2N5886G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5886G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 25 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 4hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 471.7 грн |
| 5+ | 445.49 грн |
| 10+ | 419.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5886G ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5886G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 25 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 4hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 25A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-204AA, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 2NXXXX, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції 2N5886G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N5886G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товар відсутній |
|
 |
2N5886G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 25A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A Current - Collector Cutoff (Max): 2mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 200 W |
товар відсутній |
|
 |
2N5886G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 25A 80V 200W NPN |
товар відсутній |
|
 |
2N5886G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 25A; 200W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 25A Power: 0.2kW Case: TO3 Mounting: THT Frequency: 4MHz |
товар відсутній |