на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 43.47 грн |
| 10+ | 37.34 грн |
| 100+ | 22.48 грн |
| 500+ | 18.27 грн |
| 1000+ | 16.56 грн |
| 3000+ | 15.12 грн |
| 6000+ | 14.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1KSMB110A Littelfuse
Category: Unidirectional SMD transil diodes, Description: Diode: TVS; 1kW; 110V; 6.6A; unidirectional; ±5%; DO214AA; reel,tape, Type of diode: TVS, Mounting: SMD, Tolerance: ±5%, Kind of package: reel; tape, Case: DO214AA, Semiconductor structure: unidirectional, Leakage current: 1µA, Features of semiconductor devices: glass passivated, Max. forward impulse current: 6.6A, Breakdown voltage: 110V, Peak pulse power dissipation: 1kW, Max. off-state voltage: 94V, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції 1KSMB110A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1KSMB110A | Виробник : Littelfuse |
 TVS Diode Single Uni-Dir 94V 1KW 2-Pin SMB T/R |
товар відсутній |
|
 |
1KSMB110A | Виробник : Littelfuse |
TVS Diode Single Uni-Dir 94V 1KW Automotive 2-Pin SMB T/R |
товар відсутній |
|
 |
1KSMB110A | Виробник : LITTELFUSE |
Category: Unidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 1kW; 110V; 6.6A; unidirectional; ±5%; DO214AA; reel,tape Type of diode: TVS Mounting: SMD Tolerance: ±5% Kind of package: reel; tape Case: DO214AA Semiconductor structure: unidirectional Leakage current: 1µA Features of semiconductor devices: glass passivated Max. forward impulse current: 6.6A Breakdown voltage: 110V Peak pulse power dissipation: 1kW Max. off-state voltage: 94V кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|
 |
1KSMB110A | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: TVS DIODE 94V 152V DO214AA |
товар відсутній |
|
|
|
1KSMB110A | Виробник : LITTELFUSE |
Category: Unidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 1kW; 110V; 6.6A; unidirectional; ±5%; DO214AA; reel,tape Type of diode: TVS Mounting: SMD Tolerance: ±5% Kind of package: reel; tape Case: DO214AA Semiconductor structure: unidirectional Leakage current: 1µA Features of semiconductor devices: glass passivated Max. forward impulse current: 6.6A Breakdown voltage: 110V Peak pulse power dissipation: 1kW Max. off-state voltage: 94V |
товар відсутній |