Результат пошуку "0,002 Ом" : 43
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 100
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AN5835 Код товару: 3101 |
Panasonic |
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти Корпус: SIL-12 U пит, V: 14,4 V P, W: 0,92 W R нагр., Ohm: 110 Ohm K g, %: 0,002 Примітка: Стерео рег. гучності та тембру Робоча температура, °С: -20…+70°C |
у наявності: 36 шт
|
|
|||||||
IRF3703PBF Код товару: 33794 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 210 A Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209 Монтаж: THT |
у наявності: 1 шт
|
|
|||||||
IRF8788PBF Код товару: 32111 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 24 A Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5720/44 Монтаж: SMD |
очікується:
30 шт
|
|
|||||||
IRFB3206PBF Код товару: 34412 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 210 A Rds(on), Ohm: 0,0024 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 6540/120 Монтаж: THT |
у наявності: 280 шт
|
|
|||||||
IRFP3077PBF Код товару: 24931 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Uds,V: 75 V Idd,A: 120 A Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160 Монтаж: THT |
у наявності: 117 шт
|
|
|||||||
IRFP3703PBF Код товару: 41216 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 210 A Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209 Монтаж: THT |
у наявності: 25 шт
|
|
|||||||
LA4282 Код товару: 30552 |
Sanyo |
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти Корпус: SIP-12H U пит, V: 10...40 V P, W: 2x10 W R нагр., Ohm: 8 Ohm K g, %: 0,002 Примітка: 2-Channel 10 W AF Power Amplifier Робоча температура, °С: -20…+75°C |
у наявності: 2 шт
|
|
|||||||
LM386G Код товару: 123338 |
UTC |
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти Корпус: SOP-8 U пит, V: 4...12 V P, W: 0,6 W R нагр., Ohm: 50 kOhm K g, %: 0,002 Примітка: LOW VOLTAGE AUDIO POWER AMPLIFIER Робоча температура, °С: -25…+85°C |
у наявності: 1067 шт
|
|
|||||||
LM386L-DO8-T (Lead Free) Код товару: 152601 |
UTC |
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти Корпус: DIP-8 U пит, V: 4...12 V P, W: 0,6 W R нагр., Ohm: 50 kOhm K g, %: 0,002 Примітка: LOW VOLTAGE AUDIO POWER AMPLIFIER Робоча температура, °С: -25…+85°C |
у наявності: 28 шт
|
|
|||||||
LM386MX-1 Код товару: 34872 |
NSC |
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти Корпус: SO-8 U пит, V: 4...12 V P, W: 0,25 W R нагр., Ohm: 8 Ohm K g, %: 0,002 Робоча температура, °С: 0…+70°C |
у наявності: 87 шт
|
|
|||||||
LM386N-1 Код товару: 23803 |
NSC |
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти Корпус: DIP-8 U пит, V: 4...12 V P, W: 0,25 W R нагр., Ohm: 8 Ohm K g, %: 0,002 Робоча температура, °С: 0…+70°C |
у наявності: 69 шт
|
|
|||||||
LM386N-3 Код товару: 34873 |
NSC |
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти Корпус: DIP-8 U пит, V: 4...12 V P, W: 0,5 W R нагр., Ohm: 8 Ohm K g, %: 0,002 Робоча температура, °С: 0…+70°C |
у наявності: 104 шт
|
|
|||||||
LM4871M/NOPB Код товару: 28094 |
NSC |
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти Корпус: SO-8 U пит, V: 2...5,5 V P, W: 1,1 W R нагр., Ohm: 8 Ohm K g, %: 0,0025 Робоча температура, °С: -40…+85°C |
у наявності: 87 шт
|
|
|||||||
TA8277H Код товару: 41533 |
Toshiba |
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти Корпус: HZIP-25 U пит, V: 14,4 V P, W: 4x43 W R нагр., Ohm: 4 Ohm K g, %: 0,002 Примітка: 43 W BTL 4 ch Робоча температура, °С: -40…+85°C |
у наявності: 3 шт
|
|
|||||||
TDA1010 Код товару: 23851 |
Philips |
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти Корпус: SIL-9MPF U пит, V: 6...20 V P, W: 6,2 W R нагр., Ohm: 4 Ohm K g, %: 0,002 Робоча температура, °С: -25…+150°C |
у наявності: 1 шт
|
|
|||||||
TDA2822M Код товару: 35364 |
SUM |
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти Корпус: DIP-8 U пит, V: 1,8...15 V P, W: 2x1 W R нагр., Ohm: 8 Ohm K g, %: 0,002 Робоча температура, °С: -40…+85°C |
у наявності: 81 шт
очікується:
200 шт
|
|
|||||||
TDA7052 (DIP-8) Код товару: 7633 |
NXP |
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти Корпус: DIP-8 U пит, V: 3...18 V P, W: 1 W R нагр., Ohm: 8 Ohm K g, %: 0,002 |
у наявності: 97 шт
|
|
|||||||
TDA7053A Код товару: 35529 |
NXP |
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти Корпус: DIP-16 U пит, V: 3...18 V P, W: 2x1 W R нагр., Ohm: 8 Ohm K g, %: 0,002 Робоча температура, °С: -40…+85°C |
у наявності: 65 шт
|
|
|||||||
IRF3703 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 30V 210A 230W 0,0024Ω IRF3703 TIRF3703 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
IRFB3006 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 195A 60V 375W 0.0025Ω IRFB3006 TIRFB3006 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
IRFB3077 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 210A 75V 370W 0.0028Ω IRFB3077 TO220AB TIRFB3077 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
IRFP3710 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 57A 100V 200W 0.0025Ω IRFP3710 TIRFP3710 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
IRFP4468PBF | IR | Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO247 Udss=100V; Id=195A; Rds=0,0026 Ohm; RoHS |
на замовлення 19 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
SI6968BEDQ | Siliconix |
2x N-MOSFET 5.2A 20V 1W 0.0022Ω SI6968BEDQ TSI6968bedq кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 64 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
ACEA.754370.002 | ЗНАК ДОРОЖНІЙ ДЗС-ІІ-02 світлодіодний пішохідний перехід двобічний з внутрішнім освітленням та світильником, типорозмір ІI, з кріпленням |
на замовлення 5 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|||||||||
CL02ST2N2-S | Viking Tech Corporation Kaohsiung Branch | 0,0022 мкГн (2,2 нГн) Дроссель: керамический, SMD, 0402, 2,2нГн, 300мА, 200мОм, fрез: 6ГГц |
на замовлення 90 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||
CSS2H-2512K-2L00F | Bourns | Чіп-резистор smd; R = 0,002 Ом; Розм = 2512; Точн., % = 1; Р, Вт = 5 Вт; Тексп, °C = -55...+170; ТКО, ppm/°C = 50; 2512 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
FC4L110R002GER | Ohmite | 0,002 Ом 4320 WIDE 2 % 5W (Farnell 189-5610) |
на замовлення 785 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||
FC4L64R002GER | Ohmite | Чіп-резистор smd; R = 0,002 Ом; Розм = 2512; Точн., % = 2; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+155; ТКО, ppm/°C = 100; 2512 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
||||||||
FCSL110R002GER | Ohmite | Чіп-резистор smd; R = 0,002 Ом; Точ, % = 2; Р, Вт = 5; ТКО, ppm/°C = 100; Типор-р = 4320; Тексп, °С = -55...+155; 4320 |
на замовлення 545 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
IRFH5302TRPBF | International Rectifier Corporation | HEXFET Power MOSFET, 30V, 100A, 0,0021 Ohm, PQFN-8 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||
WSL12062L000FEA | Vishay Dale | 0,002 Ом 1206 1 % |
на замовлення 7 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||
WSLF25122L000FEA | Vishay Dale | Чіп-резистор smd; R = 0,002 Ом; Розм = 2512; Точн., % = 1; Р, Вт = 5; Тексп, °C = -65...+170; ТКО, ppm/°C = 70; 2512 |
на замовлення 145 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
2SK2056 Код товару: 25605 |
Toshiba |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 800 V Idd,A: 4 Rds(on), Ohm: 0,0024 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1080/34 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||||||||
IRF2804 PBF Код товару: 23326 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 40 V Idd,A: 75 A Rds(on), Ohm: 0,002 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 6450/160 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||||||||
KIA6283K Код товару: 36116 |
KEC |
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти Корпус: SIP3C-12 U пит, V: 9...16 V P, W: 2x4,6 W R нагр., Ohm: 4 Ohm K g, %: 0,002 Робоча температура, °С: -20…+75°C |
товар відсутній
|
||||||||
LA4446 Код товару: 152912 |
Sanyo |
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти Корпус: SIP-13H U пит, V: 13,2 V P, W: 2x5,5 W R нагр., Ohm: 4 Ohm K g, %: 0,002 Примітка: Two channel power amplifier Робоча температура, °С: -20…+75°C |
товар відсутній
|
||||||||
TA7230P Код товару: 152971 |
Toshiba |
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти Корпус: HSIP-10 U пит, V: 24 V P, W: 2x2,4 W R нагр., Ohm: 8 Ohm K g, %: 0,002 Робоча температура, °С: -20…+75°C |
товар відсутній
|
||||||||
TA8200AHQ Код товару: 45649 |
Toshiba |
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти Корпус: HZIP-12 U пит, V: 28 V P, W: 13 W R нагр., Ohm: 8 Ohm K g, %: 0,002 Робоча температура, °С: -20…+75°C |
товар відсутній
|
||||||||
TDA2822D Код товару: 32513 |
ST |
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти Корпус: SO-8 U пит, V: 1,8...15 V P, W: 1 W R нагр., Ohm: 32 Ohm K g, %: 0,002 |
товар відсутній
|
||||||||
TDA7053A/N2 Код товару: 35530 |
NXP |
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти Корпус: DIP-16 U пит, V: 3...18 V P, W: 2x1 W R нагр., Ohm: 8 Ohm K g, %: 0,002 Робоча температура, °С: -40…+85°C |
товар відсутній
|
||||||||
TEA6330T/V1 Код товару: 4860 |
NXP |
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти Корпус: SO-20 U пит, V: 10 V K g, %: 0,002 Примітка: Упр. гучністю, тембром для автом. радіостанцій Робоча температура, °С: -40…+85°C |
товар відсутній
|
||||||||
Антена спрямована A1Y.000.0-02 CDMA 800L A1D 800 Код товару: 12952 |
Корпусні та встановлювальні вироби > Антени Стандарт: CDMA Виконання: зовнішня Опис: Антена спрямована CDMA 800L. Імпеданс: 900 Ohm Підсилення, dBi: 9 dBi Кабель та роз’єми: TNC Вид антени: CDMA Частота: 800 МГц |
товар відсутній
|
AN5835 Код товару: 3101 |
Виробник: Panasonic
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: SIL-12
U пит, V: 14,4 V
P, W: 0,92 W
R нагр., Ohm: 110 Ohm
K g, %: 0,002
Примітка: Стерео рег. гучності та тембру
Робоча температура, °С: -20…+70°C
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: SIL-12
U пит, V: 14,4 V
P, W: 0,92 W
R нагр., Ohm: 110 Ohm
K g, %: 0,002
Примітка: Стерео рег. гучності та тембру
Робоча температура, °С: -20…+70°C
у наявності: 36 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 38 грн |
10+ | 34.2 грн |
IRF3703PBF Код товару: 33794 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 108 грн |
IRF8788PBF Код товару: 32111 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 24 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5720/44
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 24 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5720/44
Монтаж: SMD
очікується:
30 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 34 грн |
10+ | 30.6 грн |
IRFB3206PBF Код товару: 34412 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6540/120
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6540/120
Монтаж: THT
у наявності: 280 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 95 грн |
10+ | 88 грн |
100+ | 82.5 грн |
IRFP3077PBF Код товару: 24931 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160
Монтаж: THT
у наявності: 117 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 165 грн |
10+ | 154 грн |
IRFP3703PBF Код товару: 41216 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209
Монтаж: THT
у наявності: 25 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 122 грн |
10+ | 114 грн |
LA4282 Код товару: 30552 |
Виробник: Sanyo
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: SIP-12H
U пит, V: 10...40 V
P, W: 2x10 W
R нагр., Ohm: 8 Ohm
K g, %: 0,002
Примітка: 2-Channel 10 W AF Power Amplifier
Робоча температура, °С: -20…+75°C
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: SIP-12H
U пит, V: 10...40 V
P, W: 2x10 W
R нагр., Ohm: 8 Ohm
K g, %: 0,002
Примітка: 2-Channel 10 W AF Power Amplifier
Робоча температура, °С: -20…+75°C
у наявності: 2 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 55 грн |
LM386G Код товару: 123338 |
Виробник: UTC
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: SOP-8
U пит, V: 4...12 V
P, W: 0,6 W
R нагр., Ohm: 50 kOhm
K g, %: 0,002
Примітка: LOW VOLTAGE AUDIO POWER AMPLIFIER
Робоча температура, °С: -25…+85°C
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: SOP-8
U пит, V: 4...12 V
P, W: 0,6 W
R нагр., Ohm: 50 kOhm
K g, %: 0,002
Примітка: LOW VOLTAGE AUDIO POWER AMPLIFIER
Робоча температура, °С: -25…+85°C
у наявності: 1067 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 11 грн |
10+ | 9.9 грн |
100+ | 8.9 грн |
LM386L-DO8-T (Lead Free) Код товару: 152601 |
Виробник: UTC
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: DIP-8
U пит, V: 4...12 V
P, W: 0,6 W
R нагр., Ohm: 50 kOhm
K g, %: 0,002
Примітка: LOW VOLTAGE AUDIO POWER AMPLIFIER
Робоча температура, °С: -25…+85°C
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: DIP-8
U пит, V: 4...12 V
P, W: 0,6 W
R нагр., Ohm: 50 kOhm
K g, %: 0,002
Примітка: LOW VOLTAGE AUDIO POWER AMPLIFIER
Робоча температура, °С: -25…+85°C
у наявності: 28 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 7 грн |
10+ | 6 грн |
LM386MX-1 Код товару: 34872 |
Виробник: NSC
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: SO-8
U пит, V: 4...12 V
P, W: 0,25 W
R нагр., Ohm: 8 Ohm
K g, %: 0,002
Робоча температура, °С: 0…+70°C
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: SO-8
U пит, V: 4...12 V
P, W: 0,25 W
R нагр., Ohm: 8 Ohm
K g, %: 0,002
Робоча температура, °С: 0…+70°C
у наявності: 87 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 28 грн |
10+ | 25.2 грн |
LM386N-1 Код товару: 23803 |
Виробник: NSC
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: DIP-8
U пит, V: 4...12 V
P, W: 0,25 W
R нагр., Ohm: 8 Ohm
K g, %: 0,002
Робоча температура, °С: 0…+70°C
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: DIP-8
U пит, V: 4...12 V
P, W: 0,25 W
R нагр., Ohm: 8 Ohm
K g, %: 0,002
Робоча температура, °С: 0…+70°C
у наявності: 69 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 13.5 грн |
10+ | 11.9 грн |
LM386N-3 Код товару: 34873 |
Виробник: NSC
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: DIP-8
U пит, V: 4...12 V
P, W: 0,5 W
R нагр., Ohm: 8 Ohm
K g, %: 0,002
Робоча температура, °С: 0…+70°C
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: DIP-8
U пит, V: 4...12 V
P, W: 0,5 W
R нагр., Ohm: 8 Ohm
K g, %: 0,002
Робоча температура, °С: 0…+70°C
у наявності: 104 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 28 грн |
10+ | 25.2 грн |
LM4871M/NOPB Код товару: 28094 |
Виробник: NSC
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: SO-8
U пит, V: 2...5,5 V
P, W: 1,1 W
R нагр., Ohm: 8 Ohm
K g, %: 0,0025
Робоча температура, °С: -40…+85°C
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: SO-8
U пит, V: 2...5,5 V
P, W: 1,1 W
R нагр., Ohm: 8 Ohm
K g, %: 0,0025
Робоча температура, °С: -40…+85°C
у наявності: 87 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 44 грн |
10+ | 39.6 грн |
TA8277H Код товару: 41533 |
Виробник: Toshiba
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: HZIP-25
U пит, V: 14,4 V
P, W: 4x43 W
R нагр., Ohm: 4 Ohm
K g, %: 0,002
Примітка: 43 W BTL 4 ch
Робоча температура, °С: -40…+85°C
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: HZIP-25
U пит, V: 14,4 V
P, W: 4x43 W
R нагр., Ohm: 4 Ohm
K g, %: 0,002
Примітка: 43 W BTL 4 ch
Робоча температура, °С: -40…+85°C
у наявності: 3 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 149 грн |
TDA1010 Код товару: 23851 |
Виробник: Philips
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: SIL-9MPF
U пит, V: 6...20 V
P, W: 6,2 W
R нагр., Ohm: 4 Ohm
K g, %: 0,002
Робоча температура, °С: -25…+150°C
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: SIL-9MPF
U пит, V: 6...20 V
P, W: 6,2 W
R нагр., Ohm: 4 Ohm
K g, %: 0,002
Робоча температура, °С: -25…+150°C
у наявності: 1 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 42.5 грн |
TDA2822M Код товару: 35364 |
Виробник: SUM
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: DIP-8
U пит, V: 1,8...15 V
P, W: 2x1 W
R нагр., Ohm: 8 Ohm
K g, %: 0,002
Робоча температура, °С: -40…+85°C
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: DIP-8
U пит, V: 1,8...15 V
P, W: 2x1 W
R нагр., Ohm: 8 Ohm
K g, %: 0,002
Робоча температура, °С: -40…+85°C
у наявності: 81 шт
очікується:
200 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 12 грн |
10+ | 10.5 грн |
100+ | 9.4 грн |
TDA7052 (DIP-8) Код товару: 7633 |
Виробник: NXP
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: DIP-8
U пит, V: 3...18 V
P, W: 1 W
R нагр., Ohm: 8 Ohm
K g, %: 0,002
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: DIP-8
U пит, V: 3...18 V
P, W: 1 W
R нагр., Ohm: 8 Ohm
K g, %: 0,002
у наявності: 97 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 54 грн |
10+ | 46.2 грн |
TDA7053A Код товару: 35529 |
Виробник: NXP
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: DIP-16
U пит, V: 3...18 V
P, W: 2x1 W
R нагр., Ohm: 8 Ohm
K g, %: 0,002
Робоча температура, °С: -40…+85°C
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: DIP-16
U пит, V: 3...18 V
P, W: 2x1 W
R нагр., Ohm: 8 Ohm
K g, %: 0,002
Робоча температура, °С: -40…+85°C
у наявності: 65 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 48 грн |
10+ | 43.5 грн |
IRF3703 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 30V 210A 230W 0,0024Ω IRF3703 TIRF3703
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET HEXFET 30V 210A 230W 0,0024Ω IRF3703 TIRF3703
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 86.97 грн |
IRFB3006 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 195A 60V 375W 0.0025Ω IRFB3006 TIRFB3006
кількість в упаковці: 2 шт
N-MOSFET HEXFET 195A 60V 375W 0.0025Ω IRFB3006 TIRFB3006
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 135.73 грн |
IRFB3077 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 210A 75V 370W 0.0028Ω IRFB3077 TO220AB TIRFB3077
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 210A 75V 370W 0.0028Ω IRFB3077 TO220AB TIRFB3077
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 135.57 грн |
IRFP3710 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 57A 100V 200W 0.0025Ω IRFP3710 TIRFP3710
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET HEXFET 57A 100V 200W 0.0025Ω IRFP3710 TIRFP3710
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 112.1 грн |
IRFP4468PBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO247 Udss=100V; Id=195A; Rds=0,0026 Ohm; RoHS
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO247 Udss=100V; Id=195A; Rds=0,0026 Ohm; RoHS
на замовлення 19 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 436.39 грн |
10+ | 368.38 грн |
SI6968BEDQ |
Виробник: Siliconix
2x N-MOSFET 5.2A 20V 1W 0.0022Ω SI6968BEDQ TSI6968bedq
кількість в упаковці: 10 шт
2x N-MOSFET 5.2A 20V 1W 0.0022Ω SI6968BEDQ TSI6968bedq
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 24.13 грн |
ACEA.754370.002 |
ЗНАК ДОРОЖНІЙ ДЗС-ІІ-02 світлодіодний пішохідний перехід двобічний з внутрішнім освітленням та світильником, типорозмір ІI, з кріпленням
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)CL02ST2N2-S |
Виробник: Viking Tech Corporation Kaohsiung Branch
0,0022 мкГн (2,2 нГн) Дроссель: керамический, SMD, 0402, 2,2нГн, 300мА, 200мОм, fрез: 6ГГц
0,0022 мкГн (2,2 нГн) Дроссель: керамический, SMD, 0402, 2,2нГн, 300мА, 200мОм, fрез: 6ГГц
на замовлення 90 шт:
термін постачання 5 дні (днів)CSS2H-2512K-2L00F |
Виробник: Bourns
Чіп-резистор smd; R = 0,002 Ом; Розм = 2512; Точн., % = 1; Р, Вт = 5 Вт; Тексп, °C = -55...+170; ТКО, ppm/°C = 50; 2512
Чіп-резистор smd; R = 0,002 Ом; Розм = 2512; Точн., % = 1; Р, Вт = 5 Вт; Тексп, °C = -55...+170; ТКО, ppm/°C = 50; 2512
на замовлення 50 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 129.64 грн |
FC4L110R002GER |
Виробник: Ohmite
0,002 Ом 4320 WIDE 2 % 5W (Farnell 189-5610)
0,002 Ом 4320 WIDE 2 % 5W (Farnell 189-5610)
на замовлення 785 шт:
термін постачання 5 дні (днів)FC4L64R002GER |
Виробник: Ohmite
Чіп-резистор smd; R = 0,002 Ом; Розм = 2512; Точн., % = 2; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+155; ТКО, ppm/°C = 100; 2512
Чіп-резистор smd; R = 0,002 Ом; Розм = 2512; Точн., % = 2; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+155; ТКО, ppm/°C = 100; 2512
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)FCSL110R002GER |
Виробник: Ohmite
Чіп-резистор smd; R = 0,002 Ом; Точ, % = 2; Р, Вт = 5; ТКО, ppm/°C = 100; Типор-р = 4320; Тексп, °С = -55...+155; 4320
Чіп-резистор smd; R = 0,002 Ом; Точ, % = 2; Р, Вт = 5; ТКО, ppm/°C = 100; Типор-р = 4320; Тексп, °С = -55...+155; 4320
на замовлення 545 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 317.46 грн |
IRFH5302TRPBF |
Виробник: International Rectifier Corporation
HEXFET Power MOSFET, 30V, 100A, 0,0021 Ohm, PQFN-8
HEXFET Power MOSFET, 30V, 100A, 0,0021 Ohm, PQFN-8
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)WSL12062L000FEA |
Виробник: Vishay Dale
0,002 Ом 1206 1 %
0,002 Ом 1206 1 %
на замовлення 7 шт:
термін постачання 5 дні (днів)WSLF25122L000FEA |
Виробник: Vishay Dale
Чіп-резистор smd; R = 0,002 Ом; Розм = 2512; Точн., % = 1; Р, Вт = 5; Тексп, °C = -65...+170; ТКО, ppm/°C = 70; 2512
Чіп-резистор smd; R = 0,002 Ом; Розм = 2512; Точн., % = 1; Р, Вт = 5; Тексп, °C = -65...+170; ТКО, ppm/°C = 70; 2512
на замовлення 145 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 77.73 грн |
2SK2056 Код товару: 25605 |
Виробник: Toshiba
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 0,0024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1080/34
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 0,0024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1080/34
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF2804 PBF Код товару: 23326 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,002 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6450/160
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,002 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6450/160
Монтаж: THT
товар відсутній
KIA6283K Код товару: 36116 |
Виробник: KEC
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: SIP3C-12
U пит, V: 9...16 V
P, W: 2x4,6 W
R нагр., Ohm: 4 Ohm
K g, %: 0,002
Робоча температура, °С: -20…+75°C
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: SIP3C-12
U пит, V: 9...16 V
P, W: 2x4,6 W
R нагр., Ohm: 4 Ohm
K g, %: 0,002
Робоча температура, °С: -20…+75°C
товар відсутній
LA4446 Код товару: 152912 |
Виробник: Sanyo
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: SIP-13H
U пит, V: 13,2 V
P, W: 2x5,5 W
R нагр., Ohm: 4 Ohm
K g, %: 0,002
Примітка: Two channel power amplifier
Робоча температура, °С: -20…+75°C
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: SIP-13H
U пит, V: 13,2 V
P, W: 2x5,5 W
R нагр., Ohm: 4 Ohm
K g, %: 0,002
Примітка: Two channel power amplifier
Робоча температура, °С: -20…+75°C
товар відсутній
TA7230P Код товару: 152971 |
Виробник: Toshiba
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: HSIP-10
U пит, V: 24 V
P, W: 2x2,4 W
R нагр., Ohm: 8 Ohm
K g, %: 0,002
Робоча температура, °С: -20…+75°C
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: HSIP-10
U пит, V: 24 V
P, W: 2x2,4 W
R нагр., Ohm: 8 Ohm
K g, %: 0,002
Робоча температура, °С: -20…+75°C
товар відсутній
TA8200AHQ Код товару: 45649 |
Виробник: Toshiba
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: HZIP-12
U пит, V: 28 V
P, W: 13 W
R нагр., Ohm: 8 Ohm
K g, %: 0,002
Робоча температура, °С: -20…+75°C
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: HZIP-12
U пит, V: 28 V
P, W: 13 W
R нагр., Ohm: 8 Ohm
K g, %: 0,002
Робоча температура, °С: -20…+75°C
товар відсутній
TDA2822D Код товару: 32513 |
Виробник: ST
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: SO-8
U пит, V: 1,8...15 V
P, W: 1 W
R нагр., Ohm: 32 Ohm
K g, %: 0,002
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: SO-8
U пит, V: 1,8...15 V
P, W: 1 W
R нагр., Ohm: 32 Ohm
K g, %: 0,002
товар відсутній
TDA7053A/N2 Код товару: 35530 |
Виробник: NXP
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: DIP-16
U пит, V: 3...18 V
P, W: 2x1 W
R нагр., Ohm: 8 Ohm
K g, %: 0,002
Робоча температура, °С: -40…+85°C
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: DIP-16
U пит, V: 3...18 V
P, W: 2x1 W
R нагр., Ohm: 8 Ohm
K g, %: 0,002
Робоча температура, °С: -40…+85°C
товар відсутній
TEA6330T/V1 Код товару: 4860 |
Виробник: NXP
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: SO-20
U пит, V: 10 V
K g, %: 0,002
Примітка: Упр. гучністю, тембром для автом. радіостанцій
Робоча температура, °С: -40…+85°C
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: SO-20
U пит, V: 10 V
K g, %: 0,002
Примітка: Упр. гучністю, тембром для автом. радіостанцій
Робоча температура, °С: -40…+85°C
товар відсутній
Антена спрямована A1Y.000.0-02 CDMA 800L A1D 800 Код товару: 12952 |
Корпусні та встановлювальні вироби > Антени
Стандарт: CDMA
Виконання: зовнішня
Опис: Антена спрямована CDMA 800L. Імпеданс: 900 Ohm
Підсилення, dBi: 9 dBi
Кабель та роз’єми: TNC
Вид антени: CDMA
Частота: 800 МГц
Стандарт: CDMA
Виконання: зовнішня
Опис: Антена спрямована CDMA 800L. Імпеданс: 900 Ohm
Підсилення, dBi: 9 dBi
Кабель та роз’єми: TNC
Вид антени: CDMA
Частота: 800 МГц
товар відсутній