2N1613L MOT


123516-lds-0200-datasheet Виробник: MOT
CAN
на замовлення 853 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N1613L MOT

Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 800 mW.

Інші пропозиції 2N1613L

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N1613L 2N1613L Виробник : Microchip Technology lds-0200.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 800mW 3-Pin TO-5 Bag
товар відсутній
2N1613L 2N1613L Виробник : Microchip Technology 123516-lds-0200-datasheet Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
2N1613L 2N1613L Виробник : Microchip Technology 123516-lds-0200-datasheet Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній