1N5417TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 27.15 грн |
| 5000+ | 24.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5417TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-64, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: SOD-64, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V.
Інші пропозиції 1N5417TR за ціною від 24.12 грн до 71.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
1N5417TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
на замовлення 10308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1N5417TR | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 3.0 Amp 200 Volt |
на замовлення 9517 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1N5417TR | Виробник : Vishay |
Diode Switching 200V 3A 2-Pin SOD-64 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
1N5417/TR | Виробник : Microchip Technology |
Diode Switching 200V 3A 2-Pin Case E T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
1N5417TR | Виробник : Vishay |
Diode Switching 200V 3A 2-Pin SOD-64 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
1N5417/TR | Виробник : Microchip Technology |
Diode Switching 200V 3A 2-Pin Case E T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
1N5417/TR | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A B AXIAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
1N5417/TR | Виробник : Microchip / Microsemi |
Rectifiers Rectifier |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
1N5417/TR | Виробник : Microchip Technology |
Rectifiers 200 V UFR,FRR |
товар відсутній |