Продукція > NTE ELECTRONICS, INC > 2N6123
2N6123

2N6123 NTE Electronics, Inc

2N6123.pdf Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 80V 4A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2.5MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.82 грн
10+ 72.75 грн
20+ 69.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N6123 NTE Electronics, Inc

Description: TRANS NPN 80V 4A TO220, Packaging: Bag, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V, Frequency - Transition: 2.5MHz, Supplier Device Package: TO-220, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 40 W.

Інші пропозиції 2N6123

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N6123 Виробник : onsemi 2N6123.pdf Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній