1N6080US

1N6080US Microchip Technology


sd62a.pdf Виробник: Microchip Technology
Rectifier Diode Switching 100V 12A 30ns 2-Pin G-MELF Bag
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1N6080US Microchip Technology

Description: DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, G, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: G-MELF (D-5C), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 155°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 37.7 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V.

Інші пропозиції 1N6080US

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
1N6080US Виробник : MICROSEMI 1N6073US-1N6081US.pdf G-MELF/ 1N6080U
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
1N6080US 1N6080US Виробник : Microchip Technology 1N6073US-1N6081US.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, G
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: G-MELF (D-5C)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 155°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 37.7 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товар відсутній