Виробник: DALE ELECTRONICS
0645

Виробник: Matsushita
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: HSIP-12
U пит, V: 6...24 V
P, W: 5,3x2 W
R нагр., Ohm: 3 Ohm
K g, %: 0,005
Робоча температура, °С: -30…+75°C

Виробник: Sony
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: DIP-16
U пит, V: 1,8...7,5 V
P, W: 2x0,03 W
R нагр., Ohm: 32 Ohm
K g, %: 0,005

Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 169 A
Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Монтаж: THT

Виробник: Toshiba
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: HSIP-7
U пит, V: 18 V
P, W: 1x5,9 W
R нагр., Ohm: 4 Ohm
K g, %: 0,005
Робоча температура, °С: -30…+75°C

Виробник: NXP/Philips
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: SO-8
U пит, V: 1,6...6 V
P, W: 2x0,075 W
R нагр., Ohm: 32 Ohm
K g, %: 0,005
Робоча температура, °С: -40…+100°C

Виробник: ST
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: Multiwatt-15V
U пит, V: ±10...±40 V
P, W: 100 W
R нагр., Ohm: 8 Ohm
K g, %: 0,00005
Робоча температура, °С: 0…+70°C

Виробник: Atorch
Інструмент та обладнання > Прилади вимірювальні (Мультиметри, Тестери)
Група: Тестер акумуляторів
Опис: Тестер зарядних пристроїв. Підтримує протоколи: Apple 2.4A/BC1.2, Huawei SCP/FCP/QC2.0/QC3.0/ PD2.0/ PD3.0/ VIVO/ OPPO. Діапазон вимірювання напруги: 3,6V~32,0V. Діапазон вимірювання струму: 0,00~5,10A. Сумарний діапазон ємності: : 0~99999mAh. Кумулятивний діапазон потужності: 0~999999Wh. Діапазон вимірювання потужності: 000,00~150,00W. Імпеданс: діапазон вимірювання: 1~999,9 Ohm. Діапазон вимірювання температури: 0~80℃. Час діапазон вимірювання: 999 годин 59 хвилин 59 секунд. Час оновлення: 500 мс. Розмір: 61x68x10,8мм.

Виробник: Atorch
Інструмент та обладнання > Прилади вимірювальні (Мультиметри, Тестери)
Група: Тестер акумуляторів
Опис: USB тестер з PD3.0 тригером, датчиком температури у комплекті та роз'ємамиі. Дисплей: 2.4". Діапазон вимірювання напруги: 5V~32,0V. Діапазон вимірювання струму: 0,00 ~ 5,10A. Хронометраж: 999 годин 59 хвилин 59 секунд. Вхідний інтерфейс: Type-C/Micro USB/USB. Вихідний інтерфейс: Type-C/USB. Діапазон напруги USB D+/-: 0 В~2,99 В. Час оновлення:> 500 мс. Протоколи: QC3.0/2.0, PD2/PD3/PD4, Apple, BC1.2 Швидкість вимірювання: 0,5 раз/сек. Режим тривоги: звук сирени + подвійне попередження на дисплеї. Габарити:127x55x15mm

Виробник: Zhurui
Інструмент та обладнання > Побутова електроніка
Опис: Лічильник/аналізатор в розетку, дисплей: 2,4" кольоровий. Вимірювані параметри: напруга (85-265VAC), сила струму (0,005-16A), коефіцієнт потужності (0-1,000), потужність (0,1-4000W), частота (45-65Hz) True RMS, 9 таймерів, мови інтерфейсу: китайська, англійська, 16 грошових одиниць, установка: дата/час Вихід налаштовується в 1 з 3 режимів: автовключення, вимкнення, або запам'ятати останній стан.

Виробник: Littelfuse
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Самовідновлюючі (PolySwitch)
Корпус: Вивідний
Напруга макс., V: 30 V
Струм макс., А Imax: 40 A
Струм роб., мА Ihold: 6 А
Опір макс., Ohm: 0,04 Ohm
Опір мін., Ohm: 0,005 Ohm
Інші характеристики: PTC

Виробник: Wurth Electronics
L-2,21x1,42x1,37 mm Fixed Inductor Air Coil 2,55 нГн 5% 1,6 A 0,005 Ом Qmin=100 -40...+125 C

Виробник: Analog Devices
Компаратор; Число комп, шт = 1; Io, мА = 50; Tplh/Tphl, нс = 5; Uoffset, В = 0,005; Uживл, В = 2,5...5,5; Тексп, °С = -40...+125; Тип вих. каск. = КМОП, TTL; SOT-23-5

Виробник: Analog Devices
Компаратор з тригером; Число комп, шт = 1; Io, мА = 50; Tplh/Tphl, нс = 5; Uoffset, В = 0,005; Uживл, В = 2,5...5,5; Тексп, °С = -40...+125; Тип вих. каск. = КМОП, TTL; Гістерезис, мкВ = 100; SC70-6

Виробник: Panasonic
Резистор R-2512 0,005 Ом 1% 1 Вт ТКС100 Current Sense

Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-MOSFET FULLY PROTECTED POWER SWITCH SuperTO220 Udss=40V; Id=100A; Rds=0,0052 Ohm; t=4mks

Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 140W 0,0055Ω IRF4104S TIRF4104s
кількість в упаковці: 10 шт

Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 25V 81A 63W 0.0057Ω IRLR8256 TIRLR8256
кількість в упаковці: 25 шт

Виробник: STMicroelectronics
Подвоєний компаратор; Число комп, шт = 2; Io, мА = 18; Uoffset, В = 0,005; Uживл, В = 2...36, ±1...18; Тексп, °С = -40...+105; Тип вих. каск. = відкритий колектор, КМОП, TTL; SOICN-8

Виробник: STMicroelectronics
Компаратор; Число комп, шт = 4; Io, мА = 20; Uoffset, В = 0,005; Uживл, В = 2...30, ±1...15; Тексп, °С = 0...+70; DIP-14

Виробник: STMicroelectronics
Диференційний компаратор; Число комп, шт = 4; Io, мА = 20; Uoffset, В = 0,005; Uживл, В = 2 V ~ 30 V, ±1...15; Тексп, °С = 0...+70; Тип вих. каск. = відкритий колектор, МОП, КМОП, TTL; TSSOP-14

Виробник: ON Semiconductor
Подвоєний компаратор; Число комп, шт = 2; Io, мА = 16; Uoffset, В = 0,005; Uживл, В = 2...36, ±1...18; Тексп, °С = 0...+70; Тип вих. каск. = КМОП, DTL, ECL, МОП, відкритий колектор, TTL; SOICN8

Виробник: Murata
Фільтр ВЧ SMD; Тип ф. = прохідний LC фільтр; Idc, A = 6; C = 27 пФ; Rdc, Ом = 0,005; Udc, В = 6,3; Габ розм, мм = 3,2 х 1,6 х 1,5; Тексп, °С = -40...+85; Тип монт. = smd; 1206

Виробник: STM
Транзистор польовий потужний MOSFET, N-Ch, D2PAK (TO-263-3); 60 В; 100 A; 0.0056 Ohm; Pd=125W

Виробник: STMicroelectronics
Компаратор; Число комп, шт = 1; Io, мА = 93; Tplh/Tphl, нс = 720; Uoffset, В = 0,005; Uживл, В = 1,6...5; Тексп, °С = -40...+125; Тип вих. каск. = відкритий сток; SOT-23-5

Виробник: STMicroelectronics
Компаратор; Число комп, шт = 1; Io, мА = 16; Uoffset, В = 0,005; Uживл, В = 2...36, ±1...18; Тексп, °С = -40...+125; Тип вих. каск. = КМОП, DTL, ECL, відкритий колектор, TTL; SOT-23-5

Виробник: STMicroelectronics
Компаратор; Число комп, шт = 1; I = 16 мА; Iживл = 16 мА; Uoffset, В = 0,005; Uживл, В = 2...36, ±1...18; Тексп, °C = -40...+125; Тип вих. каск. = TTL, DTL, ECL, МОП, КМОП; SOT-23-5

Виробник: Taiwan Semiconductor
Компаратор; Число комп, шт = 2; Io, мА = 20; Uoffset, В = 0,005; Uживл, В = 2.7...16; Тексп, °С = 0...+70; Тип вих. каск. = відкритий сток; DIP-8

Виробник: Johanson Technology/Dielectrics
0,0056 мкГн 0603 ±0.0003мкГн 300мА 250мОм

Виробник: Murata Manufacturing Co., Ltd.
0,0056 мкГн 0603 5 % 800мА 0,2Ом

Виробник: Macom Technology Solutions
Балун НВЧ smd; R, Ом = 50; Втрати = 12 дБ; F, ГГц = 0,005...1,2; SMD-5

Виробник: Vishay Dale
0,005 Ом 2010 1 % Current Sense Resistors - SMD 1/2watt

SMD резистори > 2010

Резистори > Запобіжні резистори

SMD резистори > 2512

Виробник: Nesscap
Пасивні компоненти > Суперконденсатори, іоністори
Ємність: 3 F
Роб.напруга: 2,7 V
Габарити,міжвив.відстань: L=20 mm; D=8 mm
Опис: Суперконденсатор. Відхилення ємності -10%/+ 20%, внутрішній опір AC < 61mOhm DC < 79mOhm, струм витоку 0,005mA, температурний діапазон -40 − 65 °C, термін служби при 25 °C - 500тис. циклів
Струм_розряду,макс: 3,3 A

Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5480/170
Монтаж: THT

Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,005 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5500/44
Монтаж: SMD

Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 40 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,005 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/33
Монтаж: SMD

Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Uds,V: 25 V
Idd,A: 81 A
Rds(on), Ohm: 0,0057 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/10
Монтаж: THT

Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 86 A
Rds(on), Ohm: 0,0056 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2150/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT

Виробник: Sanyo
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: DIP-12F
U пит, V: 9 V
P, W: 2x2,3 W
R нагр., Ohm: 8 Ohm
K g, %: 0,005
Примітка: 1 to 2.3W 2-Channel of Power Amplifier
Робоча температура, °С: -20…+75°C

Виробник: Mitsubishi
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: 14P5A
U пит, V: 8...15 V
K g, %: 0,005 %
Примітка: регулятор громкости и баланса

Виробник: ST
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: TO-220-5
U пит, V: 4...25 V
P, W: 32 W
R нагр., Ohm: 8 Ohm
K g, %: 0,005

Виробник: ST
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: TO-220-5
U пит, V: 4...25 V
P, W: 32 W
R нагр., Ohm: 8 Ohm
K g, %: 0,005

Виробник: NXP
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: DIP-8
U пит, V: 1,6...6 V
P, W: 2x0,075 W
R нагр., Ohm: 32 Ohm
K g, %: 0,005
Робоча температура, °С: -40…+100°C

Виробник: ST
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: DBS-15
U пит, V: ±10...±35 V
P, W: 60 W
R нагр., Ohm: 8 Ohm
K g, %: 0,00005
Робоча температура, °С: 0…+70°C

Виробник: ST
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: SIP1-11
U пит, V: 8...18 V
P, W: 2x11 W
R нагр., Ohm: 2 Ohm
K g, %: 0,005

Виробник: NXP
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: SIP2-23Z
U пит, V: 6...18 V
P, W: 4x26 W
R нагр., Ohm: 4 Ohm
K g, %: 0,005
Робоча температура, °С: -40…+85°C

Виробник: Philips
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: SOT-243-1
U пит, V: 9...26 V
P, W: 4x14 W
R нагр., Ohm: 4 Ohm
K g, %: 0,005
Примітка: 4-channel audio ampli?er
Робоча температура, °С: -40…+85°C

Виробник: MICROSEMI
SP6/372 A, 200 V, 0.005 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APTM20AM04
кількість в упаковці: 1 шт