2N3019 PBFREE Central Semiconductor
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 134.45 грн |
1000+ | 123.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N3019 PBFREE Central Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 1A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-39, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 800 mW.
Інші пропозиції 2N3019 PBFREE за ціною від 67.69 грн до 151.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N3019 PBFREE | Виробник : Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS |
на замовлення 2482 шт: термін постачання 35-44 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N3019 PBFREE | Виробник : Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Box |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2N3019 PBFREE | Виробник : Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Box |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2N3019 PBFREE | Виробник : Central Semiconductor |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 800mW; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.8W Case: TO39 Current gain: 15...300 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2N3019 PBFREE | Виробник : Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2N3019 PBFREE | Виробник : Central Semiconductor |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 800mW; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.8W Case: TO39 Current gain: 15...300 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 100MHz |
товар відсутній |