2N6109G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6109G - TRANSISTOR, BIPOL, PNP, 50V, TO-220-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 810+ | 40.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N6109G ONSEMI
Description: TRANS PNP 50V 7A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V, Frequency - Transition: 10MHz, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 7 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 40 W.
Інші пропозиції 2N6109G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N6109G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|
 |
2N6109G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 7A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 40 W |
товар відсутній |
|
 |
2N6109G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 7A 50V 40W PNP |
товар відсутній |