Продукція > IR > 20ETS08S

20ETS08S IR


20ETS.pdf Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 20ETS08S IR

Description: DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V.

Інші пропозиції 20ETS08S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
20ETS08S Виробник : IR 20ETS.pdf 07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20ETS08S 20ETS08S Виробник : Vishay 94340.pdf Rectifier Diode Switching 800V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
20ETS08S 20ETS08S Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20ETS.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V
товар відсутній
20ETS08S 20ETS08S Виробник : Vishay Semiconductors 20ETS.pdf Rectifiers RECOMMENDED ALT 844-20ETS08SPBF
товар відсутній