2N1893 CDIL
Виробник: CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.8/3W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.8/3W
Case: TO39
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 71.35 грн |
| 8+ | 46.38 грн |
| 25+ | 27.81 грн |
| 38+ | 21.72 грн |
| 102+ | 20.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N1893 CDIL
Description: MULTICOMP PRO - 2N1893 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C.
Інші пропозиції 2N1893 за ціною від 24.65 грн до 1863.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N1893 | Виробник : CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.8/3W; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.8/3W Case: TO39 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 788 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N1893 | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N1893 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
на замовлення 681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N1893 | Виробник : Harris Corporation |
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 15A, 150A Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N1893 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 800mW 3-Pin TO-5 Bag |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
2N1893 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
2N1893 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO39 Packaging: Tube Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
2N1893 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
2N1893 | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
2N1893 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose |
товар відсутній |
|||||||||||||
| 2N1893 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |