ 79.73 грн
100+ 65.6 грн
500+ 52.09 грн
1000+ 44.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF10LN80K5 en.DM00176897.pdf
STF10LN80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+194.79 грн
50+ 148.67 грн
100+ 127.43 грн
500+ 106.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF10N105K5 SGST-S-A0000954623-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STF10N105K5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF10N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 6 A, 1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+268.6 грн
10+ 190.17 грн
100+ 162.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF10N60DM2 dm00299.pdf
STF10N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
49+11.67 грн
100+ 5.67 грн
Мінімальне замовлення: 49
STF10N60DM2 dm00299.pdf
STF10N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
911+12.57 грн
Мінімальне замовлення: 911
STF10N60DM2 en.DM00299235.pdf
STF10N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 100 V
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.88 грн
50+ 88.58 грн
100+ 72.89 грн
500+ 57.88 грн
1000+ 49.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF10N60M2 en.DM00086387.pdf
STF10N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 2586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.18 грн
50+ 77.12 грн
100+ 61.1 грн
500+ 48.61 грн
1000+ 39.6 грн
2000+ 37.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF10N60M2 stf10n60m2.pdf
STF10N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
284+40.31 грн
309+ 37.08 грн
319+ 35.93 грн
500+ 33.36 грн
1000+ 29.7 грн
2000+ 27.53 грн
Мінімальне замовлення: 284
STF10N60M2 2371873.pdf
STF10N60M2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF10N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.55 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+117.65 грн
10+ 89.53 грн
100+ 66.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
STF10N65K3 en.CD00235865.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.89 грн
10+ 83.83 грн
16+ 50.16 грн
44+ 47.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF10N65K3 en.CD00235865.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.87 грн
10+ 104.46 грн
16+ 60.19 грн
44+ 56.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF10N65K3 en.CD00235865.pdf
STF10N65K3
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.88 грн
50+ 88.58 грн
100+ 72.89 грн
500+ 57.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF10N65K3 SGSTS49417-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STF10N65K3
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF10N65K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+129.49 грн
10+ 98.41 грн
100+ 77.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
STF10N80K5 en.DM00122529.pdf
STF10N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 100 V
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+215.48 грн
50+ 164.64 грн
100+ 141.12 грн
500+ 117.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF10N80K5 SGST-S-A0002807780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STF10N80K5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF10N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.47 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+199.05 грн
10+ 140.59 грн
100+ 129.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF10N80K5 196943840437935dm001.pdf
STF10N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STF10N95K5 en.DM00088506.pdf
STF10N95K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+210.88 грн
7+ 121.62 грн
18+ 114.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF10N95K5 en.DM00088506.pdf
STF10N95K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+253.06 грн
7+ 151.55 грн
18+ 137.69 грн
1000+ 136.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF10N95K5 SGSTS50742-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STF10N95K5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF10N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 8 A, 0.65 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+244.18 грн
10+ 135.41 грн
100+ 112.47 грн
500+ 103.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF10NM60N std10nm60n.pdf
STF10NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+77.69 грн
6+ 65.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
STF10NM60N std10nm60n.pdf
STF10NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+93.23 грн
5+ 81.34 грн
17+ 57.39 грн
46+ 54.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF10NM60N SGST-S-A0002027437-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STF10NM60N
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF10NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+237.52 грн
10+ 114.69 грн
100+ 102.11 грн
500+ 92.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF10NM60N std10nm60n.pdf
STF10NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+201.93 грн
50+ 153.88 грн
100+ 131.9 грн
500+ 110.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF10NM65N std10nm65n.pdf
STF10NM65N
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+101.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
STF10NM65N std10nm65n.pdf
STF10NM65N
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
105+109.18 грн
Мінімальне замовлення: 105
STF10P6F6 SGST-S-A0002807106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STF10P6F6
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.13 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+76.95 грн
13+ 56.98 грн
100+ 45.8 грн
500+ 37.79 грн
1000+ 30.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
STF11N60DM2 en.DM00299434.pdf
STF11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+118.39 грн
10+ 76.95 грн
13+ 64.59 грн
34+ 61.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF11N60DM2 en.DM00299434.pdf
STF11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+142.07 грн
10+ 95.9 грн
13+ 77.5 грн
34+ 73.38 грн
1000+ 72.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF11N60DM2 en.DM00299434.pdf
STF11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.87 грн
50+ 92.57 грн
100+ 76.16 грн
500+ 60.48 грн
1000+ 51.31 грн
2000+ 48.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF11N60DM2 SGST-S-A0009169662-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STF11N60DM2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF11N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+128.01 грн
10+ 80.65 грн
100+ 66.3 грн
500+ 56.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
STF11N65M2 stf11n65m2.pdf
STF11N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STF11N65M5 2371874.pdf
STF11N65M5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+128.75 грн
10+ 85.09 грн
100+ 72.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
STF11N65M5 3413stb11n65m5.pdf
STF11N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
91+125.8 грн
100+ 114.37 грн
123+ 93.69 грн
200+ 84.55 грн
500+ 78.03 грн
1000+ 66.57 грн
2000+ 62.08 грн
4000+ 60.54 грн
Мінімальне замовлення: 91
STF11NM50N SGST-S-A0002229483-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STF11NM50N
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF11NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.5 A, 0.4 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+229.38 грн
10+ 133.19 грн
100+ 114.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF11NM60ND STX11NM60ND.pdf
STF11NM60ND
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+258.98 грн
10+ 83.83 грн
27+ 79.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF11NM60ND STX11NM60ND.pdf
STF11NM60ND
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+310.78 грн
10+ 104.46 грн
27+ 94.82 грн
STF11NM60ND 1529482094833985cd001.pdf
STF11NM60ND
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+105.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
STF11NM60ND SGSTS32470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STF11NM60ND
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF11NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+310.78 грн
10+ 224.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF11NM60ND 1529482094833985cd001.pdf
STF11NM60ND
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
101+113.76 грн
Мінімальне замовлення: 101
STF11NM65N cd00158685.pdf
STF11NM65N
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+64.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
STF11NM65N cd00158685.pdf
STF11NM65N
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
165+69.31 грн
Мінімальне замовлення: 165
STF11NM80 description STF11NM80-DTE.pdf
STF11NM80
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+303.38 грн
3+ 243.23 грн
5+ 161.47 грн
14+ 152.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF11NM80 description STF11NM80-DTE.pdf
STF11NM80
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+364.05 грн
3+ 303.1 грн
5+ 193.76 грн
14+ 183.04 грн
STF11NM80 description SGST-S-A0011462418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STF11NM80
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
на замовлення 2278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+472.09 грн
10+ 332.24 грн
100+ 295.24 грн
500+ 249.41 грн
1000+ 213.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF11NM80 description en.CD00003205.pdf
STF11NM80
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+402.42 грн
50+ 309.37 грн
100+ 276.81 грн
500+ 229.21 грн
STF11NM80 description 371cd00003205.pdf
STF11NM80
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
54+213.73 грн
56+ 205.59 грн
100+ 198.62 грн
250+ 185.71 грн
Мінімальне замовлення: 54
STF11NM80 description en.CD00003205.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 400mOhm; 11A; 35W; -65°C ~ 150°C; STF11NM80 TSTF11NM80
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+106.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
STF11NM80 description en.CD00003205.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 400mOhm; 11A; 35W; -65°C ~ 150°C; STF11NM80 TSTF11NM80
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+106.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
STF12N120K5 en.DM00117846.pdf
STF12N120K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1200V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+718.51 грн
50+ 560.38 грн
100+ 527.42 грн
500+ 448.56 грн
STF12N120K5 729700698531532dm00117846.pdf
STF12N120K5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+556.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF12N120K5 2371875.pdf
STF12N120K5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF12N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+812.46 грн
5+ 734.77 грн
10+ 656.33 грн
50+ 575.1 грн
100+ 528.32 грн
250+ 525.78 грн
STF12N120K5 729700698531532dm00117846.pdf
STF12N120K5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+509.44 грн
STF12N120K5 729700698531532dm00117846.pdf
STF12N120K5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+708.41 грн
18+ 637.98 грн
25+ 622.59 грн
50+ 571.79 грн
100+ 502.78 грн
250+ 416.79 грн
Мінімальне замовлення: 17
STF12N50DM2 en.DM00130088.pdf
STF12N50DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+136.28 грн
50+ 105.39 грн
100+ 86.7 грн
500+ 68.85 грн
1000+ 58.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF12N50M2 714747266362873dm00121824.pdf
STF12N50M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
232+49.47 грн
252+ 45.56 грн
274+ 41.84 грн
282+ 39.15 грн
500+ 34.89 грн
Мінімальне замовлення: 232
STF12N50M2 2443310.pdf
STF12N50M2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF12N50M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.325 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.325ohm
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+126.53 грн
10+ 87.31 грн
100+ 61.64 грн
500+ 55.59 грн
1000+ 49.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
STF12N65M2 2819065.pdf
STF12N65M2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF12N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+145.77 грн
10+ 106.55 грн
100+ 78.43 грн
500+ 66.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
STF12N65M5 en.CD00226268.pdf
STF12N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 8.5A; Idm: 34A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+155.39 грн
5+ 130.55 грн
9+ 95.51 грн
23+ 90.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]