1N5402-G

1N5402-G Comchip Technology


QW-BG015 1N5400-G Thru. 1N5408-G RevA.pdf Виробник: Comchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO27
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 6000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1N5402-G Comchip Technology

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5402G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 1N5402-G за ціною від 4.19 грн до 83.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
1N5402G 1N5402G Виробник : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD Box
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
538+21.27 грн
689+ 16.62 грн
789+ 14.5 грн
1451+ 7.6 грн
Мінімальне замовлення: 538
1N5402G 1N5402G Виробник : onsemi 1N5400_D-2307973.pdf Rectifiers 200V 3A Standard
на замовлення 28933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+23.62 грн
16+ 19.57 грн
100+ 16.42 грн
500+ 16.36 грн
30000+ 9.43 грн
Мінімальне замовлення: 14
1N5402G 1N5402G Виробник : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD Box
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+24.07 грн
29+ 19.75 грн
100+ 15.43 грн
500+ 12.98 грн
1000+ 6.54 грн
Мінімальне замовлення: 24
1N5402G 1N5402G Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013443371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5402G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 125A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+27.67 грн
35+ 21.68 грн
100+ 11.62 грн
500+ 9.89 грн
1000+ 5.71 грн
Мінімальне замовлення: 27
1N5402-G 1N5402-G Виробник : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+28.3 грн
Мінімальне замовлення: 6000
1N5402-G 1N5402-G Виробник : Comchip Technology QW_BG015_1N5400_G_Thru__1N5408_G_RevA-2506339.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching VR=200V, IO=3A
на замовлення 8265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.63 грн
14+ 22.45 грн
100+ 11.68 грн
500+ 10.82 грн
1200+ 7.39 грн
2400+ 6.73 грн
9600+ 5.8 грн
Мінімальне замовлення: 11
1N5402G 1N5402G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013179088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N5402G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5402
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 90346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+28.78 грн
33+ 22.57 грн
100+ 12.06 грн
500+ 10.31 грн
1000+ 5.94 грн
5000+ 5.9 грн
Мінімальне замовлення: 26
1N5402G 1N5402G Виробник : onsemi 1n5400-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.25 грн
13+ 21.92 грн
500+ 12.14 грн
1000+ 7.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
1N5402G 1N5402G Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+69.63 грн
8+ 48.44 грн
20+ 17.8 грн
25+ 14.57 грн
100+ 11.34 грн
180+ 4.47 грн
493+ 4.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
1N5402G 1N5402G Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+83.55 грн
5+ 60.36 грн
12+ 21.35 грн
25+ 17.48 грн
100+ 13.6 грн
180+ 5.36 грн
493+ 5.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
1N5402G Виробник : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Випрямний діод вивідний; Io, A = 3; Uзвор, В = 200; Uf (max), В = 1,2; If, А = 3; Тексп, °C = -65...+150; Темп.опір,°C/Вт = 53; Час станд. відн., (нс)/струм, мА = 500 мс; I, мкА @ Ur, В = 10 @ 200; DO-201AD
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+62.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
1N5402G 1N5402G Виробник : Good-Ark 21n540xg.pdf Rectifier Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
1N5402G 1N5402G Виробник : EIC Semiconductor 2531n5400g_8g.pdf Diode Si 200V 3A 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
1N5402G 1N5402G Виробник : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD Box
товар відсутній
1N5402G 1N5402G Виробник : Good-Ark 21n540xg.pdf Rectifier Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
1N5402G 1N5402G Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation 1n5400-d.pdf 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
1N5402G 1N5402G Виробник : SMC Diode Solutions 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
1N5402G Виробник : Taiwan Semiconductor 1301n5400g20series_g12.pdf Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
1N5402-G 1N5402-G Виробник : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
1N5402G 1N5402G Виробник : Taiwan Semiconductor 1n5400-d.pdf 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Rectifiers 3A, 200V, Standard Recovery Rectifier
товар відсутній
1N5402-G 1N5402-G Виробник : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
1N5402G 1N5402G Виробник : ONSEMI 1n5400-d.pdf 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 50µA
товар відсутній
1N5402G 1N5402G Виробник : ONSEMI 1n5400-d.pdf 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 50µA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній