Результат пошуку "stp12" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
STP1200 STP1200 STATICTEC Category: ESD Boxes, Lockers
Description: Conductive PCB rack; ESD; 265x205x95mm; black
Colour: black
Body dimensions: 265x205x95mm
Material: electrically conductive material
Type of antistatic accessories: conductive PCB rack
Version: ESD
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+889.1 грн
2+ 625.7 грн
4+ 591.47 грн
STP1200 STP1200 STATICTEC Category: ESD Boxes, Lockers
Description: Conductive PCB rack; ESD; 265x205x95mm; black
Colour: black
Body dimensions: 265x205x95mm
Material: electrically conductive material
Type of antistatic accessories: conductive PCB rack
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1066.93 грн
2+ 779.72 грн
4+ 709.77 грн
STP1201 STP1201 STATICTEC Category: ESD Boxes, Lockers
Description: Conductive PCB rack; ESD; 355x270x130mm; black
Colour: black
Body dimensions: 355x270x130mm
Material: electrically conductive material
Type of antistatic accessories: conductive PCB rack
Version: ESD
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1205.38 грн
2+ 1058.35 грн
10+ 1024.81 грн
STP1201 STP1201 STATICTEC Category: ESD Boxes, Lockers
Description: Conductive PCB rack; ESD; 355x270x130mm; black
Colour: black
Body dimensions: 355x270x130mm
Material: electrically conductive material
Type of antistatic accessories: conductive PCB rack
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1446.45 грн
2+ 1318.87 грн
10+ 1229.77 грн
STP1203 STP1203 STATICTEC Category: ESD Boxes, Lockers
Description: Conductive PCB rack; ESD; 484x175x50mm; black
Colour: black
Body dimensions: 484x175x50mm
Material: electrically conductive material
Type of antistatic accessories: conductive PCB rack
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STP120N4F6 STP120N4F6 STMicroelectronics 812146837085240dm00029509.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+154.58 грн
92+ 127.82 грн
94+ 123.88 грн
116+ 97.56 грн
500+ 75.9 грн
1000+ 60.68 грн
2000+ 57.09 грн
5000+ 54.37 грн
Мінімальне замовлення: 76
STP120N4F6 STP120N4F6 STMicroelectronics 812146837085240dm00029509.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+143.54 грн
10+ 118.69 грн
50+ 115.03 грн
100+ 90.59 грн
500+ 70.48 грн
1000+ 56.35 грн
2000+ 53.01 грн
5000+ 50.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP120NF10 STP120NF10 STMicroelectronics STB120NF10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; 312W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 77A
Power dissipation: 312W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+294.16 грн
3+ 239.6 грн
8+ 99.26 грн
22+ 93.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP120NF10 STP120NF10 STMicroelectronics 4013069314299558cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+177.87 грн
77+ 152.6 грн
100+ 132.08 грн
250+ 121.79 грн
500+ 114.71 грн
1000+ 68.84 грн
2000+ 51.82 грн
Мінімальне замовлення: 66
STP120NF10 STP120NF10 STMicroelectronics 4013069314299558cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+165.7 грн
10+ 164.73 грн
25+ 141.32 грн
100+ 122.32 грн
250+ 112.79 грн
500+ 106.24 грн
1000+ 63.75 грн
2000+ 47.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP120NF10 STP120NF10 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003588193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP120NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.009 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 2524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+353.14 грн
10+ 252.13 грн
100+ 212.32 грн
500+ 177.99 грн
1000+ 140.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP120NF10 STP120NF10 STMicroelectronics en.CD00003356.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
на замовлення 18211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.98 грн
50+ 163.15 грн
100+ 139.84 грн
500+ 128.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP120NF10 ST en.CD00003356.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10,5mOhm; 110A; 312W; -55°C ~ 175°C; STP120NF10 TSTP120NF10
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+98.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
STP1290 STP1290 STATICTEC Category: Antistatic Protection Others
Description: Tool: tape applicator; ESD; 50mm
Colour: black
Tape width: 50mm
Type of tool: tape applicator
Version: ESD
Related items: ATS-154-0140; ATS-054-0109; ATS-054-0114; ATS-054-0007; ERS-421150115; ESD-TAPE1; PRT-STP1300; PRT-STP1312; PRT-STP1410; PRT-STP1412; SCS-242210; SCS-242271; SCS-242275; SCS-242276; SCS-242293; SCS-242294; SCS-242295
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1012.96 грн
STP12N120K5 STP12N120K5 STMicroelectronics en.DM00036727.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+706.64 грн
50+ 543.09 грн
100+ 485.92 грн
500+ 402.37 грн
STP12N120K5 STP12N120K5 STMicroelectronics 84dm00036727.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+738.24 грн
25+ 704.16 грн
50+ 675.82 грн
100+ 628.71 грн
Мінімальне замовлення: 16
STP12N120K5 STP12N120K5 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000774161-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STP12N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+794 грн
5+ 734.29 грн
10+ 674.57 грн
50+ 562.72 грн
100+ 488.47 грн
250+ 484.05 грн
STP12N50M2 STP12N50M2 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000954705-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STP12N50M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.325 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.325ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+124.59 грн
10+ 95.1 грн
100+ 67.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
STP12N50M2 STP12N50M2 STMicroelectronics en.DM00121831.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 100 V
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.92 грн
50+ 81.78 грн
100+ 67.28 грн
500+ 53.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12N65M5 STP12N65M5 STMicroelectronics stf12n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STP12N65M5 STP12N65M5 STMicroelectronics en.CD00226268.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.12 грн
50+ 140.82 грн
100+ 120.7 грн
500+ 100.69 грн
1000+ 86.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12N65M5 STP12N65M5 STMicroelectronics stf12n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+107.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
STP12NK30Z STP12NK30Z STMicroelectronics STP12NK30Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 5.6A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.56 грн
7+ 56.14 грн
10+ 49.97 грн
19+ 43.13 грн
50+ 41.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
STP12NK30Z STP12NK30Z STMicroelectronics STP12NK30Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 5.6A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+69.95 грн
10+ 59.97 грн
19+ 51.75 грн
50+ 49.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP12NK30Z STP12NK30Z STMicroelectronics 1518026408466210cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+176.56 грн
10+ 141.47 грн
100+ 115.48 грн
250+ 104.1 грн
500+ 83.39 грн
1000+ 69.33 грн
2000+ 64.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP12NK30Z STP12NK30Z STMicroelectronics en.CD00003186.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.22 грн
50+ 126.89 грн
100+ 104.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NK30Z STP12NK30Z STMicroelectronics 1518026408466210cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+190.14 грн
77+ 152.35 грн
100+ 124.36 грн
250+ 112.11 грн
500+ 89.81 грн
1000+ 74.66 грн
2000+ 69.95 грн
Мінімальне замовлення: 62
STP12NK30Z ST en.CD00003186.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 9A STP12NK30Z TSTP12NK30Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
STP12NK80Z STP12NK80Z STMicroelectronics STX12NK80Z-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.8 грн
9+ 88.31 грн
25+ 83.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NK80Z STP12NK80Z STMicroelectronics STX12NK80Z-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+175.17 грн
3+ 149.29 грн
9+ 105.97 грн
25+ 100.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NK80Z STP12NK80Z STMicroelectronics 2645cd00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+204.15 грн
65+ 181.44 грн
67+ 173.81 грн
154+ 73.27 грн
250+ 67.17 грн
500+ 63.84 грн
1000+ 63.19 грн
Мінімальне замовлення: 58
STP12NK80Z STP12NK80Z STMicroelectronics 2645cd00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.07 грн
10+ 168.02 грн
25+ 160.97 грн
100+ 67.86 грн
250+ 62.21 грн
500+ 59.12 грн
1000+ 58.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP12NK80Z STP12NK80Z STMicroelectronics en.CD00003379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.71 грн
50+ 184.14 грн
100+ 157.83 грн
500+ 131.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics STP12NM50.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.06 грн
9+ 91.73 грн
24+ 86.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics STP12NM50.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+168.09 грн
3+ 145.88 грн
9+ 110.08 грн
24+ 104.33 грн
250+ 103.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics en.CD00002079.pdf description Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.52 грн
50+ 214.74 грн
100+ 184.06 грн
500+ 153.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics en.cd00002079.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+202.56 грн
61+ 193.41 грн
81+ 144.36 грн
100+ 137.81 грн
250+ 126.32 грн
500+ 120.06 грн
1000+ 113.34 грн
5000+ 111.63 грн
Мінімальне замовлення: 58
STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics en.cd00002079.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+247.86 грн
10+ 233.08 грн
25+ 155.53 грн
100+ 148.45 грн
250+ 137.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics en.cd00002079.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+187.6 грн
10+ 179.12 грн
25+ 133.69 грн
100+ 127.63 грн
250+ 116.99 грн
500+ 111.18 грн
1000+ 104.97 грн
5000+ 103.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP12NM50 STP12NM50 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0011303553-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - STP12NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
на замовлення 2827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289 грн
10+ 202.74 грн
100+ 180.62 грн
500+ 160.19 грн
1000+ 127.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics en.cd00002079.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+266.92 грн
47+ 251.01 грн
70+ 167.5 грн
100+ 159.87 грн
250+ 147.75 грн
Мінімальне замовлення: 44
STP12NM50 ST en.CD00002079.pdf description N-MOSFET 12A 500V 160W 0.35Ω STP12NM50 TSTP12NM50
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+95.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
STP12NM50FP STP12NM50FP STMicroelectronics STP12NM50FP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.81 грн
8+ 99.95 грн
22+ 94.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50FP STP12NM50FP STMicroelectronics STP12NM50FP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 104 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+186.67 грн
3+ 165.5 грн
8+ 119.94 грн
22+ 113.37 грн
250+ 111.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NM50FP STP12NM50FP STMICROELECTRONICS 2308628.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP12NM50FP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+337.65 грн
10+ 200.53 грн
100+ 178.41 грн
500+ 155.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50FP STP12NM50FP STMicroelectronics en.cd00002079.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STP12NM50FP STP12NM50FP STMicroelectronics en.cd00002079.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+214.35 грн
10+ 161.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50FP STP12NM50FP STMicroelectronics en.CD00002079.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+290.05 грн
50+ 221.45 грн
100+ 189.82 грн
500+ 158.34 грн
STP12NM50FP ST en.CD00002079.pdf N-MOSFET 12A 500V 35W STP12NM50FP TSTP12NM50FP
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+95.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
STP120F
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP120WF10
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12A60
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12N120K5 STMicroelectronics NV en.DM00036727.pdf N-Channel 1200 V 12A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
STP12N60
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12NB30
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12NK50Z
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12NK60Z ST en.CD00052678.pdf TO220
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12NK60ZF
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12NK60ZFP
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12NM50FD en.CD00002913.pdf
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP1200
STP1200
Виробник: STATICTEC
Category: ESD Boxes, Lockers
Description: Conductive PCB rack; ESD; 265x205x95mm; black
Colour: black
Body dimensions: 265x205x95mm
Material: electrically conductive material
Type of antistatic accessories: conductive PCB rack
Version: ESD
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+889.1 грн
2+ 625.7 грн
4+ 591.47 грн
STP1200
STP1200
Виробник: STATICTEC
Category: ESD Boxes, Lockers
Description: Conductive PCB rack; ESD; 265x205x95mm; black
Colour: black
Body dimensions: 265x205x95mm
Material: electrically conductive material
Type of antistatic accessories: conductive PCB rack
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1066.93 грн
2+ 779.72 грн
4+ 709.77 грн
STP1201
STP1201
Виробник: STATICTEC
Category: ESD Boxes, Lockers
Description: Conductive PCB rack; ESD; 355x270x130mm; black
Colour: black
Body dimensions: 355x270x130mm
Material: electrically conductive material
Type of antistatic accessories: conductive PCB rack
Version: ESD
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1205.38 грн
2+ 1058.35 грн
10+ 1024.81 грн
STP1201
STP1201
Виробник: STATICTEC
Category: ESD Boxes, Lockers
Description: Conductive PCB rack; ESD; 355x270x130mm; black
Colour: black
Body dimensions: 355x270x130mm
Material: electrically conductive material
Type of antistatic accessories: conductive PCB rack
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1446.45 грн
2+ 1318.87 грн
10+ 1229.77 грн
STP1203
STP1203
Виробник: STATICTEC
Category: ESD Boxes, Lockers
Description: Conductive PCB rack; ESD; 484x175x50mm; black
Colour: black
Body dimensions: 484x175x50mm
Material: electrically conductive material
Type of antistatic accessories: conductive PCB rack
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STP120N4F6 812146837085240dm00029509.pdf
STP120N4F6
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
76+154.58 грн
92+ 127.82 грн
94+ 123.88 грн
116+ 97.56 грн
500+ 75.9 грн
1000+ 60.68 грн
2000+ 57.09 грн
5000+ 54.37 грн
Мінімальне замовлення: 76
STP120N4F6 812146837085240dm00029509.pdf
STP120N4F6
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+143.54 грн
10+ 118.69 грн
50+ 115.03 грн
100+ 90.59 грн
500+ 70.48 грн
1000+ 56.35 грн
2000+ 53.01 грн
5000+ 50.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP120NF10 STB120NF10.pdf
STP120NF10
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; 312W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 77A
Power dissipation: 312W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+294.16 грн
3+ 239.6 грн
8+ 99.26 грн
22+ 93.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP120NF10 4013069314299558cd000.pdf
STP120NF10
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
66+177.87 грн
77+ 152.6 грн
100+ 132.08 грн
250+ 121.79 грн
500+ 114.71 грн
1000+ 68.84 грн
2000+ 51.82 грн
Мінімальне замовлення: 66
STP120NF10 4013069314299558cd000.pdf
STP120NF10
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+165.7 грн
10+ 164.73 грн
25+ 141.32 грн
100+ 122.32 грн
250+ 112.79 грн
500+ 106.24 грн
1000+ 63.75 грн
2000+ 47.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP120NF10 SGST-S-A0003588193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STP120NF10
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP120NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.009 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 2524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+353.14 грн
10+ 252.13 грн
100+ 212.32 грн
500+ 177.99 грн
1000+ 140.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP120NF10 en.CD00003356.pdf
STP120NF10
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
на замовлення 18211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.98 грн
50+ 163.15 грн
100+ 139.84 грн
500+ 128.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP120NF10 en.CD00003356.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10,5mOhm; 110A; 312W; -55°C ~ 175°C; STP120NF10 TSTP120NF10
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+98.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
STP1290
STP1290
Виробник: STATICTEC
Category: Antistatic Protection Others
Description: Tool: tape applicator; ESD; 50mm
Colour: black
Tape width: 50mm
Type of tool: tape applicator
Version: ESD
Related items: ATS-154-0140; ATS-054-0109; ATS-054-0114; ATS-054-0007; ERS-421150115; ESD-TAPE1; PRT-STP1300; PRT-STP1312; PRT-STP1410; PRT-STP1412; SCS-242210; SCS-242271; SCS-242275; SCS-242276; SCS-242293; SCS-242294; SCS-242295
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1012.96 грн
STP12N120K5 en.DM00036727.pdf
STP12N120K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1200V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+706.64 грн
50+ 543.09 грн
100+ 485.92 грн
500+ 402.37 грн
STP12N120K5 84dm00036727.pdf
STP12N120K5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+738.24 грн
25+ 704.16 грн
50+ 675.82 грн
100+ 628.71 грн
Мінімальне замовлення: 16
STP12N120K5 SGST-S-A0000774161-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STP12N120K5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP12N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+794 грн
5+ 734.29 грн
10+ 674.57 грн
50+ 562.72 грн
100+ 488.47 грн
250+ 484.05 грн
STP12N50M2 SGST-S-A0000954705-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STP12N50M2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP12N50M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.325 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.325ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+124.59 грн
10+ 95.1 грн
100+ 67.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
STP12N50M2 en.DM00121831.pdf
STP12N50M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 100 V
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.92 грн
50+ 81.78 грн
100+ 67.28 грн
500+ 53.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12N65M5 stf12n65m5.pdf
STP12N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STP12N65M5 en.CD00226268.pdf
STP12N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+184.12 грн
50+ 140.82 грн
100+ 120.7 грн
500+ 100.69 грн
1000+ 86.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12N65M5 stf12n65m5.pdf
STP12N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+107.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
STP12NK30Z STP12NK30Z.pdf
STP12NK30Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 5.6A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+68.56 грн
7+ 56.14 грн
10+ 49.97 грн
19+ 43.13 грн
50+ 41.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
STP12NK30Z STP12NK30Z.pdf
STP12NK30Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 5.6A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+69.95 грн
10+ 59.97 грн
19+ 51.75 грн
50+ 49.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP12NK30Z 1518026408466210cd000.pdf
STP12NK30Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+176.56 грн
10+ 141.47 грн
100+ 115.48 грн
250+ 104.1 грн
500+ 83.39 грн
1000+ 69.33 грн
2000+ 64.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP12NK30Z en.CD00003186.pdf
STP12NK30Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 300V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+164.22 грн
50+ 126.89 грн
100+ 104.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NK30Z 1518026408466210cd000.pdf
STP12NK30Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
62+190.14 грн
77+ 152.35 грн
100+ 124.36 грн
250+ 112.11 грн
500+ 89.81 грн
1000+ 74.66 грн
2000+ 69.95 грн
Мінімальне замовлення: 62
STP12NK30Z en.CD00003186.pdf
Виробник: ST
Trans MOSFET N-CH 300V 9A STP12NK30Z TSTP12NK30Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
STP12NK80Z STX12NK80Z-DTE.pdf
STP12NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.8 грн
9+ 88.31 грн
25+ 83.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NK80Z STX12NK80Z-DTE.pdf
STP12NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+175.17 грн
3+ 149.29 грн
9+ 105.97 грн
25+ 100.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NK80Z 2645cd00003379.pdf
STP12NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
58+204.15 грн
65+ 181.44 грн
67+ 173.81 грн
154+ 73.27 грн
250+ 67.17 грн
500+ 63.84 грн
1000+ 63.19 грн
Мінімальне замовлення: 58
STP12NK80Z 2645cd00003379.pdf
STP12NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+189.07 грн
10+ 168.02 грн
25+ 160.97 грн
100+ 67.86 грн
250+ 62.21 грн
500+ 59.12 грн
1000+ 58.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP12NK80Z en.CD00003379.pdf
STP12NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+241.71 грн
50+ 184.14 грн
100+ 157.83 грн
500+ 131.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NM50 description STP12NM50.pdf
STP12NM50
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.06 грн
9+ 91.73 грн
24+ 86.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50 description STP12NM50.pdf
STP12NM50
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+168.09 грн
3+ 145.88 грн
9+ 110.08 грн
24+ 104.33 грн
250+ 103.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NM50 description en.CD00002079.pdf
STP12NM50
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+281.52 грн
50+ 214.74 грн
100+ 184.06 грн
500+ 153.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NM50 description en.cd00002079.pdf
STP12NM50
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
58+202.56 грн
61+ 193.41 грн
81+ 144.36 грн
100+ 137.81 грн
250+ 126.32 грн
500+ 120.06 грн
1000+ 113.34 грн
5000+ 111.63 грн
Мінімальне замовлення: 58
STP12NM50 description en.cd00002079.pdf
STP12NM50
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+247.86 грн
10+ 233.08 грн
25+ 155.53 грн
100+ 148.45 грн
250+ 137.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50 description en.cd00002079.pdf
STP12NM50
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+187.6 грн
10+ 179.12 грн
25+ 133.69 грн
100+ 127.63 грн
250+ 116.99 грн
500+ 111.18 грн
1000+ 104.97 грн
5000+ 103.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP12NM50 description SGST-S-A0011303553-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STP12NM50
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP12NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
на замовлення 2827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+289 грн
10+ 202.74 грн
100+ 180.62 грн
500+ 160.19 грн
1000+ 127.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50 description en.cd00002079.pdf
STP12NM50
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
44+266.92 грн
47+ 251.01 грн
70+ 167.5 грн
100+ 159.87 грн
250+ 147.75 грн
Мінімальне замовлення: 44
STP12NM50 description en.CD00002079.pdf
Виробник: ST
N-MOSFET 12A 500V 160W 0.35Ω STP12NM50 TSTP12NM50
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+95.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
STP12NM50FP STP12NM50FP.pdf
STP12NM50FP
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.81 грн
8+ 99.95 грн
22+ 94.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50FP STP12NM50FP.pdf
STP12NM50FP
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 104 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+186.67 грн
3+ 165.5 грн
8+ 119.94 грн
22+ 113.37 грн
250+ 111.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NM50FP 2308628.pdf
STP12NM50FP
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP12NM50FP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+337.65 грн
10+ 200.53 грн
100+ 178.41 грн
500+ 155.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50FP en.cd00002079.pdf
STP12NM50FP
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STP12NM50FP en.cd00002079.pdf
STP12NM50FP
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+214.35 грн
10+ 161.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50FP en.CD00002079.pdf
STP12NM50FP
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+290.05 грн
50+ 221.45 грн
100+ 189.82 грн
500+ 158.34 грн
STP12NM50FP en.CD00002079.pdf
Виробник: ST
N-MOSFET 12A 500V 35W STP12NM50FP TSTP12NM50FP
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+95.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
STP120F
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP120WF10
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12A60
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12N120K5 en.DM00036727.pdf
Виробник: STMicroelectronics NV
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
STP12N60
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12NB30
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12NK50Z
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12NK60Z en.CD00052678.pdf
Виробник: ST
TO220
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12NK60ZF
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12NK60ZFP
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12NM50FD en.CD00002913.pdf
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]