2N2907A DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 300
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 300
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 5350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
150+ | 2.77 грн |
225+ | 1.62 грн |
500+ | 1.28 грн |
825+ | 0.98 грн |
2250+ | 0.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N2907A DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: MULTICOMP PRO - 2N2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 400 mW, TO-18, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: TO-18, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції 2N2907A за ціною від 0.9 грн до 401.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
+1 |
2N2907A | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 625mW; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 300 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 5350 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 2934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 2934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 4300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Diotec Electronics | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 5350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 60V, 600mA, PNP |
на замовлення 7487 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Lumimax Optoelectronic Technology |
Description: TRANS PNP EBC -0.6A 60V TO-92 Packaging: Bulk |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : CDIL |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.4/1.8W; TO18 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.4/1.8W Case: TO18 Current gain: 50...300 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 200MHz |
на замовлення 10387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : CDIL |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.4/1.8W; TO18 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.4/1.8W Case: TO18 Current gain: 50...300 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10387 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 400 mW, TO-18, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-18 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 18804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
Description: TRANSISTOR, PNP, -60V, -0.60A, T Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 400 mW |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : NTE Electronics, Inc. | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 |
на замовлення 1375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
на замовлення 937 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Diotec Electronics | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Diotec Electronics | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : DIOTEC |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 2N2907A DIOTEC T2N2907a DIOTEC кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 299 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : CDIL |
PNP 600mA 60V 400mW 200MHz 2N2907A T2N2907a кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 490 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Rectron | Bipolar Transistors - BJT TO-18 |
на замовлення 13420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : MICROSEMI |
TO18/PNP TRANSISTOR 2N2907 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Semelab / TT Electronics | Bipolar Transistors - BJT SS PNP TRANSISTOR TO18 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: BJT TO92 60V 600MA PNP 0.625W Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Micro Commercial Co |
Description: BJT TO92 60V PNP 0.625W 150C Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 400 mW |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Semelab | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Rectron | Trans RF BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Rectron | Trans RF BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Semelab (TT electronics) | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Optek Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 |
товар відсутній |