Технічний опис 2ED020I12-F Infineon
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO18-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Voltage - Supply: 0V ~ 18V, Input Type: Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V, Supplier Device Package: PG-DSO-18-2, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET, Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 2A, Part Status: Obsolete, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції 2ED020I12-F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2ED020I12-F | Виробник : INFINEON |
 09+ SOP18 |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| 2ED020I12-F | Виробник : Infineon |
2005 |
на замовлення 3655 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| 2ED020I12-F | Виробник : INFINEON |
MODULE |
на замовлення 860 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
2ED020I12-F | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO18-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Voltage - Supply: 0V ~ 18V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V Supplier Device Package: PG-DSO-18-2 Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 2A Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |