2N5321 Solid State Inc.
Виробник: Solid State Inc.
Description: TRANS NPN 50V 2A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 4V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 50V 2A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 4V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 49.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5321 Solid State Inc.
Description: SOLID STATE - 2N5321 - BJT, NPN, 50V, 2A, TO-39, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 200°C, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції 2N5321 за ціною від 77.55 грн до 2152.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N5321 | Виробник : SOLID STATE |
Description: SOLID STATE - 2N5321 - BJT, NPN, 50V, 2A, TO-39 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2N5321 | Виробник : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
на замовлення 177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
2N5321 | Виробник : MOT | CAN |
на замовлення 2638 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2N5321 | Виробник : MOTOROLA |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||
2N5321 | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 50V 2A 3-Pin TO-5 |
товар відсутній |
||||||||
2N5321 | Виробник : Microchip Technology |
Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk |
товар відсутній |
||||||||
2N5321 | Виробник : STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT TO-39 NPN GEN PUR SS |
товар відсутній |