2N3584 MOT


2N3583-ssi.pdf 6047-2n3584-datasheet Виробник: MOT
98+ TO-66
на замовлення 4550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N3584 MOT

Description: NPN POWER SILICON TRANSISTORS, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 5mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 10V, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V, Power - Max: 2.5 W.

Інші пропозиції 2N3584

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N3584 Виробник : MOTOROLA 2N3583-ssi.pdf 6047-2n3584-datasheet
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N3584 2N3584 Виробник : Microchip Technology 2n3584.pdf Trans GP BJT NPN 250V 2A 2500mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
товар відсутній
2N3584 2N3584 Виробник : Microchip Technology 2n3584.pdf Trans GP BJT NPN 250V 2A 2500mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
товар відсутній
2N3584 Виробник : Semelab sf_2n3584.pdf Trans GP BJT NPN 250V 2A 35000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66
товар відсутній
2N3584 2N3584 Виробник : Solid State Inc. 2N3583-ssi.pdf Description: TRANS NPN 250V 2A TO66
Packaging: Box
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: TO-66
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 35 W
товар відсутній
2N3584 Виробник : Microchip Technology 6047-2n3584-datasheet Description: NPN POWER SILICON TRANSISTORS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 10V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 2.5 W
товар відсутній
2N3584 2N3584 Виробник : Microchip Technology 2N3583-ssi.pdf 6047-2n3584-datasheet Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N3584 2N3584 Виробник : TT Electronics - IoT Solutions SEMES07051_1-2565287.pdf Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній