2ED2109S06FXUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-53
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 52.08 грн |
| 5000+ | 48.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2ED2109S06FXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 700mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 740ns, Ausgabeverzögerung: 200ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції 2ED2109S06FXUMA1 за ціною від 49.61 грн до 147.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2ED2109S06FXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 740ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2ED2109S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Supplier Device Package: PG-DSO-8-53 Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 7626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2ED2109S06FXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 740ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2ED2109S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI |
на замовлення 9682 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2ED2109S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 2ED2109S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 2ED2109S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
на замовлення 1915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 2ED2109S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 2ED2109S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
2ED2109S06FXUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-8; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: PG-DSO-8 Output current: -0.7...0.29A Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Voltage class: 650V Protection: undervoltage UVP кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
2ED2109S06FXUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-8; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: PG-DSO-8 Output current: -0.7...0.29A Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Voltage class: 650V Protection: undervoltage UVP |
товар відсутній |