Продукція > ON > 2N5401RLRAG

2N5401RLRAG ON


2n5401-d.pdf Виробник: ON

на замовлення 96740 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5401RLRAG ON

Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO92, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5401RLRAG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N5401RLRAG Виробник : on 2n5401-d.pdf 10+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5401RLRAG 2N5401RLRAG
Код товару: 94773
2n5401-d.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
2N5401RLRAG 2N5401RLRAG Виробник : ON Semiconductor 2n5400-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N5401RLRAG 2N5401RLRAG Виробник : onsemi 2n5401-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5401RLRAG 2N5401RLRAG Виробник : onsemi 2n5401-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній