Продукція > ONSEMI > 2N5190G
2N5190G

2N5190G onsemi

2n5191-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 3415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.16 грн
10+ 44.22 грн
100+ 34.42 грн
500+ 27.38 грн
1000+ 22.3 грн
2000+ 20.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5190G onsemi

Description: ONSEMI - 2N5190G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2N5190G за ціною від 20.44 грн до 67.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N5190G 2N5190G Виробник : onsemi 2N5191_D-2309067.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 40V
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.34 грн
10+ 49.2 грн
100+ 33.32 грн
500+ 33.25 грн
1000+ 22.94 грн
2000+ 20.57 грн
10000+ 20.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N5190G 2N5190G Виробник : ONSEMI 1911601.pdf Description: ONSEMI - 2N5190G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+67.38 грн
15+ 52.49 грн
100+ 37.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N5190G 2N5190G Виробник : ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
2N5190G 2N5190G Виробник : ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
2N5190G 2N5190G Виробник : ON Semiconductor 37332n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній