2ED2106S06FXUMA1

2ED2106S06FXUMA1 Infineon Technologies


Infineon-2ED2106-4-S06F-J-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7402029e7 Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRIVER 8-DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: CMOS, TTL
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 675 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-69
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+50.71 грн
5000+ 47.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2ED2106S06FXUMA1 Infineon Technologies

Description: IC GATE DRIVER 8-DSO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Voltage - Supply: 10V ~ 20V, Input Type: CMOS, TTL, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 675 V, Supplier Device Package: PG-DSO-8-69, Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: High-Side and Low-Side, Number of Drivers: 2, Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V, Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA, Part Status: Active, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції 2ED2106S06FXUMA1 за ціною від 44.88 грн до 279.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-2ed2106-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode
на замовлення 1509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
178+65.66 грн
Мінімальне замовлення: 178
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-2ed2106-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+70.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 Виробник : INFINEON 2876190.pdf Description: INFINEON - 2ED2106S06FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+105.42 грн
250+ 91.63 грн
500+ 80.25 грн
1000+ 69.51 грн
2500+ 68.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-2ED2106-4-S06F-J-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7402029e7 Description: IC GATE DRIVER 8-DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: CMOS, TTL
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 675 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-69
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 9503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.9 грн
10+ 95.84 грн
25+ 90.42 грн
100+ 72.29 грн
250+ 67.89 грн
500+ 59.4 грн
1000+ 48.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-2ed2106-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode
на замовлення 1509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+119.72 грн
10+ 102.42 грн
25+ 99.75 грн
100+ 81.98 грн
250+ 70.57 грн
500+ 58.95 грн
1000+ 44.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_2ED2106_4_S06F_J_DataSheet_v02_32_EN-3360501.pdf Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.38 грн
10+ 101.27 грн
100+ 74.26 грн
250+ 70.32 грн
500+ 61.71 грн
1000+ 50.74 грн
2500+ 47.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 Виробник : INFINEON 2876190.pdf Description: INFINEON - 2ED2106S06FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+177.67 грн
10+ 132.7 грн
50+ 123.12 грн
100+ 105.42 грн
250+ 91.63 грн
500+ 80.25 грн
1000+ 69.51 грн
2500+ 68.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-2ed2106-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
42+279.07 грн
86+ 136.57 грн
95+ 123.7 грн
116+ 97.33 грн
200+ 84.56 грн
500+ 80.92 грн
1000+ 71.93 грн
2000+ 67.09 грн
2500+ 66.93 грн
Мінімальне замовлення: 42
2ED2106S06FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-2ed2106-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode
товар відсутній
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-2ed2106-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode
товар відсутній
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-2ED2106-4-S06F-J-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7402029e7 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PG-DSO-8
Output current: -0.7...0.29A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 650V
Protection: undervoltage UVP
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-2ED2106-4-S06F-J-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7402029e7 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PG-DSO-8
Output current: -0.7...0.29A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 650V
Protection: undervoltage UVP
товар відсутній