1N4007GP

1N4007GP Diotec Semiconductor


1n4001gp.pdf 1n4001gp.pdf 1N4001.pdf Виробник: Diotec Semiconductor
Rectifiers Diode, DO-41, 1000V, 1A
на замовлення 10066 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
44+7.15 грн
61+ 5 грн
100+ 3.69 грн
500+ 2.96 грн
1000+ 2.5 грн
5000+ 1.91 грн
10000+ 1.25 грн
Мінімальне замовлення: 44
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1N4007GP Diotec Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO204AC, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: DO-204AC, DO-41, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-204AC (DO-41), Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.

Інші пропозиції 1N4007GP за ціною від 0.73 грн до 13.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
1N4007GP 1N4007GP Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR 1n4001gp.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; DO41; Ir: 50uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Max. load current: 5.4A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 50µA
Reverse recovery time: 1.5µs
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
42+8.87 грн
55+ 6.31 грн
94+ 3.65 грн
147+ 2.35 грн
500+ 1.67 грн
1036+ 0.77 грн
2851+ 0.73 грн
Мінімальне замовлення: 42
1N4007GP 1N4007GP Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR 1n4001gp.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; DO41; Ir: 50uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Max. load current: 5.4A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 50µA
Reverse recovery time: 1.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+10.64 грн
33+ 7.87 грн
57+ 4.38 грн
100+ 2.82 грн
500+ 2 грн
1036+ 0.92 грн
2851+ 0.87 грн
Мінімальне замовлення: 25
1N4007GP 1N4007GP Виробник : Diotec Semiconductor 1n4001gp.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1250+13.05 грн
2500+ 6.56 грн
5000+ 3.49 грн
10000+ 3.24 грн
Мінімальне замовлення: 1250
1N4007GP 1N4007GP Виробник : Diotec Electronics 1n4001gp.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 1A 1500ns 2-Pin DO-41 Ammo
на замовлення 3170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1N4007GP Виробник : VISHAY 1n4001gp.pdf 1n4001gp.pdf 1N4001.pdf 09+ MSOP-8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
1N4007GP 1N4007GP Виробник : Diotec Semiconductor 1n4001gp.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 1A 1500ns 2-Pin DO-41 Ammo
товар відсутній
1N4007GP 1N4007GP Виробник : Diotec Semiconductor 1n4001gp.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 1A 1500ns 2-Pin DO-41 Ammo
товар відсутній
1N4007GP Виробник : Diotec Semiconductor 1n4001gp.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
1N4007GP Виробник : Diotec Semiconductor 1n4001gp.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO204AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AC, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
1N4007GP 1N4007GP Виробник : onsemi 1N4001.pdf Description: DIODE DO41 1000V 1A 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній