1KSMB110CA

1KSMB110CA LITTELFUSE


Littelfuse_TVS_Diode_1KSMB_Datasheet.pdf Виробник: LITTELFUSE
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 1kW; 110V; 6.6A; bidirectional; ±5%; DO214AA; reel,tape
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: DO214AA
Semiconductor structure: bidirectional
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. forward impulse current: 6.6A
Breakdown voltage: 110V
Peak pulse power dissipation: 1kW
Max. off-state voltage: 94V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1KSMB110CA LITTELFUSE

Category: Bidirectional SMD transil diodes, Description: Diode: TVS; 1kW; 110V; 6.6A; bidirectional; ±5%; DO214AA; reel,tape, Type of diode: TVS, Mounting: SMD, Tolerance: ±5%, Kind of package: reel; tape, Case: DO214AA, Semiconductor structure: bidirectional, Leakage current: 1µA, Features of semiconductor devices: glass passivated, Max. forward impulse current: 6.6A, Breakdown voltage: 110V, Peak pulse power dissipation: 1kW, Max. off-state voltage: 94V, кількість в упаковці: 3000 шт.

Інші пропозиції 1KSMB110CA

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
1KSMB110CA 1KSMB110CA Виробник : Littelfuse littelfuse_tvs_diode_1ksmb_datasheet.pdf.pdf TVS Diode Single Bi-Dir 94V 1KW Automotive 2-Pin SMB T/R
товар відсутній
1KSMB110CA 1KSMB110CA Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_tvs_diode_1ksmb_datasheet.pdf.pdf Description: TVS DIODE 94V 152V DO214AA
товар відсутній
1KSMB110CA 1KSMB110CA Виробник : Littelfuse Littelfuse_TVS_Diode_1KSMB_Datasheet_pdf-475045.pdf ESD Suppressors / TVS Diodes 110V 1KW 5% BiDirectional
товар відсутній
1KSMB110CA 1KSMB110CA Виробник : LITTELFUSE Littelfuse_TVS_Diode_1KSMB_Datasheet.pdf Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 1kW; 110V; 6.6A; bidirectional; ±5%; DO214AA; reel,tape
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: DO214AA
Semiconductor structure: bidirectional
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. forward impulse current: 6.6A
Breakdown voltage: 110V
Peak pulse power dissipation: 1kW
Max. off-state voltage: 94V
товар відсутній