Результат пошуку "2Т 312 В" : 25

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
Транзистор 2Т312В (83г) Ni
на замовлення 14 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Транзистор 2Т312В (84г) Ni
на замовлення 25 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Транзистор 2Т312В (85г) Ni
на замовлення 19 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Транзистор 2Т312В (86г) Ni
на замовлення 132 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Транзистор 2Т312В (87г) Ni
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Транзистор 2Т312В (88г)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Транзистор 2Т312В (88г) Ni
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Транзистор 2Т312В (89г)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Транзистор 2Т312В (89г)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Транзистор 2Т312В (90г)
на замовлення 497 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Транзистор 2Т312В (90г) Ni
на замовлення 12 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Транзистор 2Т312В (91г)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Транзистор 2Т312В (92г)
на замовлення 123 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Транзистор 2Т312В (92г)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
AS7C33128PFD32A-100TQI Alliance Semiconductor Статична пам'ять SRAM; Uживл, В = 3.3; Об'єм RAM = 4 096 Кбіт; Орг. пам. = 128K x 32; Тдост/Частота = 10 нс; Тексп, °C = 0...+70; TQFP-100
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+705.74 грн
10+ 658.69 грн
100+ 611.64 грн
CSD17312Q5 Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17312q5 N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 5240 @ 15; Qg, нКл = 36 @ 4.5 В; Rds = 1.5 мОм @ 35 А, 8 В; Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,2; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SON-8
на замовлення 85 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+105.32 грн
10+ 98.28 грн
100+ 91.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
SP1312/P2 Weipu Вилка; К-сть контактів = 2; Тип монт. = Блок; Panel Mount
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+128.92 грн
10+ 120.85 грн
100+ 112.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
M22-2031205 Harwin M22-203.pdf Роз'єм штирьовий однорядний кутовий; Тип конт. = Штирьовий ("тато"); Вид = Вилка; К-сть конт. = 12; Крок, мм = 2; Тип монт. = на плату; DIP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
10+63.99 грн
100+ 60.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
RSF200JB-73-120K Yageo yageo-rsf_datasheet.pdf Резистор вивідний металоксидний; R = 120 кОм; Розм = 5 x 15,5 мм; Точн., % = 5; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+235; Тип за вир. = RSF; 5x15.5mm
на замовлення 59 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
44+14.43 грн
100+ 11.54 грн
Мінімальне замовлення: 44
2Т312В
Код товару: 125160
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
C1-ETD59 Скоба ETD59/31/22 (т1 - с самозахватом)
товар відсутній
C1-ETD59 Скоба ETD59/31/22 (т1 - с самозахватом)
товар відсутній
MCP1722T-3312H/Q8B MICROCHIP TECHNOLOGY MCP1733-Data-Sheet-20006561.pdf Category: LDO unregulated voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V,12V; 0.05÷0.1A
Case: VDFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Output current: 50...100mA
Number of channels: 2
Output voltage: 3.3V; 12V
Voltage drop: 0.75V
Type of integrated circuit: voltage regulator
Tolerance: ±2%
Input voltage: 4.5...55V
Manufacturer series: MCP1722
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
товар відсутній
SKIIP 34NAB12T7V1 25231230 SEMIKRON DANFOSS SKIIP34NAB12T7V1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 35A
Case: MiniSKiiP® 3
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
SKIIP 35NAB12T7V1 25231240 SEMIKRON DANFOSS SKIIP35NAB12T7V1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Case: MiniSKiiP® 3
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
Транзистор 2Т312В (83г) Ni
на замовлення 14 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Транзистор 2Т312В (84г) Ni
на замовлення 25 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Транзистор 2Т312В (85г) Ni
на замовлення 19 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Транзистор 2Т312В (86г) Ni
на замовлення 132 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Транзистор 2Т312В (87г) Ni
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Транзистор 2Т312В (88г)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Транзистор 2Т312В (88г) Ni
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Транзистор 2Т312В (89г)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Транзистор 2Т312В (89г)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Транзистор 2Т312В (90г)
на замовлення 497 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Транзистор 2Т312В (90г) Ni
на замовлення 12 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Транзистор 2Т312В (91г)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Транзистор 2Т312В (92г)
на замовлення 123 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Транзистор 2Т312В (92г)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
AS7C33128PFD32A-100TQI
Виробник: Alliance Semiconductor
Статична пам'ять SRAM; Uживл, В = 3.3; Об'єм RAM = 4 096 Кбіт; Орг. пам. = 128K x 32; Тдост/Частота = 10 нс; Тексп, °C = 0...+70; TQFP-100
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+705.74 грн
10+ 658.69 грн
100+ 611.64 грн
CSD17312Q5 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17312q5
Виробник: Texas Instruments
N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 5240 @ 15; Qg, нКл = 36 @ 4.5 В; Rds = 1.5 мОм @ 35 А, 8 В; Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,2; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SON-8
на замовлення 85 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+105.32 грн
10+ 98.28 грн
100+ 91.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
SP1312/P2
Виробник: Weipu
Вилка; К-сть контактів = 2; Тип монт. = Блок; Panel Mount
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+128.92 грн
10+ 120.85 грн
100+ 112.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
M22-2031205 M22-203.pdf
Виробник: Harwin
Роз'єм штирьовий однорядний кутовий; Тип конт. = Штирьовий ("тато"); Вид = Вилка; К-сть конт. = 12; Крок, мм = 2; Тип монт. = на плату; DIP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+63.99 грн
100+ 60.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
RSF200JB-73-120K yageo-rsf_datasheet.pdf
Виробник: Yageo
Резистор вивідний металоксидний; R = 120 кОм; Розм = 5 x 15,5 мм; Точн., % = 5; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+235; Тип за вир. = RSF; 5x15.5mm
на замовлення 59 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
44+14.43 грн
100+ 11.54 грн
Мінімальне замовлення: 44
2Т312В
Код товару: 125160
товар відсутній
C1-ETD59
Скоба ETD59/31/22 (т1 - с самозахватом)
товар відсутній
C1-ETD59
Скоба ETD59/31/22 (т1 - с самозахватом)
товар відсутній
MCP1722T-3312H/Q8B MCP1733-Data-Sheet-20006561.pdf
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: LDO unregulated voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V,12V; 0.05÷0.1A
Case: VDFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Output current: 50...100mA
Number of channels: 2
Output voltage: 3.3V; 12V
Voltage drop: 0.75V
Type of integrated circuit: voltage regulator
Tolerance: ±2%
Input voltage: 4.5...55V
Manufacturer series: MCP1722
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
товар відсутній
SKIIP 34NAB12T7V1 25231230 SKIIP34NAB12T7V1.pdf
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 35A
Case: MiniSKiiP® 3
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
SKIIP 35NAB12T7V1 25231240 SKIIP35NAB12T7V1.pdf
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Case: MiniSKiiP® 3
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mechanical mounting: screw
товар відсутній