Технічний опис 2N5884 ON
Description: TRANS PNP 80V 25A TO204, Packaging: Tray, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A, Current - Collector Cutoff (Max): 2mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), Current - Collector (Ic) (Max): 25 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 200 W.
Інші пропозиції 2N5884
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N5884 | Виробник : ON Semicondu |
 2003 |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| 2N5884 | Виробник : ST/ON |
|
на замовлення 550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
2N5884 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товар відсутній |
|
 |
2N5884 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 80V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
товар відсутній |
|
 |
2N5884 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 80V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
товар відсутній |
|
 |
2N5884 | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N5884 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3 Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 100 Verlustleistung Pd: 200 Übergangsfrequenz ft: 4 Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 25 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
|
 |
2N5884 | Виробник : Microchip Technology |
Description: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP Packaging: Bulk |
товар відсутній |
|
 |
2N5884 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 25A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A Current - Collector Cutoff (Max): 2mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 200 W |
товар відсутній |
|
| 2N5884 | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товар відсутній |
||
 |
2N5884 | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 25A 80V 200W PNP |
товар відсутній |
|
| 2N5884 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |
||
| 2N5884 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |