на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3585.35 грн |
| 25+ | 3533.39 грн |
| 100+ | 2853.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5183 Microchip Technology
Description: DIODE GP 7.5KV 100MA S AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: S, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Supplier Device Package: S, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 7500 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 7500 V.
Інші пропозиції 1N5183
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5183 | Виробник : Microchip Technology |
 Rectifier Diode Switching 7.5KV 0.1A 2-Pin Case S Bag |
товар відсутній |
|
 |
1N5183 | Виробник : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 7.5KV 0.1A 2-Pin Case S Bag |
товар відсутній |
|
| 1N5183 | Виробник : MICROSEMI |
S/VOIDLESS HERMETICALLY DEALED HIGH VOLTAGE RECTIFIER 1N5183 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| 1N5183 | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GP 7.5KV 100MA S AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: S, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 100mA Supplier Device Package: S, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 7500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 7500 V |
товар відсутній |