2N5191G ON Semiconductor
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
27+ | 21.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5191G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 2hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції 2N5191G за ціною від 20.62 грн до 91.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N5191G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN |
на замовлення 23315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5191G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 40 W |
на замовлення 4669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5191G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 40W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 40W Case: TO225 Current gain: 7...100 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 2MHz |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5191G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 40W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 40W Case: TO225 Current gain: 7...100 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 2MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5191G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 2hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-225AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N5191G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N5191G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N5191G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N5191G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |