2DC4617QLP-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.71 грн |
6000+ | 2.35 грн |
15000+ | 2.04 грн |
30000+ | 1.73 грн |
75000+ | 1.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2DC4617QLP-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - 2DC4617QLP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції 2DC4617QLP-7 за ціною від 1.4 грн до 15.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2DC4617QLP-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 2DC4617QLP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2DC4617QLP-7 | Виробник : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 250mW 50V |
на замовлення 1870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2DC4617QLP-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 98137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2DC4617QLP-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 2DC4617QLP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2DC4617QLP-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2DC4617QLP-7 | Виробник : Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2DC4617QLP-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2DC4617QLP-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2DC4617QLP-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin X1-DFN T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
2DC4617QLP-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin X1-DFN T/R |
товар відсутній |