2N1613 CDIL
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.5A; 0.8/3W; TO39; 12dB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.8/3W
Case: TO39
Current gain: 20...120
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 60MHz
Noise Figure: 12dB
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.5A; 0.8/3W; TO39; 12dB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.8/3W
Case: TO39
Current gain: 20...120
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 60MHz
Noise Figure: 12dB
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 55.94 грн |
10+ | 36.35 грн |
25+ | 21.78 грн |
52+ | 15.46 грн |
142+ | 14.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N1613 CDIL
Description: TRANS NPN 50V 0.5A TO39, Packaging: Tube, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: TO-39, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 800 mW.
Інші пропозиції 2N1613 за ціною від 17.56 грн до 1327.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N1613 | Виробник : CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.5A; 0.8/3W; TO39; 12dB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.8/3W Case: TO39 Current gain: 20...120 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 60MHz Noise Figure: 12dB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 909 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N1613 | Виробник : Harris Corporation |
Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N1613 Код товару: 163262 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
2N1613 | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||
2N1613 | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||
2N1613 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 50V 0.5A TO39 Packaging: Tube Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
товар відсутній |
||||||||||||||
2N1613 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 800 mW |
товар відсутній |
||||||||||||||
2N1613 | Виробник : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товар відсутній |
||||||||||||||
2N1613 | Виробник : STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |
||||||||||||||
2N1613 | Виробник : Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |