1N4449

1N4449 Microchip Technology


wt5-11.pdf Виробник: Microchip Technology
Rectifier Diode Switching 75V 0.2A 4ns 2-Pin DO-35
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1N4449 Microchip Technology

Description: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Supplier Device Package: DO-35, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 20 V.

Інші пропозиції 1N4449

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
1N4449 1N4449 Виробник : EIC Semiconductor 1n4449_rev.01.pdf High Speed Switching Diode
товар відсутній
1N4449 Виробник : MICROSEMI 1N4149%2C4151%2C4154%3B1N4446-4449.pdf DO35/SIGNAL OR COMPUTER DIODE 1N4449
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
1N4449 1N4449 Виробник : Microchip Technology 1N4149%2C4151%2C4154%3B1N4446-4449.pdf Description: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 20 V
товар відсутній
1N4449 1N4449 Виробник : Microchip Technology 1N4149%2C4151%2C4154%3B1N4446-4449.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching Signal or Computer Diode
товар відсутній