1N60L

1N60L UMW


1N60G.PDF Виробник: UMW
Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 2469 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.91 грн
10+ 31.58 грн
25+ 29.61 грн
100+ 22.68 грн
250+ 21.07 грн
500+ 17.93 грн
1000+ 14.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1N60L UMW

Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V.

Інші пропозиції 1N60L

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
1N60L Виробник : UTC 1N60G.PDF
на замовлення 572120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
1N60L 1N60L Виробник : UMW 1N60G.PDF Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товар відсутній