2N2222AUA

2N2222AUA Optek / TT Electronics


2N2222AUA-3241468.pdf Виробник: Optek / TT Electronics
Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. Transistor 4 Pin
на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1839.21 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N2222AUA Optek / TT Electronics

Description: TRANS NPN 50V 0.8A 4SMD, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: 4-SMD, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 650 mW.

Інші пропозиції 2N2222AUA за ціною від 1775.77 грн до 1939.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N2222AUA Виробник : Microchip Technology LDS_0060-1593857.pdf Bipolar Transistors - BJT 50 V Small-Signal BJT
на замовлення 200 шт:
термін постачання 300-309 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1939.25 грн
100+ 1775.77 грн
2N2222AUA 2N2222AUA Виробник : Microchip Technology lds-0060.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin UA Waffle
товар відсутній
2N2222AUA 2N2222AUA Виробник : Microchip Technology lds-0060.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin UA Waffle
товар відсутній
2N2222AUA 2N2222AUA Виробник : Optek Technology (TT electronics) 2n2222aua.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin CSMD Waffle
товар відсутній
2N2222AUA 2N2222AUA Виробник : Optek Technology 2n2222aua.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin CSMD Waffle
товар відсутній
2N2222AUA Виробник : MICROSEMI 2N2221A%2C%202N2222A.pdf NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR 2N2222
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2N2222AUA 2N2222AUA Виробник : Microchip Technology 2N2221A%2C%202N2222A.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.8A 4SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: 4-SMD
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 650 mW
товар відсутній