2N1613

2N1613 CDIL


2N1613.pdf Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.5A; 0.8/3W; TO39; 12dB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.8/3W
Case: TO39
Current gain: 20...120
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 60MHz
Noise Figure: 12dB
на замовлення 909 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+55.94 грн
10+ 36.35 грн
25+ 21.78 грн
52+ 15.46 грн
142+ 14.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N1613 CDIL

Description: TRANS NPN 50V 0.5A TO39, Packaging: Tube, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: TO-39, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 800 mW.

Інші пропозиції 2N1613 за ціною від 17.56 грн до 1327.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N1613 2N1613 Виробник : CDIL 2N1613.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.5A; 0.8/3W; TO39; 12dB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.8/3W
Case: TO39
Current gain: 20...120
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 60MHz
Noise Figure: 12dB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 909 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+67.13 грн
6+ 45.29 грн
25+ 26.14 грн
52+ 18.55 грн
142+ 17.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N1613 2N1613 Виробник : Harris Corporation MSCO-S-A0001037596-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+1327.15 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N1613
Код товару: 163262
2N1613.pdf MSCO-S-A0001037596-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
2N1613 2N1613 Виробник : Microchip Technology lds-0200.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
товар відсутній
2N1613 2N1613 Виробник : Microchip Technology lds-0200.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
товар відсутній
2N1613 2N1613 Виробник : STMicroelectronics 2N1613.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.5A TO39
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
2N1613 2N1613 Виробник : Microchip Technology 2N1613.pdf MSCO-S-A0001037596-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
2N1613 2N1613 Виробник : Microchip Technology 2N1613.pdf MSCO-S-A0001037596-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N1613 2N1613 Виробник : STMicroelectronics 2N1613.pdf MSCO-S-A0001037596-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N1613 Виробник : Infineon Technologies 2N1613.pdf MSCO-S-A0001037596-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній