2N3868 Solid State Inc.
Виробник: Solid State Inc.
Description: TRANS PNP 60V TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Description: TRANS PNP 60V TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 238.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N3868 Solid State Inc.
Description: TRANS PNP 60V 0.003A TO5, Packaging: Bulk, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V, Supplier Device Package: TO-5, Current - Collector (Ic) (Max): 3 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2N3868 за ціною від 1464.76 грн до 1600.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N3868 | Виробник : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
2N3868 | Виробник : MOT | CAN |
на замовлення 627 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2N3868 | Виробник : MOTOROLA |
на замовлення 12850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||
2N3868 | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.003A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag |
товар відсутній |
||||||||
2N3868 | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.03A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag |
товар відсутній |
||||||||
2N3868 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 60V 0.003A TO5 Packaging: Bulk Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V Supplier Device Package: TO-5 Current - Collector (Ic) (Max): 3 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W |
товар відсутній |